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核心觀點(diǎn)
　　2022年公司營(yíng)收同比增長(zhǎng)52.5%，扣非歸母凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)183.44%。公司2022營(yíng)收47.40億元(YoY +52.50%)，歸母凈利潤(rùn)11.70億元(YoY +15.66%)，扣非后歸母凈利潤(rùn)9.19億元(YoY +183.44%)，2022年新簽訂單63.20億元，同比增長(zhǎng)53.03%。公司整體毛利率小幅提升2.38pct至45.74%，期間費(fèi)用率同比下滑3.4pct，其中銷售費(fèi)用率、管理費(fèi)用率、財(cái)務(wù)費(fèi)用率分別同比下降0.91pct、1.54pct、0.91pct，研發(fā)費(fèi)用率基本持平，保持12.8%，2022年非經(jīng)損益同比減少約4.37億元，其中計(jì)入非經(jīng)常性損益的政府補(bǔ)助減少約1.65億元，公允價(jià)值變動(dòng)收益和處置收益減少約3.42億元。
　　刻蝕技術(shù)突破加快滲透率提升，新廠竣工保證產(chǎn)能。公司在60：1的極高深寬比工藝研發(fā)已取得一定進(jìn)展，ICP在國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)客戶工藝驗(yàn)證順利，滲透率有望迅速上升，大馬士革工藝突破在即，邏輯端占比有望快速提高，截至2022年底，公司已有超過3311個(gè)反應(yīng)臺(tái)在客戶106條芯片生產(chǎn)線全面量產(chǎn)。公司年報(bào)目標(biāo)未來在國(guó)內(nèi)先進(jìn)logic生產(chǎn)線上CCP滲透率將提升至60%，ICP將提升至75%，在國(guó)內(nèi)先進(jìn)存儲(chǔ)線上CCP提升至85%，ICP提升至75%，南昌、臨港產(chǎn)線均已完工提供產(chǎn)能保證，預(yù)計(jì)中微2023年廠房面積將達(dá)到34.8萬平方米，2024年將達(dá)到45.3萬平方米，廠房面積將擴(kuò)大超過15倍。
　　設(shè)備新品研發(fā)驗(yàn)證順利，23年有望提供業(yè)績(jī)新增長(zhǎng)點(diǎn)。公司ICP、CCP新型刻蝕設(shè)備在客戶研發(fā)線上驗(yàn)證順利，逐步導(dǎo)入客戶端生產(chǎn)線；薄膜沉積設(shè)備中用于先進(jìn)邏輯器件和3DNAND產(chǎn)線中金屬鎢沉積的LPCVD已在國(guó)內(nèi)知名先進(jìn)存儲(chǔ)廠驗(yàn)證進(jìn)度良好，用于金屬沉積的ALD設(shè)備、用于滿足客戶先進(jìn)制程中鍺硅外延生長(zhǎng)工藝的EPI設(shè)備以及制造Micro-LED器件的MOCVD設(shè)備研發(fā)順利，已進(jìn)入樣機(jī)的制造和調(diào)試階段，預(yù)計(jì)將于2023年中陸續(xù)推出。
　　日本限制設(shè)備出口，TEL占比預(yù)期下降，刻蝕設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)一步加速。近期日本表示將限制23種半導(dǎo)體制造設(shè)備出口，包括清洗、沉積、光刻和刻蝕等環(huán)節(jié)，限制從7月生效?？涛g環(huán)節(jié)巨頭TEL在產(chǎn)線占比較高，2021年全球市占率為28%，日本設(shè)備出口受限將會(huì)進(jìn)一步提升國(guó)產(chǎn)替代的需求。作為國(guó)內(nèi)刻蝕龍頭的中微產(chǎn)品性能一直對(duì)標(biāo)LAM、TEL，繼續(xù)受益于國(guó)產(chǎn)替代加速。
　　投資建議：晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)提升設(shè)備需求，貿(mào)易摩擦加快國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程，結(jié)合公司年報(bào)，我們將公司23-25年歸母凈利潤(rùn)預(yù)期調(diào)整為13.91/17.52/21.06億元（前值23-24年15.59/19.22億元），同比增速為18.9%/26.0%/20.2%，對(duì)應(yīng)PE為72.6/57.6/48.0倍，維持“買入”評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：新業(yè)務(wù)開拓不及預(yù)期；需求不及預(yù)期；貿(mào)易摩擦加劇等。