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本土IGBT龍頭，深耕優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品及核心技術(shù)。公司在2021年IGBT模塊全球市場份額中占有率國際排名第六，中國排名第一，是國內(nèi)IGBT行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。2017-2021年公司營收由4.4億高速增長至17億，22Q3實(shí)現(xiàn)營收18.3億，同比增長57%，相較同業(yè)優(yōu)勢明顯。22年公司基于第六代Trench Field Stop技術(shù)的車規(guī)級IGBT模塊獲得多個(gè)平臺/項(xiàng)目定點(diǎn)，對標(biāo)英飛凌的第七代FS-Trench型新一代車規(guī)級IGBT芯片也取得突破性進(jìn)展，進(jìn)一步鞏固了公司的龍頭地位。
　　新能源產(chǎn)業(yè)拓寬IGBT市場，國產(chǎn)替代需求高漲且空間廣闊。作為能源行業(yè)的核心器件，IGBT性能優(yōu)越且應(yīng)用領(lǐng)域廣泛。從需求端來看：受益于新能源汽車、風(fēng)光儲等產(chǎn)業(yè)發(fā)展，IGBT行業(yè)當(dāng)下呈現(xiàn)“廣空間+高增速”特征，國內(nèi)外IGBT市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。根據(jù)我們的測算，21年全球新能源市場IGBT規(guī)?？蛇_(dá)216億元，2026年將增長至近700億元，21-26ECAGR為27%。從供給端來看：全球IGBT市場競爭格局較為集中，歐美大廠占主導(dǎo)地位，國產(chǎn)供應(yīng)廠商占比偏低，IGBT高端產(chǎn)品仍嚴(yán)重依賴進(jìn)口，國產(chǎn)功率器件仍有廣闊發(fā)展空間。以斯達(dá)半導(dǎo)為代表的國內(nèi)廠商正積極布局IGBT芯片生產(chǎn)，努力縮小與國際巨頭的差距。
　　公司作為IGBT國產(chǎn)化先鋒，率先卡位SiC開啟第二成長曲線。公司業(yè)務(wù)覆蓋低/中/高壓IGBT模塊、MOSFET模塊等產(chǎn)品，還提供變頻器、光伏、新能源車等應(yīng)用的全方位解決方案。一方面，公司搶先發(fā)力車規(guī)級、高壓化IGBT等高端領(lǐng)域，基于第六代Trench Field Stop技術(shù)的全系列自主IGBT芯片自主比率實(shí)現(xiàn)近100%，并預(yù)計(jì)投入15億元于錨定3300V及以上的高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；另一方面，公司積極布局碳化硅市場，不僅已獲多個(gè)主控制器用車規(guī)級SiCMOSFET模塊項(xiàng)目定點(diǎn)外，而且募投5億元開展SiC芯片定增項(xiàng)目以提高車規(guī)級SiC模塊的供貨保障能力及產(chǎn)品競爭力。
　　盈利預(yù)測與投資建議
　　我們預(yù)測公司2022-2024年每股收益分別為4.59、6.99、9.85元，根據(jù)可比公司23年平均52倍PE估值水平，對應(yīng)364.0元人民幣目標(biāo)價(jià)，首次給予買入評級。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　下游需求增長不及預(yù)期、行業(yè)競爭加劇、產(chǎn)品研發(fā)不及預(yù)期、假設(shè)條件變化影響測算結(jié)果。