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刻蝕設(shè)備市場(chǎng)空間廣闊/競(jìng)爭(zhēng)集中度高/壁壘高，中微公司作為國(guó)內(nèi)龍頭承擔(dān)了關(guān)鍵刻蝕設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代的重任，近期日本設(shè)備出口限制落地以及“美光審查”事件進(jìn)一步凸顯了中微公司刻蝕設(shè)備重要性，我們認(rèn)為，公司以刻蝕設(shè)備為基，薄膜設(shè)備為矛，有望效仿AMAT/LAM成長(zhǎng)之路成為半導(dǎo)體設(shè)備平臺(tái)化龍頭。
　　大馬士革與極高深寬比刻蝕為“去J化”趨勢(shì)和“美光審查”事件重點(diǎn)關(guān)注設(shè)備，中微公司有望實(shí)現(xiàn)突破。
　　大馬士革刻蝕是邏輯芯片生產(chǎn)中的關(guān)鍵技術(shù)，在28納米及以下的邏輯器件生產(chǎn)工藝中，一體化大馬士革刻蝕工藝，需要一次完成通孔和溝槽的刻蝕，是技術(shù)要求最高、市場(chǎng)占有率最大的刻蝕工藝之一，日本TEL（東京電子）在該款產(chǎn)品寡頭壟斷，中微公司大馬士革刻蝕解決方案市場(chǎng)反饋良好，近期日本政府宣布新增對(duì)23款半導(dǎo)體設(shè)備的出口管制政策，大馬士革刻蝕設(shè)備“去J化”進(jìn)程有望提速；此外，極高深寬比刻蝕是3DNAND存儲(chǔ)中最為困難和關(guān)鍵的工藝，該工藝要求在多種膜結(jié)構(gòu)上，刻蝕出極高深寬比（>40:1）的深孔/深槽，美日設(shè)備寡頭壟斷該市場(chǎng)，中微公司進(jìn)展良好，XD-RIE系列產(chǎn)品已具備60:1的細(xì)孔刻蝕潛力，對(duì)于國(guó)內(nèi)3DNAND產(chǎn)線(xiàn)在128層及以上的設(shè)備國(guó)產(chǎn)化意義重大，近期“美光審查”事件有望進(jìn)一步推動(dòng)存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化，中微公司重要性凸顯。
　　LPCVD/ALD/EPI等新設(shè)備進(jìn)展順利，MOCVD設(shè)備優(yōu)勢(shì)凸顯靜待市場(chǎng)回暖。薄膜沉積和刻蝕分屬半導(dǎo)體前道設(shè)備兩大核心環(huán)節(jié)，均為腔體中的化學(xué)工藝，中微公司正進(jìn)一步開(kāi)發(fā)LPCVD、EPI和ALD產(chǎn)品，提升高端關(guān)鍵制程的覆蓋率，完善工藝整合方案。CVD/ALD設(shè)備方面：2022年公司首臺(tái)CVD鎢設(shè)備付運(yùn)到關(guān)鍵存儲(chǔ)客戶(hù)端驗(yàn)證評(píng)估，同時(shí)公司在和更多邏輯和存儲(chǔ)客戶(hù)對(duì)接CVD鎢設(shè)備的驗(yàn)證，在金屬鎢CVD設(shè)備的基礎(chǔ)上，公司正在進(jìn)一步開(kāi)發(fā)新型號(hào)CVD鎢和ALD鎢設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)更高深寬比結(jié)構(gòu)的材料填充，目前已開(kāi)始實(shí)驗(yàn)室測(cè)試同時(shí)和關(guān)鍵客戶(hù)開(kāi)始對(duì)接驗(yàn)證，此外，公司開(kāi)發(fā)的應(yīng)用于高端存儲(chǔ)和邏輯器件的ALD氮化鈦設(shè)備也在穩(wěn)步推進(jìn)，已經(jīng)進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室測(cè)試階段；EPI設(shè)備方面，公司已完成研發(fā)團(tuán)隊(duì)組建并進(jìn)入樣機(jī)的設(shè)計(jì)、制造和調(diào)試階段。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2022年LPCVD/ALD/EPI/MOCVD設(shè)備全球市場(chǎng)空間合計(jì)73億美元，約占據(jù)薄膜設(shè)備32%的市場(chǎng)空間，公司通過(guò)內(nèi)生研發(fā)快速實(shí)現(xiàn)平臺(tái)化拓張。
　　外延控股上海睿勵(lì)/參股拓荊科技，隨AMAT/LAM發(fā)展之路成就平臺(tái)化龍頭。中微公司通過(guò)參股拓荊科技進(jìn)一步提升在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域的布局，同時(shí)在2022年對(duì)上海睿勵(lì)進(jìn)一步增資，睿勵(lì)自研12英寸光學(xué)測(cè)量設(shè)備TFX3000系列產(chǎn)品已應(yīng)用在65/55/40/28納米芯片生產(chǎn)線(xiàn)并在進(jìn)行了14納米工藝驗(yàn)證，在3D存儲(chǔ)芯片產(chǎn)線(xiàn)支持64層3DNAND芯片的生產(chǎn)，并正在驗(yàn)證96層3DNAND芯片的測(cè)量性能。短期來(lái)看，“去J化”趨勢(shì)以及“美光審查”事件驅(qū)動(dòng)公司成為焦點(diǎn)，中微公司在高壁壘的大賽道重要性凸顯，中長(zhǎng)期來(lái)看，經(jīng)過(guò)復(fù)盤(pán)AMAT、LAM兩家龍頭公司的成長(zhǎng)史，AMAT以薄膜沉積工藝起家隨后向刻蝕等工藝拓張構(gòu)筑平臺(tái)化壁壘；LAM以刻蝕工藝起家隨后向薄膜沉積等領(lǐng)域進(jìn)軍打開(kāi)成長(zhǎng)天花板，均在發(fā)展早期成功卡位核心高壁壘大賽道，同時(shí)兩家龍頭公司均有豐富的外延并購(gòu)史，這與中微公司的戰(zhàn)略規(guī)劃/發(fā)展趨勢(shì)異曲同工。
　　盈利預(yù)測(cè)與估值
　　公司立足刻蝕設(shè)備，內(nèi)生外延高效推進(jìn)半導(dǎo)體關(guān)鍵制程設(shè)備平臺(tái)化，日荷限制落地+存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程提速背景下，有望受益于設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率提升快速成長(zhǎng)，穩(wěn)健預(yù)計(jì)公司未來(lái)三年?duì)I收分別為63.13/81.85/105.50億元，同比增長(zhǎng)33.19%/29.65%/28.89%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)14.74/18.56/24.06億元，同比增長(zhǎng)25.96%/25.97%/29.61%，對(duì)應(yīng)2023-2025年P(guān)E分別為69/55/42倍。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：海外制裁加??；國(guó)內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度不及預(yù)期；國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)展不及預(yù)期；關(guān)鍵設(shè)備零部件耗材斷供風(fēng)險(xiǎn)。