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核心觀點(diǎn)：
　　存儲(chǔ)價(jià)格反彈明顯，預(yù)計(jì)Q4持續(xù)改善。DRAMWafer現(xiàn)貨平均價(jià)基本在8月觸底，模組方面，DDR5大容量規(guī)格如32GB，無(wú)論P(yáng)C端DIMM還是Server端R-DIMM合約價(jià)在4月見(jiàn)底，隨后開始價(jià)格反彈。TLC閃存Wafer現(xiàn)貨價(jià)在6月左右觸底，隨后開啟價(jià)格回彈趨勢(shì)。跟蹤最新9月月度平均合約價(jià)來(lái)看，DRAM芯片和模組整體環(huán)比持平，MLC 128Gb和TLC 256Gb Wafer分別環(huán)比上漲10.0%和11.6%到1.88美金和1.06美金。據(jù)高頻日度現(xiàn)貨價(jià)來(lái)看，DDR416Gb/8Gb在9月分別上漲0.93%/3.35%，在10月（截至10月13日）分別繼續(xù)上揚(yáng)1.47%/2.75%。南亞科預(yù)計(jì)Q4 DDR5產(chǎn)品ASP大幅改善，DDR4/3也看到改善跡象。美光在FY23Q4電話會(huì)上認(rèn)為價(jià)格已觸底，本季并未考慮價(jià)格下降帶來(lái)的庫(kù)存減值。已在當(dāng)前看見(jiàn)了DRAM和NAND價(jià)格改善，預(yù)計(jì)FY24H2價(jià)格大幅走強(qiáng)。據(jù)Trendforce，預(yù)計(jì)NANDFlash 23Q4合約價(jià)全面起漲，漲幅約8~13%，較此前預(yù)測(cè)的漲幅擴(kuò)大，其中23Q4 NANDFlash Wafer合約價(jià)預(yù)計(jì)季漲幅約13~18%。
　　臺(tái)企存儲(chǔ)廠商月度營(yíng)收逐步改善，產(chǎn)業(yè)鏈多看好23H2回暖。存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)績(jī)多觸底回升。南亞科、華邦電、旺宏、群聯(lián)、威剛9月營(yíng)收環(huán)比分別為+5.8%、5.3%、3.8%、12.5%、25.4%，整體同環(huán)比改善趨勢(shì)明顯。單季度看，南亞科、華邦電、旺宏、威剛、群聯(lián)Q3營(yíng)收分別環(huán)比增長(zhǎng)10.1%、3.7%、-2.0%、25.1%、23.8%。季度性環(huán)比改善明顯，臺(tái)股存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)績(jī)低谷已過(guò)。華邦預(yù)計(jì)23H2下游需求有望改善，南亞科預(yù)計(jì)Q4行業(yè)需求整體改善，看到DDR5需求較好，推動(dòng)服務(wù)器市場(chǎng)Q4季度改善，預(yù)計(jì)中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)Q4反彈。庫(kù)存方面，南亞科看到PC和手機(jī)客戶庫(kù)存水平相當(dāng)健康。至少2/3供應(yīng)商庫(kù)存正?；?。美光FY23Q4(Ended2023/09/01)營(yíng)收40億美元，YoY-40%，QoQ+7%，同比降幅縮小，環(huán)比連續(xù)2個(gè)季度增長(zhǎng)，本季實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)-12億美金，虧損繼續(xù)收窄。公司指引FY24Q1營(yíng)收環(huán)比+10%，并指引FY24 H2毛利率預(yù)期轉(zhuǎn)正。
　　 DDR5滲透向上，HBM需求強(qiáng)勁。SK海力士表示服務(wù)器市場(chǎng)內(nèi)存庫(kù)存也處于下降趨勢(shì)，因?yàn)榇蟛糠謳?kù)存是DDR4產(chǎn)品，預(yù)計(jì)今年需求將快速轉(zhuǎn)為DDR5。伴隨AI模型的需求及類GPT產(chǎn)品的應(yīng)用，對(duì)128G及以上容量的DDR5需求迅速上升，刺激了服務(wù)器內(nèi)存需求。美光在FY23Q3維持服務(wù)器2024年中50%滲透率預(yù)期，但預(yù)計(jì)自身DDR5出貨量超DDR4將發(fā)生在24Q1末，并在FY23Q4維持該預(yù)期并強(qiáng)調(diào)DDR5需求較好。HBM方面，各家持續(xù)推進(jìn)進(jìn)展，SK海力士表示在23H2大規(guī)模生產(chǎn)HBM3E。美光已向客戶送樣HBM3E產(chǎn)品，預(yù)計(jì)24年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。美光計(jì)劃在FY24對(duì)HBM產(chǎn)能的資本支出投資大幅增加。
　　建議關(guān)注DDR5產(chǎn)業(yè)鏈標(biāo)的瀾起科技和聚辰股份，以及存儲(chǔ)周期復(fù)蘇產(chǎn)業(yè)鏈。存儲(chǔ)周期觸底，DDR5和AIGC有望帶來(lái)增量，同時(shí)國(guó)產(chǎn)替代邏輯不斷增強(qiáng)。建議DDR5產(chǎn)業(yè)鏈核心標(biāo)的瀾起科技、聚辰股份。建議關(guān)注周期復(fù)蘇線，包括本土SLCNAND領(lǐng)導(dǎo)者東芯股份，本土存儲(chǔ)封測(cè)龍頭深科技，Nor+Nand+DRAM全覆蓋的本土存儲(chǔ)龍頭兆易創(chuàng)新，本土車載DRAM龍頭北京君正，本土Nor+EEPROM快速發(fā)展的普冉股份。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示。DDR5滲透不及預(yù)期；服務(wù)器需求不及預(yù)期；存儲(chǔ)價(jià)格反彈不及預(yù)期。