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事件概述：
　　公司發(fā)布23Q1季報(bào)，單季收入12.23億元，YoY+29%；歸母凈利為2.75億元，YoY+135%——主要系22Q1公司有較大的負(fù)投資收益、基數(shù)較低；扣非凈利在2.28億元，YoY+22%。23Q1主要非經(jīng)項(xiàng)目為政府補(bǔ)助0.37億元。
　　23Q1毛利率為45.87%，YoY+0.4pcts；扣非凈利率為18.64%，YoY-0.96pcts——主要系22Q1公司利息收入較多。
　　刻蝕設(shè)備市占率不斷提高，MOCVD快速放量
　　23Q1公司刻蝕設(shè)備市占率不斷提升，單季收入為8.14億元，YoY+14%，營(yíng)收比重因MOCVD高增從22Q1的75%降至67%。公司MOCVD設(shè)備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)持續(xù)鞏固，單季實(shí)現(xiàn)收入1.67億元，YoY+300%，營(yíng)收占比從22Q1的4%提升至14%。
　　 CCP和ICP工藝齊升級(jí)，先進(jìn)邏輯&3DNAND空間進(jìn)一步打開
　　1）CCP：已進(jìn)入2D和3D存儲(chǔ)產(chǎn)線。大馬士革（28nm及以下邏輯）和高深寬比（存儲(chǔ)）工藝攻關(guān)，取得良好進(jìn)展。中微2021年進(jìn)行60:1高深比設(shè)備研發(fā)，有望在未來(lái)存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)中發(fā)揮至關(guān)重要作用。2）ICP：工藝覆蓋超100個(gè)環(huán)節(jié)，在先進(jìn)封裝、2.5D封裝和MCU領(lǐng)域獲得批量重復(fù)訂單。2022年公司在單臺(tái)機(jī)Nanov SE的基礎(chǔ)上，推出高深寬比結(jié)構(gòu)刻蝕的Nanova VE和高均勻性刻蝕的Nanova UE兩種ICP設(shè)備，豐富了ICP產(chǎn)品種類。
　　內(nèi)升+外延打造高端裝備平臺(tái)企業(yè)
　　1）內(nèi)升：公司開發(fā)的鎢CVD具備優(yōu)秀的階梯覆蓋率和填充能力，能夠滿足先進(jìn)邏輯器件、64/128層3DNAND中多個(gè)關(guān)鍵應(yīng)用，正在開發(fā)的ALD鎢設(shè)備，已和關(guān)鍵客戶開始對(duì)接驗(yàn)證，用于高端存儲(chǔ)和邏輯器件的ALD氮化鈦設(shè)備也在穩(wěn)步推進(jìn)，進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室測(cè)試階段。此外，公司正籌劃更先進(jìn)制程的薄膜設(shè)備。2）外延：2022年公司對(duì)睿勵(lì)增資1.08億元，并0.43億元受讓睿勵(lì)老股東股權(quán)。睿勵(lì)12寸量測(cè)已進(jìn)入至28nm及以上制程產(chǎn)線，14nm驗(yàn)證中，并支持64層3DNAND生產(chǎn)、96層工藝驗(yàn)證中。
　　投資建議
　　我們維持公司2023/24/25年歸母凈利預(yù)測(cè)為14/18/22億元不變，對(duì)應(yīng)PE為81/62/50倍，考慮到公司作為國(guó)內(nèi)刻蝕、MOCVD設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)之一，技術(shù)實(shí)力國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，維持“買入”評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　行業(yè)景氣不及預(yù)期，研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期，客戶處產(chǎn)品驗(yàn)證不及預(yù)期。