>> 華金證券-半導(dǎo)體行業(yè)快報(bào)：存力漸為AI芯片競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)，現(xiàn)貨市場(chǎng)行業(yè)備貨熱度升溫-231122
| 上傳日期： |
2023/11/23 |
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pdf 共4頁(yè) |
來(lái)源： |
華金證券 |
| 評(píng)級(jí)： |
領(lǐng)先大市 |
作者： |
孫遠(yuǎn)峰,王海維 |
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投資要點(diǎn)
存力漸為AI芯片競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)，24年AI服務(wù)器出貨量或增至百萬(wàn)臺(tái)
2023年11月13日，英偉達(dá)發(fā)布最新AI芯片H200。相比于H100，H200性能提升60%-90%；以700億參數(shù)模型Llama2為例，H200推理速度比H100快近一倍，同時(shí)功耗降低50%。然而，H200與H100算力基本相同，性能飛躍的關(guān)鍵在于存力的大幅提升。H100內(nèi)存容量為80GB，帶寬為3.35TB/s；作為全球首款搭載HBM3e的GPU，H200內(nèi)存容量高達(dá)141GB，帶寬為4.8TB/s，內(nèi)存配置明顯提升。我們認(rèn)為存力逐漸成為AI芯片競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。
華邦電表示2023年DRAM市場(chǎng)規(guī)模約430億美元；在AI驅(qū)動(dòng)下DRAM市場(chǎng)快速成長(zhǎng)，2026年DRAM市場(chǎng)規(guī)模有望突破千億美元。同時(shí)，華邦電表示2023年服務(wù)器出貨量將降至1200萬(wàn)臺(tái)，其中AI服務(wù)器出貨量低于20萬(wàn)臺(tái)；2024年AI服務(wù)器出貨量有望大幅反彈至100萬(wàn)臺(tái)，或?qū)?dǎo)致HBM供不應(yīng)求。鎧俠認(rèn)為宏觀經(jīng)濟(jì)的不確定性導(dǎo)致企業(yè)IT支出下降是2023年通用服務(wù)器需求疲軟的主要原因，預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級(jí)SSD需求將在24H1后復(fù)蘇，并長(zhǎng)期看好NAND市場(chǎng)增長(zhǎng)潛力和長(zhǎng)期需求。全球HBM龍頭SK海力士2024年將擴(kuò)大設(shè)備投資以增加HBM產(chǎn)能，并預(yù)計(jì)2030年HBM出貨量將達(dá)到每年1億顆。
存儲(chǔ)價(jià)格處于低位刺激備貨需求，臺(tái)灣存儲(chǔ)廠商預(yù)計(jì)Q4延續(xù)季增態(tài)勢(shì)
得益于上游減產(chǎn)效應(yīng)，以及存儲(chǔ)價(jià)格處于低位刺激市場(chǎng)備貨需求，中國(guó)臺(tái)灣存儲(chǔ)廠商10月?tīng)I(yíng)收環(huán)比延續(xù)增長(zhǎng)趨勢(shì)，并表示隨著需求逐漸復(fù)蘇，預(yù)計(jì)Q4仍有望延續(xù)季增態(tài)勢(shì)。
群聯(lián)：10月?tīng)I(yíng)收51.59億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)23%，環(huán)比增長(zhǎng)3%，為歷年同期次高。展望后市，公司表示隨著NAND原廠自22Q2開(kāi)始減產(chǎn)，并自23Q2擴(kuò)大減產(chǎn)以及系統(tǒng)廠商庫(kù)存經(jīng)歷數(shù)個(gè)季度的消化后，NAND存儲(chǔ)市場(chǎng)已逐漸因?yàn)榛匮a(bǔ)庫(kù)存等需求緩步回溫，進(jìn)而帶動(dòng)價(jià)格回穩(wěn)甚至漲價(jià)，部分NAND原物料已出現(xiàn)供貨吃緊情況。
