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事件：
　　2023年10月17日，美國商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）更新了“先進(jìn)計(jì)算芯片和半導(dǎo)體制造設(shè)備出口管制規(guī)則”，并將于11月16日正式生效。
　　點(diǎn)評(píng)：
　　美國限制算力新品出口，國產(chǎn)算力受益需求爆發(fā)。先進(jìn)計(jì)算芯片和半導(dǎo)體制造設(shè)備出口管制規(guī)則”是對(duì)2022年10月7日出臺(tái)的規(guī)則的修改和強(qiáng)化，進(jìn)一步限制高性能計(jì)算芯片出口。IDC（國際數(shù)據(jù)公司）發(fā)布的《中國半年度加速計(jì)算市場(2023上半年)跟蹤》報(bào)告顯示，2023年上半年中國加速芯片的市場規(guī)模超過50萬張，其中中國本土AI芯片品牌出貨超過5萬張，占市場10%左右份額。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2026年中國集成電路制造業(yè)銷售額將達(dá)到6827億元，2021-2026年CAGR為21.96%。
　　高性能運(yùn)算和AI火爆需求的釋放，拉動(dòng)新一輪先進(jìn)封裝需求。據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)消息，臺(tái)積電啟動(dòng)CoWoS大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，計(jì)劃到2024年底擴(kuò)充一倍的CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能。CoWoS是基于interposer（中間介質(zhì)層）實(shí)現(xiàn)的2.5D封裝技術(shù)，將多個(gè)有源硅芯片（通常配置是邏輯和HBM堆棧）集成在無源硅interposer（僅具備TSV和RDL）上。其通過縮短芯片間的互連距離，提升產(chǎn)品性能與能效的同時(shí)實(shí)現(xiàn)降低生產(chǎn)成本，在高性能計(jì)算、AI等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。除英偉達(dá)外，超威半導(dǎo)體、亞馬遜、谷歌、微軟等AI大廠都在積極采用CoWoS技術(shù)，向臺(tái)積電發(fā)出急單。根據(jù)《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》報(bào)道，Yole（法國優(yōu)樂）最新報(bào)告指出，先進(jìn)封裝市場Q3將實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長23.8%，預(yù)計(jì)今年全年市場保持平穩(wěn)增長，未來5年CAGR將達(dá)到8.7%，從2022年的439億美元增長至2028年的724億美元。
　　中國晶圓廠及封測(cè)廠自主擴(kuò)產(chǎn)，中芯國際、長存、通富等投資意愿增強(qiáng)。晶圓廠方面，根據(jù)中芯國際公告，公司產(chǎn)能在以穩(wěn)定的節(jié)奏持續(xù)增加，主要集中在8英寸和12英寸，并將根據(jù)市場情況進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。封測(cè)廠方面，根據(jù)通富微電公告，公司在蘇州、檳城、合肥、廈門等地正積極進(jìn)行生產(chǎn)布局，施工面積合計(jì)約27.3萬平米。長電、華天也在積極推進(jìn)生產(chǎn)基地項(xiàng)目建設(shè)，2023年上半年三家合計(jì)資本支出超過60億元。
　　光刻應(yīng)用于FC、Bumping、RDL、TSV等工藝，LDI曝光機(jī)在自動(dòng)套刻、背部對(duì)準(zhǔn)、智能糾偏等方面優(yōu)于傳統(tǒng)stepper。在先進(jìn)封裝中，光刻機(jī)主要應(yīng)用于倒裝（FC）的凸塊（bumping）制作、重分布層（RDL）、2.5D/3D封裝的硅通孔（TSV）、以及銅柱（Copper Pillar）等。直寫光刻技術(shù)無需掩膜版，可直接將版圖信息轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的襯底上，主要應(yīng)用于FC、WLP和2.5D/3D等先進(jìn)封裝領(lǐng)域，具備自動(dòng)套刻、背部對(duì)準(zhǔn)、智能糾偏、WEE/WEP功能，在RDL、Bumping和TSV等制程工藝中優(yōu)勢(shì)明顯，有利于提升產(chǎn)品良率。伴隨技術(shù)進(jìn)步，直寫光刻逐步拓展應(yīng)用，我們預(yù)計(jì)LDI曝光設(shè)備未來將持續(xù)向高端領(lǐng)域布局。
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　　風(fēng)險(xiǎn)提示：市場競爭加劇風(fēng)險(xiǎn)、新品研發(fā)不及預(yù)期、原材料采購的風(fēng)險(xiǎn)。