>> 申萬宏源-半導體行業(yè)：首臺2nm光刻機發(fā)貨英特爾，先進制程推進順利-231225
| 上傳日期： |
2023/12/26 |
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| 格式： |
pdf 共3頁 |
來源： |
申萬宏源 |
| 評級： |
看好 |
作者： |
袁航,李天奇,楊海晏 |
| 下載權限： |
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本期投資提示：
事件：當?shù)貢r間12月21日，荷蘭阿斯麥（ASML）表示開始向美國英特爾交付首批新型高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機（High NAEUV光刻機），意味著全球首臺High NAEUV光刻機正式發(fā)貨。
High NAEUV光刻機進一步優(yōu)化分辨率，可用于2nm及以下制程節(jié)點的芯片制造。HighNAEUV光刻機主要技術革新在于實現(xiàn)了更大的數(shù)值孔徑，根據(jù)瑞利公式，數(shù)值孔徑越大則分辨率越佳。High-NAEUV采用蔡司生產(chǎn)的0.55 NA的鏡頭，能夠?qū)崿F(xiàn)8nm級別的分辨率，而標準EUV使用0.33 NA的鏡頭，實現(xiàn)分辨率水平為13nm。因此，high NAEUV通過優(yōu)化光刻分辨率的方式，使得2nm及以下節(jié)點芯片制造的光刻環(huán)節(jié)得以實現(xiàn)。
阿斯麥high NAEUV光刻機命名EXE系列，產(chǎn)品單價或超3億歐元。阿斯麥傳統(tǒng)EUV光刻機型號包括NXE:3600D和NXE:3400C，分別可用于3~5nm、5~7nm制程節(jié)點的芯片生產(chǎn)，整體平均單價約1.7億歐元，預計EXE系列high NAEUV光刻機單價超3億歐元，較傳統(tǒng)EUV光刻機大幅增長。
英特爾成為high NAEUV光刻機首個用戶符合預期，押注高數(shù)值孔徑技術路線。英特爾于2018年即訂購了阿斯麥第一臺高數(shù)值孔徑的試驗機，預計2024年阿斯麥high NAEUV的計劃產(chǎn)能（10臺）中英特爾將貢獻過半訂單。預計英特爾會將High-NAEUV光刻設備應用于其Intel 18A工藝的開發(fā)和驗證中。英特爾意圖借助EXE系列high NAEUV光刻機在2nm及以下芯片制造領域重新奪回相對臺積電的領先優(yōu)勢，而EXE系列極其高昂的成本使得英特爾的激進提前投資具有一定風險。
三星、臺積電等晶圓廠亦將引入EXE系列。除英特爾外，三星、臺積電、SK海力士和美光均曾經(jīng)在2018年以來阿斯麥high NAEUV光刻機尚未實現(xiàn)交付前時提前預訂，預計未來兩年high NAEUV光刻機交付數(shù)量將是英特爾＞三星＞臺積電，與此同時臺積電或進一步推進研發(fā)傳統(tǒng)EUV光刻機的多重曝光工藝。
high NAEUV光刻機順利落地預將進一步打開集成電路先進制程市場空間。2017年傳統(tǒng)EUV光刻機正式量產(chǎn)以來，high NAEUV光刻機研發(fā)進展即受到廣泛關注，2023年年底首臺EXE系列光刻機如期發(fā)貨保障了芯片先進制程繼續(xù)推進的節(jié)奏，英特爾、臺積電、三星已發(fā)布24~25年量產(chǎn)2nm制程芯片的計劃。
投資分析意見：國內(nèi)光刻機技術水平尚存巨大提升空間，國產(chǎn)核心零部件共同成長。重點關注波長光電（平行光源系統(tǒng)）、茂萊光學（光刻機透鏡）、炬光科技（激光退火系統(tǒng)）、蘇大維格（定位光柵尺）等。
風險提示：高數(shù)值孔徑光刻機實際產(chǎn)線表現(xiàn)不及預期。
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