>> 光大證券-AI行業(yè)跟蹤報(bào)告之十七：存力，AI驅(qū)動(dòng)HBM高速成長(zhǎng)，存儲(chǔ)周期拐點(diǎn)關(guān)注萬(wàn)潤(rùn)科技香農(nóng)芯創(chuàng)-230627
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2023/6/27 |
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光大證券 |
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作者： |
劉凱 |
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一、AI驅(qū)動(dòng)HBM市場(chǎng)高速成長(zhǎng)
根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，2023年ChatGPT等生成式AI應(yīng)用帶動(dòng)AI服務(wù)器成長(zhǎng)熱潮，又以大型云端業(yè)者最積極投入，包含Microsoft、Google、AWS或其他中系業(yè)者如Baidu、ByteDance等陸續(xù)采購(gòu)高端AI服務(wù)器，以持續(xù)訓(xùn)練及優(yōu)化其AI分析模型。高端AI服務(wù)器需采用的高端AI芯片，將推升2023-2024年高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的需求，并將驅(qū)動(dòng)先進(jìn)封裝產(chǎn)能2024年成長(zhǎng)3-4成。
HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）是一款新型的CPU/GPU內(nèi)存芯片，其實(shí)就是將多個(gè)DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量和高位寬的DDR組合陣列。
TrendForce集邦咨詢指出，為提升整體AI服務(wù)器的系統(tǒng)運(yùn)算效能，以及存儲(chǔ)器傳輸帶寬等，NVIDIA、AMD、Intel等高端AI芯片中大多選擇搭載HBM。目前NVIDIA的A100及H100，各搭載達(dá)80GB的HBM2e及HBM3，在其最新整合CPU及GPU的Grace Hopper芯片中，單顆芯片HBM搭載容量再提升20%，達(dá)96GB。另外，AMD的MI300也搭配HBM3，其中，MI300A容量與前一代相同為128GB，更高端MI300X則達(dá)192GB，提升了50%。同時(shí)預(yù)期Google將于2023年下半年積極擴(kuò)大與Broadcom合作開(kāi)發(fā)AISCAI加速芯片TPU亦采搭載HBM存儲(chǔ)器，以擴(kuò)建AI基礎(chǔ)設(shè)施。
TrendForce集邦咨詢預(yù)估，2023年市場(chǎng)上主要搭載HBM的AI加速芯片(如NVIDIA的H100及A100、AMD的MI200及MI300及Google的TPU等），搭載HBM總?cè)萘繉⑦_(dá)2.9億GB，成長(zhǎng)率近6成，2024年將持續(xù)成長(zhǎng)3成以上。
此外，AI及HPC等芯片對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的需求日益提升，其中，以TSMC的CoWoS為目前AI服務(wù)器芯片主力采用者。CoWoS封裝技術(shù)主要分為CoW和oS兩段，其中，CoW主要整合各種Logic IC（如CPU、GPU、AISC等）及HBM存儲(chǔ)器等，另外，oS部分則將上述CoW以凸塊（Solder Bump）等接合，封裝在基板上，最后再整合到PCBA，成為服務(wù)器主機(jī)板的主要運(yùn)算單元，與其他零部件如網(wǎng)絡(luò)、儲(chǔ)存、電源供應(yīng)單元(PSU)及其他I/O等組成完整的AI服務(wù)器系統(tǒng)。
TrendForce集邦咨詢觀察，估計(jì)在高端AI芯片及HBM強(qiáng)烈需求下，TSMC于2023年底CoWoS月產(chǎn)能有望達(dá)12K，其中NVIDIA在A100及H100等相關(guān)AIServer需求帶動(dòng)下，對(duì)CoWoS產(chǎn)能較年初需求量，估提升近5成，加上AMD、Google等高端AI芯片需求成長(zhǎng)下，將使下半年CoWoS產(chǎn)能較為緊迫，而此強(qiáng)勁需求將延續(xù)至2024年，預(yù)估若在相關(guān)設(shè)備齊備下，先進(jìn)封裝產(chǎn)能將再成長(zhǎng)3-4成。
