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投資要點(diǎn)：
　　9月國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體板塊表現(xiàn)相對(duì)較弱。9月國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體板塊（中信）下跌3.77%，同期滬深300下跌2.01%，半導(dǎo)體板塊（中信）年初至今上漲4.49%；9月費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)下跌6.45%，同期納斯達(dá)克100下跌5.07%，年初至今費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)上漲35.63%。
　　半導(dǎo)體月度銷售額持續(xù)回升，存儲(chǔ)器價(jià)格拐點(diǎn)漸顯。2023年8月全球半導(dǎo)體銷售額同比下降6.8%、環(huán)比增長(zhǎng)1.9%，連續(xù)六個(gè)月實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)；全球前15大芯片廠商中目前有12家23Q2營(yíng)收實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)，大部分前15大芯片廠商對(duì)23Q3營(yíng)收指引有望繼續(xù)實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)；下游需求呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)分化趨勢(shì)，消費(fèi)類需求在逐步復(fù)蘇中，新能源汽車需求相對(duì)較好。全球主要芯片廠商23Q2庫(kù)存水位環(huán)比小幅下降，國(guó)內(nèi)部分芯片廠商23Q2庫(kù)存水位環(huán)比大幅下降，庫(kù)存拐點(diǎn)顯現(xiàn)；晶圓廠產(chǎn)能利用率23Q2觸底回升，產(chǎn)能利用率拐點(diǎn)顯現(xiàn)。2023年9月DRAM現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比小幅上漲，NANDFlash現(xiàn)貨價(jià)格8月已開始環(huán)比上漲，存儲(chǔ)器價(jià)格拐點(diǎn)漸顯。2023年8月日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比下降17.5%，創(chuàng)近四年來最大跌幅；23Q2全球硅片出貨量同比下降10%，環(huán)比增長(zhǎng)2%。綜上所述，半導(dǎo)體周期底部信號(hào)顯現(xiàn)，消費(fèi)類需求在逐步復(fù)蘇中，存儲(chǔ)器價(jià)格拐點(diǎn)漸顯，周期復(fù)蘇或?qū)⒅痢?br>　　投資建議。目前半導(dǎo)體行業(yè)處于下行周期底部區(qū)域，下游需求呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)分化趨勢(shì)，消費(fèi)類需求在逐步復(fù)蘇中，新能源汽車需求相對(duì)較好，目前半導(dǎo)體行業(yè)估值處于近十年偏低水平。
　　根據(jù)DRAMexchange的數(shù)據(jù)，目前DDR44Gb合約價(jià)、DDR48Gb合約價(jià)、DDR34Gb現(xiàn)貨價(jià)、臺(tái)股DRAM月度營(yíng)收同比數(shù)據(jù)均已跌破上一輪周期底部?jī)r(jià)格；2023年9月DRAM現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比小幅上漲，NANDFlash現(xiàn)貨價(jià)格8月已開始環(huán)比上漲，存儲(chǔ)器價(jià)格拐點(diǎn)逐漸顯現(xiàn)。存儲(chǔ)芯片龍頭廠商三星、海力士、美光、鎧俠相繼宣布了減少產(chǎn)出及調(diào)整資本開支計(jì)劃，供給端有望逐步收縮。供給端產(chǎn)出在逐步收縮，如果23Q4下游需求逐步恢復(fù)，供需關(guān)系不斷改善，存儲(chǔ)器價(jià)格23Q4有望繼續(xù)反彈。近日美光發(fā)布23Q3財(cái)報(bào)，美光23Q3營(yíng)收、毛利率、庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)環(huán)比都在改善，并指引23Q4有望繼續(xù)復(fù)蘇。存儲(chǔ)周期底部漸顯，23Q4有望觸底回升。在國(guó)際地緣政治沖突加劇的背景下，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)入加速成長(zhǎng)期，建議關(guān)注瀾起科技、聚辰股份、兆易創(chuàng)新、普冉股份、東芯股份、北京君正、江波龍、深科技等。
　　去年以來外部環(huán)境對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體的監(jiān)管日益加強(qiáng)，美日荷先后對(duì)半導(dǎo)體出口進(jìn)行管制，建議關(guān)注國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈薄弱環(huán)節(jié)的自主可控投資機(jī)會(huì)：
　　半導(dǎo)體設(shè)備及零部件：美國(guó)半導(dǎo)體管制新規(guī)最核心的目的是限制大陸的制造能力，加速了國(guó)產(chǎn)替代迫切性，另一方面國(guó)內(nèi)政策大力扶持，在此背景下國(guó)內(nèi)晶圓廠有望加大國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備及零部件的使用規(guī)模，國(guó)產(chǎn)替代也正在加速中，未來成長(zhǎng)空間巨大，23H1國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備主要廠商業(yè)績(jī)表現(xiàn)亮眼，目前在手訂單充足為后續(xù)成長(zhǎng)做好了保障。半導(dǎo)體設(shè)備建議關(guān)注北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、拓荊科技-U、芯源微等；半導(dǎo)體設(shè)備零部件建議關(guān)注富創(chuàng)精密、江豐電子、華亞智能、新萊應(yīng)材、茂萊光學(xué)等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：下游需求不及預(yù)期，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇風(fēng)險(xiǎn)，國(guó)內(nèi)廠商研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)度不及預(yù)期，國(guó)際地緣政治沖突加劇風(fēng)險(xiǎn)。