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投資要點(diǎn)：
　　國內(nèi)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備龍頭，高研發(fā)投入持續(xù)加強(qiáng)壁壘。公司以CCP刻蝕設(shè)備起家，后逐步研發(fā)推出MOCVD設(shè)備、ICP刻蝕設(shè)備等產(chǎn)品，當(dāng)前刻蝕設(shè)備已實(shí)現(xiàn)5nm工藝節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)。公司合同負(fù)債及存貨規(guī)模近2年均大幅擴(kuò)張，在手訂單充足。2022年公司合計(jì)研發(fā)投入營(yíng)收占比19.6%顯著超越行業(yè)平均，研發(fā)人員占比超4成，近4年3輪全員股票激勵(lì)計(jì)劃保證團(tuán)隊(duì)穩(wěn)定性與積極性。
　　刻蝕設(shè)備市場(chǎng)空間巨大，中微ICP設(shè)備快速放量進(jìn)一步鞏固龍頭地位。2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)中刻蝕設(shè)備占比約為22%，是占比最高的設(shè)備環(huán)節(jié)，其中CCP與ICP刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模相近；伴隨先進(jìn)制程采用多重曝光技術(shù)、存儲(chǔ)器逐步轉(zhuǎn)向3D結(jié)構(gòu)，集成電路制造對(duì)刻蝕設(shè)備數(shù)量及性能需求大幅提升。中微公司CCP刻蝕設(shè)備在國內(nèi)廠商中市占率大幅領(lǐng)先，ICP刻蝕設(shè)備核心產(chǎn)品2022年出貨量為297臺(tái)，同比增長(zhǎng)77%，較2020年增長(zhǎng)461%，市占率有望追趕中微CCP設(shè)備。
　　推進(jìn)極高深寬比、大馬士革刻蝕工藝研發(fā)，開拓薄膜沉積設(shè)備新領(lǐng)域。公司已完成60:1深寬比刻蝕設(shè)備研發(fā)，新機(jī)型已獲得下游客戶認(rèn)可，預(yù)計(jì)將盡快投入量產(chǎn)，預(yù)將提升存儲(chǔ)等國內(nèi)下游客戶訂單份額；同時(shí)公司將推出一體化大馬士革工藝刻蝕設(shè)備，是刻蝕設(shè)備領(lǐng)域技術(shù)壁壘最高、市場(chǎng)最大的領(lǐng)域之一，此前由日本廠商壟斷；另一方面，公司2Q23發(fā)布LPCVD新產(chǎn)品，后續(xù)預(yù)將推出EPI、ALD設(shè)備，薄膜沉積設(shè)備有望形成新成長(zhǎng)極。
　　 Mini LED、功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)MOCVD設(shè)備再成長(zhǎng)。公司在傳統(tǒng)氮化鎵基LEDMOCVD設(shè)備領(lǐng)域保持全球市占率遙遙領(lǐng)先，2021年研發(fā)量產(chǎn)mini LEDMOCVD顯著受益下游行業(yè)整體成長(zhǎng)，2022年研發(fā)硅基氮化鎵功率器件MOCVD切入功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。后續(xù)將進(jìn)一步推出micro LEDMOCVD、碳化硅外延相關(guān)設(shè)備，享受下游高端顯示、功率器件領(lǐng)域高成長(zhǎng)紅利。
　　投資分析意見：首次覆蓋給予公司“買入”評(píng)級(jí)。預(yù)計(jì)公司2023-2025年?duì)I業(yè)收入分別為63.2、82.4、103.5億元，同比增速分別為33.3%、30.4%、25.6%，對(duì)應(yīng)動(dòng)態(tài)PS分別為17、13、10倍。采用動(dòng)態(tài)PS相對(duì)估值法，給予公司2023年動(dòng)態(tài)PS 22倍，較2023年6月19日收盤價(jià)上漲空間30.7%，首次覆蓋給予“買入”評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模及節(jié)奏不及預(yù)期；公司技術(shù)突破進(jìn)展不及預(yù)期；國際貿(mào)易摩擦升溫。