十銓科技：10月?tīng)I(yíng)收16.01億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)221%，環(huán)比增長(zhǎng)8%，主要受惠于原廠減產(chǎn)效應(yīng)，DRAM和NAND價(jià)格開(kāi)始上漲。此外，由于存儲(chǔ)價(jià)格處于底部，公司加大采購(gòu)力度，存貨由Q2末的45億新臺(tái)幣升至Q3末的62億新臺(tái)幣。公司表示AI浪潮掀起大量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，看好SSD的成長(zhǎng)大于DRAM，且所需NAND容量也愈大，加之原廠減產(chǎn)，預(yù)計(jì)缺貨情況短期不變，24H2或?qū)⒊霈F(xiàn)缺貨潮。
威剛：10月?tīng)I(yíng)收37.91億新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)40%，環(huán)比增長(zhǎng)13%，創(chuàng)下2010年4月以來(lái)單月?tīng)I(yíng)收高點(diǎn)。公司表示當(dāng)前價(jià)格反彈動(dòng)力主要來(lái)自于上游減產(chǎn)效應(yīng)及渠道回補(bǔ)安全庫(kù)存，伴隨手機(jī)需求漸入佳境，PC出貨逐步回歸常態(tài)，上游原廠對(duì)價(jià)格態(tài)度強(qiáng)勢(shì)，存儲(chǔ)價(jià)格難以下降，持續(xù)看好11月業(yè)績(jī)表現(xiàn)。展望未來(lái)，公司預(yù)計(jì)2024年農(nóng)歷年后存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將春燕歸來(lái)，屆時(shí)NAND與DRAM價(jià)格仍將持續(xù)上漲，產(chǎn)業(yè)正向趨勢(shì)至少維持到24Q3，24H2上游原廠有望扭虧為盈。
存儲(chǔ)現(xiàn)貨市場(chǎng)行業(yè)備貨熱度升溫，渠道SSD出現(xiàn)倒掛行情
CFM指出，存儲(chǔ)現(xiàn)貨市場(chǎng)行業(yè)備貨熱度升溫。由于原廠制程迭代產(chǎn)能調(diào)動(dòng)，部分Flash Wafer資源持續(xù)緊俏，稀缺NAND資源漲價(jià)令供應(yīng)端控貨惜售。同時(shí)，部分終端因庫(kù)存水位下降產(chǎn)生補(bǔ)貨需求，加之明年漲價(jià)預(yù)期下，部分行業(yè)客戶釋放提前備貨的需求。
具體看本周存儲(chǔ)價(jià)格（截至11月21日11：00），根據(jù)CFM數(shù)據(jù)，1）Flash Wafer：1Tb QLC/1Tb TLC/512Gb TLCFlash Wafer本周價(jià)格均有所上漲。2）DDR：DDR416Gb/8Gb 3200價(jià)格持平，DDR416Gb eTT微漲，DDR48Gb/4Gb eTT價(jià)格出現(xiàn)一定程度下滑。3）渠道市場(chǎng)：隨著國(guó)內(nèi)電商促銷(xiāo)結(jié)束以及海外備貨旺季過(guò)去，近期渠道備貨需求出現(xiàn)季節(jié)性降溫，本周渠道SSD和內(nèi)存價(jià)格環(huán)比持平。消費(fèi)復(fù)蘇力度不足而Flash Wafer仍有上漲空間，渠道SSD出現(xiàn)倒掛行情，或?qū)⒓铀偻苿?dòng)QLCNAND的應(yīng)用，以緩解渠道SSD倒掛并滿足部分市場(chǎng)需求。4）行業(yè)市場(chǎng)：good die供應(yīng)持續(xù)緊張促使價(jià)格上漲，同時(shí)部分行業(yè)客戶因庫(kù)存水位下降，備貨意愿增強(qiáng)，行業(yè)客戶出現(xiàn)提前鎖貨動(dòng)作，加之部分行業(yè)需求回暖，本周行業(yè)SSD和行業(yè)內(nèi)存條價(jià)格全面上漲。5）嵌入式：運(yùn)營(yíng)商機(jī)頂盒標(biāo)案需求刺激小容量eMMC價(jià)格調(diào)漲；手機(jī)終端整體需求變化不大，本周LPDDR4X價(jià)格維持不變。
投資建議：建議關(guān)注存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)標(biāo)的：東芯股份，兆易創(chuàng)新，北京君正，江波龍，普冉股份等。
風(fēng)險(xiǎn)提示：下游需求復(fù)蘇低于預(yù)期，終端去庫(kù)存效果低于預(yù)期，相關(guān)廠商研發(fā)進(jìn)程不及預(yù)期，系統(tǒng)性風(fēng)險(xiǎn)等。
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