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HBM技術成為算力芯片的重要升級方向。HBM（High BandwidthMemory,高帶寬存儲器）是一種基于3D堆疊工藝的內存芯片，通過引入TSV（硅通孔）和3D芯片堆疊等先進封裝技術，以此突破單個DRAM芯片的帶寬瓶頸，從而可以實現大容量、高位寬、低能耗的DDR組合陣列；目前市場上最主流的NVIDIA的A100和AMD的MI250X就分別搭載了80/128GB的HBM2E，而性能更為優(yōu)異的H100則搭載了80GBHBM3；而英偉達最新發(fā)布的H200作為H100的升級款，依然采用Hopper架構（1GPU+6HBM）和臺積電4納米工藝，GPU芯片沒有升級，主要的升級來自于首次搭載HBM 3E存儲芯片，在H100（80GBHBM 3，3.35TB/s）的基礎上升級到了141GB，直接提升76%，運行速率可達4.8TB/s，HBM的升級成為算力芯片重中之重。
　　HBM對先進封裝提出了更高的要求。HBM作為AI算力芯片主流的存儲芯片，主要的增量工藝包括TSV、RDL、Microbumps以及TCB鍵合包括未來可能的混合鍵合等，對先進封裝的工藝及設備提出了更高的要求，其中，涉及較多的設備有鍵合設備（臨時鍵合/解鍵合、TCB鍵合/混合鍵合等）、刻蝕機、電鍍機、沉積設備（CVD、PVD等）等。
　　美國禁令客觀上了促進了國產算力芯片以及相關產業(yè)的發(fā)展。2023年10月，美國商務部工業(yè)與安全局更新了“先進計算芯片和半導體制造設備出口管制規(guī)則”，進一步加嚴對人工智能相關芯片、半導體制造設備的對華出口限制；國產AI相關芯片的國產化較為緊迫，以華為為例，昇騰910性能水平接近英偉達A100，相關國產化機會值得重視。
　　投資建議。（1）推薦芯碁微裝，國內微納直寫光刻設備的龍頭公司，從PCB向IC載板、平板顯示、先進封裝等領域拓展；（2）推薦邁為股份，公司在先進封裝領域積極開拓，與長電科技、三安光電先后簽訂了半導體晶圓激光開槽設備的供貨協議；（3）推薦奧特維，公司作為光伏串焊機龍頭，積極研發(fā)金銅線鍵合機、倒裝芯片鍵合機、裝片機等半導體設備；（4）關注國內在TCB鍵合以及混合鍵合有相關布局的拓荊科技、微見智能（未上市）、華卓精科（擬上市）、華封科技（未上市）、艾科瑞思（未上市）；（5）關注新益昌，公司為國內LED固晶機領先企業(yè)，積極向先進封裝等半導體領域拓展此外?？申P注中微公司、北方華創(chuàng)、華海清科、盛美上海、精測電子、光力科技、帝爾激光、德龍激光、華峰測控、長川科技、凱格精機等標的。（標的為電子組覆蓋）。
　　風險提示。國產設備推進不及預期的風險，半導體行業(yè)波動的風險，先進封裝市場增長不達預期的風險，美國進一步制裁的風險。