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事件：根據(jù)天眼查信息，長(zhǎng)光華芯全資子公司蘇州長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司通過(guò)公開(kāi)增資的方式對(duì)中久大光進(jìn)行投資，5月29日完成增資工商變更，投資持股比例1%。
　　公司和中久大光戰(zhàn)略合作，特殊科研領(lǐng)域長(zhǎng)遠(yuǎn)布局。中久大光作為九院八所及中國(guó)久遠(yuǎn)激光技術(shù)成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化的依托平臺(tái)，公司主要經(jīng)營(yíng)業(yè)務(wù)為：光纖激光設(shè)備、光纖激光器等產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，提供安防科研和高端加工應(yīng)用激光光源和解決方案。長(zhǎng)光華芯與特殊科研領(lǐng)域行業(yè)龍頭中久大光達(dá)成深度戰(zhàn)略合作關(guān)系，意味著未來(lái)雙方有望聯(lián)合布局，拓展自身在特殊科研領(lǐng)域的研發(fā)和制造的能力。
　　 56GPAM4 EML芯片發(fā)布，進(jìn)軍高端光通信市場(chǎng)。公司最早于2010年開(kāi)始布局InP激光芯片，建立的InP平臺(tái)、產(chǎn)線，屆時(shí)已具備2.5GFP量產(chǎn)能力。2020年，公司開(kāi)始研發(fā)10GAPD和L波段高功率EML芯片。目前兩款產(chǎn)品已與下游客戶進(jìn)行驗(yàn)證，驗(yàn)證順利。公司于5月18日發(fā)布單波100Gbps(56Gbaud四電平脈沖幅度調(diào)制(PAM4))電吸收調(diào)制器激光二極管(EML)芯片，支持四個(gè)波長(zhǎng)的粗波分復(fù)用(CWDM)，達(dá)到了使用4顆芯片實(shí)現(xiàn)400Gbps傳輸速率，或8顆芯片實(shí)現(xiàn)800Gbps傳輸速率目標(biāo)。此次56GPAM4 EML芯片的發(fā)布，意味著公司進(jìn)入光芯片高端市場(chǎng)，開(kāi)啟廣闊增長(zhǎng)空間。
　　 IDM廠商橫縱向擴(kuò)張，長(zhǎng)期看競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)顯著。激光器芯片核心在制造和工藝上，其中設(shè)計(jì)占價(jià)值量20%，生產(chǎn)制造占80%。公司作為IDM廠商已建成3+6寸激光芯片量產(chǎn)線，具備晶圓工藝、化合物半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)和芯片層面的激光光學(xué)加工三層工藝，掌握外延生長(zhǎng)技術(shù)、FAB晶圓工藝、腔面鈍化技術(shù)、高亮度合束（光學(xué)耦合技術(shù)）四大核心技術(shù)。其中關(guān)鍵工藝相關(guān)的設(shè)備自己設(shè)計(jì)制造，與工藝高度綁定。憑借IDM技術(shù)優(yōu)勢(shì)，公司一方面更好地理解客戶需求，使生產(chǎn)更具彈性，生產(chǎn)效率更高；另一方面，IDM模式利于公司在下游客戶的引領(lǐng)下完成產(chǎn)品和技術(shù)的快速迭代。此外，公司基于GaAs材料體系向InP和GaN延伸，豐富產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，戰(zhàn)略布局光通訊EML、激光雷達(dá)VCSEL、可見(jiàn)光激光（藍(lán)、綠光）等產(chǎn)品。
　　投資建議：考慮到公司在光通信和特殊科研領(lǐng)域的橫向擴(kuò)張，預(yù)計(jì)公司23-25年歸母凈利潤(rùn)為1.70/3.27/4.73億元，對(duì)應(yīng)現(xiàn)價(jià)PE為77/40/28倍，公司為激光芯片國(guó)產(chǎn)化龍頭，且不斷開(kāi)拓下游應(yīng)用領(lǐng)域，維持“推薦”評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游工業(yè)芯片需求波動(dòng)，客戶驗(yàn)證不及預(yù)期。