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本報(bào)告導(dǎo)讀：
　　邏輯龍頭廠突破先進(jìn)制程，兩大存儲(chǔ)廠釋放積極信號(hào)，晶圓廠訂單有望逐季度向上，持續(xù)看好半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國(guó)產(chǎn)替代。
　　摘要：
　　邏輯龍頭廠突破先進(jìn)制程，兩大存儲(chǔ)廠釋放積極信號(hào)，晶圓廠訂單有望逐季度向上。根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)，全球晶圓廠的總投資在2023年見(jiàn)底，之后逐年遞增，預(yù)計(jì)2027年總投資金額達(dá)到1681.65億美元，23-27年CAGR為5.4%。而國(guó)內(nèi)之前由于科技制裁以及行業(yè)景氣度低迷的問(wèn)題，晶圓廠新增投資持續(xù)延遲，但目前邏輯龍頭廠先進(jìn)制程逐步突破，DRAM和NAND兩大晶圓存儲(chǔ)廠也在釋放積極信號(hào)，據(jù)中微公告，60：1高深寬比刻蝕設(shè)備已經(jīng)突破，可幫助NAND廠實(shí)現(xiàn)更高層NAND突破。受益于三大廠的積極進(jìn)展，晶圓廠訂單有望開(kāi)始反轉(zhuǎn)，逐季度向上。
　　晶圓廠先進(jìn)制程突破節(jié)奏加速，有助于推進(jìn)半導(dǎo)體材料在先進(jìn)領(lǐng)域的持續(xù)突破。半導(dǎo)體材料各大細(xì)分領(lǐng)域均被國(guó)外企業(yè)壟斷，CMP材料海外前七大公司占90%，掩模版、拋光墊、光刻膠國(guó)產(chǎn)化率均不足10%。1）根據(jù)安集公告，在銅及銅阻擋層拋光液方面，公司緊跟先進(jìn)制程，部分產(chǎn)品在重要客戶端完成驗(yàn)證；在鎢拋光液方面，多款鎢拋光液在邏輯芯片的成熟制程和先進(jìn)制程完成驗(yàn)證，部分客戶開(kāi)啟量產(chǎn)階段；在基于氧化鈰磨料的拋光液方面，公司已經(jīng)實(shí)現(xiàn)在3DNAND先進(jìn)制程中的量產(chǎn)并在逐步上量。2）根據(jù)鼎龍公告，在拋光墊外，公司多線布局多晶硅制程、金屬銅制程、金屬鋁制程、阻擋層制程、金屬鎢制程、介電層制程等CMP拋光液產(chǎn)品，部分產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)規(guī)?；N(xiāo)售，其他制程產(chǎn)品覆蓋全國(guó)多家客戶進(jìn)入關(guān)鍵驗(yàn)證階段。
　　海外存儲(chǔ)三大廠減產(chǎn)確立供給側(cè)周期，Dram/Nand等產(chǎn)品價(jià)格逐步開(kāi)始反彈，拐點(diǎn)有望確立，景氣度的改善有助于推動(dòng)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠的擴(kuò)產(chǎn)。受美光、三星、海力士三大廠的持續(xù)減產(chǎn)效果驅(qū)動(dòng)，原廠庫(kù)存壓力得到釋放，加上制程切換以及新產(chǎn)品切換，令部分存貨成品供不應(yīng)求，整體顆粒和模組價(jià)格均有所反彈。最新部分報(bào)價(jià)延續(xù)漲價(jià)趨勢(shì)，DDR4漲幅明顯，16Gb 3200/16Gb eTT/8Gb 3200/8Gb eTT分別漲至2.55/2.25/1.39/1.15美元，1Tb QLC/1Tb TLC/512Gb TLC/256Gb TLCFlash Wafer最新價(jià)格為3.40/3.67/1.84/1.13美元。
　　邏輯龍頭廠突破先進(jìn)制程，兩大存儲(chǔ)廠釋放積極信號(hào)，晶圓廠訂單有望逐季度向上，持續(xù)看好半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國(guó)產(chǎn)替代。推薦先進(jìn)設(shè)備/材料產(chǎn)業(yè)鏈：拓荊科技、中微公司、芯源微、北方華創(chuàng)；相關(guān)受益公司微導(dǎo)納米、廣鋼氣體、安集科技、鼎龍股份、中科飛測(cè)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示。中美科技摩擦反復(fù)；產(chǎn)品進(jìn)度不及預(yù)期。