>> 華西證券-中微公司(688012)營(yíng)收加速增長(zhǎng)，前路依然寬廣-230411
| 上傳日期： |
2023/4/12 |
大小： |
2505KB |
| 格式： |
pdf 共37頁(yè) |
來源： |
華西證券 |
| 評(píng)級(jí)： |
買入 |
作者： |
劉奕司,王秀鋼 |
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主要觀點(diǎn):
中微公司作為國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備頭部企業(yè)，2022年?duì)I收增長(zhǎng)52.50%，繼續(xù)保持近兩年?duì)I收的加速增長(zhǎng)，我們認(rèn)為公司仍有充足的市場(chǎng)空間和技術(shù)實(shí)力持續(xù)增長(zhǎng)。
半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率持續(xù)提升，核心設(shè)備需求將繼續(xù)增長(zhǎng)
根據(jù)芯謀研究數(shù)據(jù)顯示，2022年國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額約43億美元左右，國(guó)產(chǎn)化率首次突破10%，達(dá)到12%。預(yù)計(jì)2023年國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將達(dá)到62億美元，國(guó)產(chǎn)化率約16%。我們認(rèn)為中微公司刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備作為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的核心設(shè)備，將充分受益于設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程。
刻蝕設(shè)備國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，存儲(chǔ)等技術(shù)迭代刺激需求放量
根據(jù)公司年報(bào)，刻蝕設(shè)備在前道設(shè)備中增速和價(jià)值量都位居頭位，公司CCP設(shè)備2022年生產(chǎn)交付量增速超五成。相關(guān)文獻(xiàn)顯示，刻蝕設(shè)備在3D存儲(chǔ)、先進(jìn)制程、先進(jìn)封裝中都有非常重要的作用，尤其在3D存儲(chǔ)領(lǐng)域，隨著層數(shù)增加，刻蝕設(shè)備需求量不斷提升，根據(jù)International business strategies數(shù)據(jù)顯示，3D存儲(chǔ)將快速取代2D存儲(chǔ)。我們認(rèn)為隨著存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)和3D存儲(chǔ)技術(shù)的升級(jí)迭代，對(duì)刻蝕設(shè)備將會(huì)產(chǎn)生疊加的需求刺激。
MOCVD設(shè)備不斷升級(jí)拓展，薄膜沉積設(shè)備快速突破。
根據(jù)公司年報(bào)，中微累計(jì)付運(yùn)MOCVD設(shè)備超500腔，過去六年年復(fù)合增速超35%，在氮化鎵基MOCVD設(shè)備上國(guó)際領(lǐng)先。MOCVD設(shè)備在五大應(yīng)用領(lǐng)域升級(jí)拓展，所對(duì)應(yīng)的市場(chǎng)如MLED、第三代半導(dǎo)體等均在快速增長(zhǎng)，我們認(rèn)為MOCVD設(shè)備同樣會(huì)迎來持續(xù)的需求增長(zhǎng)。
薄膜沉積設(shè)備18個(gè)月快速突破研發(fā)交付，我們認(rèn)為作為高價(jià)值量的薄膜沉積市場(chǎng)將成為中微公司又一業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)點(diǎn)。
投資建議:
我們認(rèn)為中微公司未來增長(zhǎng)有兩個(gè)核心驅(qū)動(dòng)力，一是設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的趨勢(shì)下，國(guó)產(chǎn)設(shè)備市場(chǎng)需求在增長(zhǎng)，中微公司作為國(guó)產(chǎn)設(shè)備的頭部企業(yè)，提供半導(dǎo)體前道制作的核心產(chǎn)品，有望將重點(diǎn)受益；二是中微公司的核心產(chǎn)品對(duì)應(yīng)著3D存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝、第三代半導(dǎo)體等增長(zhǎng)更塊的領(lǐng)域，市場(chǎng)需求端傳導(dǎo)的增量也是未來增長(zhǎng)的強(qiáng)大助力，公司也在積極布局用于存儲(chǔ)等應(yīng)用的技術(shù)升級(jí)。公司所對(duì)應(yīng)市場(chǎng)空間依然十分充足，有望保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。
1.刻蝕設(shè)備
根據(jù)公司年報(bào)，2022年公司刻蝕設(shè)備銷售量同比增長(zhǎng)達(dá)51.03%，刻蝕設(shè)備在3D存儲(chǔ)和先進(jìn)制程、先進(jìn)封裝中需求量增大，我們認(rèn)為在技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)下未來有明確的需求增量。根據(jù)中微公司的信息，目前其刻蝕設(shè)備在國(guó)內(nèi)先進(jìn)的存儲(chǔ)、邏輯產(chǎn)線中占比仍有較大提升空間?？涛g設(shè)備在半導(dǎo)體前道設(shè)備中價(jià)值量和增速處于頭位，我們認(rèn)為中微公司刻蝕設(shè)備因需求增速快、市場(chǎng)空間大、設(shè)備重要性高三大支撐，在未來仍將保持強(qiáng)勁的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。
2.MOCVD設(shè)備
根據(jù)公司年報(bào)，氮化鎵基MOCVD設(shè)備國(guó)際領(lǐng)先，中微公司MOCVD基于五大應(yīng)用領(lǐng)域不同升級(jí)與拓展相應(yīng)產(chǎn)品。MOCVD對(duì)應(yīng)的MLED與化合物半導(dǎo)體外延等市場(chǎng)投資增長(zhǎng)快，公司在這些領(lǐng)域均有布局，我們認(rèn)為作為中微公司另一核心產(chǎn)品，MOCVD同樣會(huì)借助下游應(yīng)用需求的快速增長(zhǎng)和設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率的提升，實(shí)現(xiàn)保持長(zhǎng)期的增長(zhǎng)勢(shì)頭。
3.薄膜沉積設(shè)備
根據(jù)公司年報(bào)，薄膜沉積設(shè)備與刻蝕設(shè)備占據(jù)半導(dǎo)體前道設(shè)備價(jià)值量和增速的前兩位。公司僅用18個(gè)月快速研發(fā)突破WCVD設(shè)備，我們認(rèn)為薄膜沉積設(shè)備廣闊的市場(chǎng)空間和中微公司在客戶的口碑，薄膜沉積設(shè)備有望成為中微公司未來重要的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)點(diǎn)。
考慮到公司持續(xù)的高速增長(zhǎng)與充足的市場(chǎng)空間，我們上調(diào)公司2023年?duì)I收56.82億元的預(yù)測(cè)至61.62億元，上調(diào)2023年EPS1.51元的預(yù)測(cè)至2.29元。預(yù)計(jì)公司2024年-2025年分別實(shí)現(xiàn)收入為80.10億元和100.13億元，分別實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)為18.20億元和22.05億元，對(duì)應(yīng)EPS分別為2.95元和3.58元，對(duì)應(yīng)2023年4月10日收盤價(jià)175.08元/股，2023年-2025年P(guān)E分別為77倍、59倍、49倍，維持公司“買入”評(píng)級(jí)。
風(fēng)險(xiǎn)提示
國(guó)際貿(mào)易摩擦加??；下游需求不及預(yù)期；公司技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期；行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加?。话雽?dǎo)體行業(yè)周期性波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)。
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