>> 德邦證券-電子行業(yè)專題：ASML如何能獨霸光刻機，國產(chǎn)光刻機的三座大山-231110
| 上傳日期： |
2023/11/10 |
大?。?/td>
| 1723KB |
| 格式： |
pdf 共14頁 |
來源： |
德邦證券 |
| 評級： |
優(yōu)于大市 |
作者： |
陳海進 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權限： |
無限制-登錄即可下載 |
|
|
光刻機結構復雜，集多項技術于一身。光刻是集成電路芯片制造中復雜、關鍵的工藝步驟，而光刻機是光刻技術的關鍵設備。具體來看，光刻機由光源、照明、投影物鏡、機械及控制等系統(tǒng)組成。ASML將光刻機組件分為三個大模組：照明光學、光罩和晶圓模組，其中以照相光學、晶圓平臺模組較為復雜。最高端的EUV光刻機大概有十萬多零部件，包含全球眾多供應商，使得其制造壁壘極高。
ASML是半導體光刻機龍頭，推進下一代高NAEUV光刻機的研發(fā)。ASML目前的光刻機產(chǎn)品種類涵蓋i-line、KrF、ArF、EUV等多種光源。根據(jù)ASML官網(wǎng)，目前ASML獨占EUV光刻技術。我們認為ASML通過在浸沒式系統(tǒng)、TWINSCAN雙工作臺，以及EUV技術上的研發(fā)而逐步成為全球光刻機龍頭。針對下一代光刻機的研發(fā)，ASML目前在研究把EUV平臺的數(shù)值孔徑（NA）從0.33提升到0.55（高NA），從而進一步縮小光刻機分辨率，實現(xiàn)2nm邏輯制程的制造。ASML預計高NA設備的研發(fā)機型將首先在2023年底出貨，而預計到2025年將在客戶端全面運行起來。
SSMB-EUV光源方案可能成為新EUV光源方案，但尚需進一步驗證。由于基于等離子體輻射的EUV光源功率進一步突破困難,因此基于相對論電子束的各類加速器光源逐漸進入產(chǎn)業(yè)界的視野,如基于超導直線加速器技術的高重頻FEL以及SSMB（穩(wěn)態(tài)微聚束）等。SSMB也可以實現(xiàn)大于1kW的EUV光功率,且造價和規(guī)模適中。作為一種新型光源原理，SSMB原理實驗驗證已經(jīng)實現(xiàn),需要進行產(chǎn)業(yè)落地并成熟化。目前，清華大學已經(jīng)在河北雄安新區(qū)進行SSMB項目選址和推進建設工作。
國產(chǎn)光刻機供應鏈奮發(fā)向上。目前針對EUV光源，國內(nèi)也有研究機構取得一定進展。2017年，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所（以下簡稱長春光機所）的“極紫外光刻關鍵技術研究”獲得國家02專項的驗收，從而推進了我國對EUV的技術研發(fā)。2023年4月，中國科學院院士白春禮到長春光機所調(diào)研，并參觀了EUV光源樣機。此外，針對光刻機核心的光源、光學以及晶圓平臺等模組，我國已經(jīng)有相關企業(yè)在這些模組中有所布局并取得一定進展。
投資建議：建議關注光刻機產(chǎn)業(yè)鏈：1）光源系統(tǒng)：福晶科技、國光電氣等；2）光學系統(tǒng)：茂萊光學、晶方科技、炬光科技、騰景科技、賽微電子等；3）晶圓平臺系統(tǒng)：奧普光電、蘇大維格等；4）零部件：富創(chuàng)精密、新萊應材等。
風險提示：下游需求不及預期、行業(yè)競爭加劇、貿(mào)易摩擦風險
|
|
