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>> 光大證券-半導體設(shè)備行業(yè)跟蹤報告:半導體制造技術(shù)進步,原子層沉積(ALD)技術(shù)是關(guān)鍵-230206
上傳日期:   2023/2/6 大小:   1398KB
格式:   pdf  共20頁 來源:   光大證券
評級:   買入 作者:   楊紹輝
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薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之一,薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。半導體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求,而ALD技術(shù)憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優(yōu)異的均勻性和三維保形性,在半導體先進制程應(yīng)用領(lǐng)域彰顯優(yōu)勢。
  用于薄膜沉積的技術(shù)包括物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)和原子層沉積(ALD)。其中ALD技術(shù)是一種將物質(zhì)以單原子膜的形式逐層鍍在基底表面的方法,能夠?qū)崿F(xiàn)納米量級超薄膜的沉積。目前ALD技術(shù)可以細分為TALD、PEALD、SALD等,制備的薄膜類型包括氧化物、氮(碳)化物、金屬與非金屬單質(zhì)等,涵蓋介電層、導體和半導體。ALD反應(yīng)的自限制性和窗口溫度較寬的特征,使其生長的薄膜具有很好的臺階覆蓋率、大面積均勻、致密無孔洞等優(yōu)勢,且厚度等沉積參數(shù)易于精確控制。ALD技術(shù)特別適合復雜形貌、高深寬比溝槽表面的薄膜沉積,被廣泛應(yīng)用于High-K柵介質(zhì)層、金屬柵、銅擴散阻擋層等半導體先進制程領(lǐng)域。
  2020年,全球ALD設(shè)備市場規(guī)模約占薄膜沉積設(shè)備整體市場的11%。從晶圓廠設(shè)備投資構(gòu)成來看,薄膜沉積設(shè)備投資額占晶圓制造設(shè)備總投資額的比重約達25%。隨著全球和國內(nèi)晶圓廠的加速建設(shè)和擴產(chǎn),以及半導體器件結(jié)構(gòu)向更細微演進,ALD設(shè)備市場空間廣闊。
  根據(jù)SEMI,全球晶圓產(chǎn)能2022年將增長8%,2020年至2024年期間,中國大陸和中國臺灣將分別增加8家和11家300mm Fab廠,合計約占全球新增數(shù)量的50%。在Fab廠設(shè)備投資額構(gòu)成中,前道晶圓制造設(shè)備占比高達80%,其中薄膜沉積設(shè)備投資額約占晶圓制造設(shè)備的25%。Maximize Market Research統(tǒng)計顯示,2017至2020年全球半導體薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模從125億美元增至172億美元,CAGR達11.2%,預計2025年可達340億美元。根據(jù)Gartner統(tǒng)計,2020年ALD設(shè)備市場規(guī)模約占薄膜沉積設(shè)備的11%,SEMI預測,受益于半導體先進制程產(chǎn)線數(shù)量增加,2020年至2025年全球ALD設(shè)備銷售額CAGR將達到26.3%,遠高于PVD和PECVD設(shè)備的增速,市場前景可觀。
  半導體ALD設(shè)備市場由海外廠商高度壟斷。2020年,我國薄膜沉積設(shè)備國產(chǎn)化率為8%,雖然較2016年的5%有所提升,但總體水平尤其是中高端設(shè)備的國產(chǎn)占比仍然較低。
  在國際市場,ASMI、TEL、Lam、AMAT等知名半導體廠商均提供ALD設(shè)備,其中ASMI為全球ALD設(shè)備市場龍頭企業(yè),公司在ALD技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)深耕,通過跨國并購拓展并鞏固了ALD業(yè)務(wù),2020年ALD設(shè)備銷售額市占率高達55%。在國內(nèi)市場,經(jīng)營薄膜沉積設(shè)備業(yè)務(wù)的公司主要包括拓荊科技、微導納米、中微公司、盛美上海、北方華創(chuàng),目前具備半導體ALD技術(shù)產(chǎn)業(yè)化能力的企業(yè)仍然較少。建議關(guān)注在ALD設(shè)備領(lǐng)域取得較大進展的拓荊科技、微導納米。
  拓荊科技:PEALD產(chǎn)品在邏輯芯片領(lǐng)域已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,在3DNANDFLASH、DRAM領(lǐng)域驗證進展順利,ALD反應(yīng)腔通過現(xiàn)有客戶驗收;TALD設(shè)備已取得客戶訂單。
  微導納米:TALD產(chǎn)品在邏輯芯片High-K柵介質(zhì)層領(lǐng)域已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用;TALD和PEALD設(shè)備在新型存儲芯片的電容介質(zhì)層、化合物半導體、量子器件的超導材料導電層等領(lǐng)域已與客戶簽署訂單。
  風險分析:下游晶圓廠擴產(chǎn)不及預期、產(chǎn)業(yè)化驗證進展不及預期。
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