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AI應(yīng)用帶動(dòng)算力需求增長(zhǎng)，存力匹配需求急劇上升。隨著人工智能、云計(jì)算等技術(shù)的迅速發(fā)展，人工智能訓(xùn)練任務(wù)對(duì)計(jì)算機(jī)芯片算力的要求正呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，速度為每3.5個(gè)月翻一番，因此算力需求增長(zhǎng)帶來的存力需求也將持續(xù)帶動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)，據(jù)Gartner預(yù)測(cè)，2025年全球NANDFlash市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到931.9億美元，CAGR2020-2025為11.78%；據(jù)Trend Force預(yù)測(cè)，2025年DRAM市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到925億美元，CAGR2020-2025為7.02%。
　　存儲(chǔ)行業(yè)周期拐點(diǎn)已至，下一輪上漲周期或?qū)⒌絹?。集邦咨詢表示，部分供?yīng)商如美光科技、SK海力士已經(jīng)啟動(dòng)DRAM減產(chǎn)，庫存即將達(dá)到峰值，預(yù)估2023年第二季度DRAM價(jià)格跌幅將收斂至10%~15%，預(yù)期供需平衡將逐步改善，內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)將度過最艱難時(shí)期。
　　算力存力發(fā)展不匹配，先進(jìn)封裝技術(shù)或?qū)⒊蔀殛P(guān)鍵解決方案。在過去20多年里，存力發(fā)展速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于算力發(fā)展速度一直是制約半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一大因素，先進(jìn)的封裝技術(shù)如晶圓級(jí)封裝（WLP）、三維封裝（3DP）和系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）能夠突破內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，大幅提高數(shù)據(jù)傳輸速率，其代表產(chǎn)品HBM（高帶寬內(nèi)存）也被視為新一代的DRAM解決方案，受到了密切關(guān)注。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021年全球先進(jìn)封裝技術(shù)市場(chǎng)規(guī)模為350億美元，預(yù)計(jì)2025年將達(dá)到420億美元，CAGR2021-2025為4.66%。從晶圓數(shù)量來看，2019年約2900萬片晶圓采用先進(jìn)封裝技術(shù)，Yole和集微咨詢預(yù)計(jì)，這一數(shù)值將在2025年達(dá)到4300萬片，CAGR2019-2025為6.79%。
　　建議關(guān)注：深科技、長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技、甬矽電子、晶方科技等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：
　　1）半導(dǎo)體下游需求不及預(yù)期；
　　2）技術(shù)發(fā)展不及預(yù)期；
　　3）行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇。