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維持增持評(píng)級(jí)。5月23日，日本產(chǎn)經(jīng)省公布出口貿(mào)易管理修正案，將先進(jìn)芯片制造設(shè)備等23個(gè)品類追加列入出口管理的管制對(duì)象，該法案預(yù)計(jì)將在7月23日實(shí)行。繼美國(guó)對(duì)國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程管制后，日本跟進(jìn)，倒逼國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程設(shè)備加速國(guó)產(chǎn)化。量檢測(cè)環(huán)節(jié)推薦精測(cè)電子；CMP環(huán)節(jié)推薦華海清科；清洗環(huán)節(jié)受益標(biāo)的盛美上海；薄膜環(huán)節(jié)受益標(biāo)的拓荊科技。
　　日本對(duì)華高端裝備出口管制正式落地。早在3月31日，日本產(chǎn)經(jīng)省就出臺(tái)了該法案征求意見稿，而今正式以法規(guī)形式落地。該項(xiàng)出口管制涉及的項(xiàng)目包括：1）清洗設(shè)備（3項(xiàng)）：干燥法清洗/單片濕法清洗等；2）薄膜沉積設(shè)備（11項(xiàng)）：用于EUV設(shè)備設(shè)計(jì)的薄膜制造設(shè)備/電鍍沉積/化學(xué)氣相沉積等；3）熱處理設(shè)備（1項(xiàng)）：＜0.01帕斯卡的真空熱處理設(shè)備；4）光刻設(shè)備（4項(xiàng)）：光源波長(zhǎng)大于193nm的步進(jìn)光刻機(jī)/涂膠顯影機(jī)等；5）刻蝕設(shè)備（3項(xiàng)）：干、濕法刻蝕/各向異性刻蝕；6）測(cè)試設(shè)備（1項(xiàng)）：EUV掩膜版檢測(cè)，其中涉及到的EUV相關(guān)設(shè)備和3D nand蝕刻設(shè)備是10-14nm必備設(shè)備。
　　日本半導(dǎo)體先進(jìn)制程設(shè)備出口管制落地，打開國(guó)產(chǎn)設(shè)備成長(zhǎng)空間。日本半導(dǎo)體年對(duì)華出口額達(dá)100億美元，中國(guó)占其出口的1/4。本次出口管制的落地有望加快國(guó)產(chǎn)高端半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。
　　催化劑：政策支持力度進(jìn)一步加大、國(guó)產(chǎn)廠商產(chǎn)品驗(yàn)證進(jìn)度加速。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游晶圓廠資本開支不及預(yù)期、國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程不及預(yù)期。