TrendForce集邦咨詢指出，在AI較急促需求下，無(wú)論是HBM或CoWoS生產(chǎn)過(guò)程中，得后續(xù)觀察周邊配套措施，例如硅通孔封裝技術(shù)（TSV）、中介層電路板（Interposer）以及相關(guān)設(shè)備（如濕制程設(shè)備）等是否能到位，如前置時(shí)間（LeadTime）等考量。而在AI強(qiáng)勁需求持續(xù)下，估NVIDIA針對(duì)CoWoS相關(guān)制程，亦不排除將評(píng)估其他類(lèi)似先進(jìn)封裝外援，例如Amkor或Samsung等，以應(yīng)對(duì)可能供不應(yīng)求的情形。
二、存儲(chǔ)：NANDFlash 2023年第三季度有望止跌上漲
據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，2023年5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后，已見(jiàn)到部分供應(yīng)商開(kāi)始調(diào)高wafer報(bào)價(jià)，對(duì)于中國(guó)市場(chǎng)報(bào)價(jià)均已略高于3~4月成交價(jià)。因此，TrendForce集邦咨詢預(yù)估2023年6月在模組廠啟動(dòng)備貨下，主流容量512Gb NANDFlash wafer有望止跌并小幅反彈，結(jié)束自2022年5月以來(lái)的猛烈跌勢(shì)，預(yù)期2023年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲，漲幅約0~5%，2023年第四季漲幅將再擴(kuò)大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫(kù)存仍待促銷(xiāo)去化，現(xiàn)階段價(jià)格尚未有上漲跡象。
2023年下半年旺季備貨周期將至，盡管2023年需求低迷導(dǎo)致終端出貨持續(xù)下修，市場(chǎng)仍認(rèn)為下半年終端產(chǎn)品出貨量仍會(huì)優(yōu)于上半年，采購(gòu)量有機(jī)會(huì)逐季增加。TrendForce集邦咨詢表示，目前下游模組廠庫(kù)存截至第二季仍偏高，后續(xù)是否會(huì)有策略性備貨需要觀察兩點(diǎn)，一為旺季實(shí)際需求回溫，二是原廠報(bào)價(jià)是否轉(zhuǎn)趨強(qiáng)硬。
相較其他買(mǎi)方，由于中國(guó)模組廠持續(xù)建立低價(jià)庫(kù)存的意愿較強(qiáng)，目前對(duì)于原廠小幅調(diào)漲wafer報(bào)價(jià)的接受度高，故部分容量wafer價(jià)格在中國(guó)市場(chǎng)將會(huì)率先止跌翻漲，若其他市場(chǎng)也出現(xiàn)接受價(jià)格合理調(diào)漲，原廠上調(diào)wafer報(bào)價(jià)的趨勢(shì)將獲得有效支撐，使得買(mǎi)方采購(gòu)策略轉(zhuǎn)趨積極，進(jìn)一步支撐后續(xù)wafer價(jià)格上漲。
據(jù)TrendForce集邦咨詢分析中國(guó)模組廠積極備貨的原因，短期來(lái)看，由于部分廠商計(jì)劃沖刺出貨，故在價(jià)格觸底反彈時(shí)采購(gòu)動(dòng)機(jī)較強(qiáng)。長(zhǎng)期來(lái)看，除了有中國(guó)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的目標(biāo)，各模組廠通過(guò)價(jià)格低點(diǎn)積極提高庫(kù)存，強(qiáng)化成本競(jìng)爭(zhēng)力，均持續(xù)擴(kuò)大wafer的采購(gòu)容量，用來(lái)投入生產(chǎn)Client SSD或UFS、eMMC產(chǎn)品，以爭(zhēng)取一線終端大廠的訂單。
三、存儲(chǔ)行業(yè)投資建議
投資建議：AI驅(qū)動(dòng)HBM行業(yè)快速增長(zhǎng)，存儲(chǔ)行業(yè)拐點(diǎn)將至。
重點(diǎn)關(guān)注：萬(wàn)潤(rùn)科技、香農(nóng)芯創(chuàng)等。
建議關(guān)注：兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯股份、江波龍、佰維存儲(chǔ)、普冉股份、德明利、深科技、瀾起科技、聚辰股份、深南電路、興森科技。
3.1、萬(wàn)潤(rùn)科技
國(guó)資控股的混合所有制上市公司
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