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投資要點(diǎn)
　　先進(jìn)封裝本質(zhì)目的是增加觸點(diǎn)連接，以代替制程提升。量子隧穿效應(yīng)導(dǎo)致先進(jìn)制程的研發(fā)制造成本過高，而良率過低，先進(jìn)封裝技術(shù)能夠彌補(bǔ)制程提升的困難。先進(jìn)封裝技術(shù)的本質(zhì)為提升連接效率。其中，重布線層技術(shù)（RDL）重新布局裸片I/O觸點(diǎn)，支持更多、更密引腳，廣泛用于晶圓級(jí)封裝（WLP）；硅通孔技術(shù)（TSV）通過將芯片的焊點(diǎn)打穿、在通孔里填充金屬材料實(shí)現(xiàn)芯片與芯片、芯片與基板的垂直連接，是2.5D和3D封裝的關(guān)鍵解決方案；凸塊技術(shù)使用凸點(diǎn)（bump）代替?zhèn)鹘y(tǒng)引線，增加觸點(diǎn)、縮小傳輸距離和電阻；混合鍵合技術(shù)（Hybrid Bonding）通過將芯片或晶圓平面上的銅觸點(diǎn)拋光后進(jìn)行退火處理，使得連接平面完全貼合，以無凸點(diǎn)（Bumpless）的方式縮減連接距離和散熱能力。先進(jìn)封裝對(duì)制造設(shè)備精度、無塵環(huán)境、測(cè)試精度要求極高。技術(shù)升級(jí)方向?yàn)樵黾舆B接效率（如使用玻璃基板代替有機(jī)基板）和降低成本（如使用“硅橋”代替硅中介層）。
　　先進(jìn)封裝賦能高速計(jì)算，算力需求提升，先進(jìn)封裝產(chǎn)能供不應(yīng)求。先進(jìn)封裝主要通過兩方面提升邏輯芯片的算力：一、提升處理器集成度，從而提升性能；二、提升處理器和存儲(chǔ)器間的連接帶寬、減小連接功耗，從而解決“內(nèi)存墻”和“功耗墻”，提升芯片算力。隨著AI大語言模型市場(chǎng)的發(fā)展，模型訓(xùn)練和推理應(yīng)用所需算力不斷提升；國(guó)內(nèi)新入局AI企業(yè)眾多，智算芯片需求旺盛。根據(jù)IDC，至2026年，國(guó)內(nèi)智算規(guī)模可達(dá)2023年的3倍。與此同時(shí)，供給端高性能GPU產(chǎn)能明顯不足，先進(jìn)封裝產(chǎn)能成為主要瓶頸。2023年8月，英偉達(dá)表示計(jì)劃2024年將H100產(chǎn)能拉高至少3倍。2023年9月，臺(tái)積電表示CoWoS產(chǎn)能只能盡量滿足客戶80%的需求。先進(jìn)封裝發(fā)展前景、國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。
　　先進(jìn)封裝行業(yè)壁壘高，專業(yè)封測(cè)廠商不具優(yōu)勢(shì)；海外龍頭加速擴(kuò)產(chǎn)，國(guó)內(nèi)企業(yè)追趕。先進(jìn)封裝行業(yè)壁壘高，且相比OSAT廠，F(xiàn)ab廠和IDM廠更具優(yōu)勢(shì)，主要原因有二：第一，技術(shù)精度高，且高度依賴晶圓制造技術(shù)、與芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的協(xié)同，例如重布線層(RDL)、硅通孔(TSV)、混合鍵合(HB)需要在裸晶本體上進(jìn)行線路設(shè)計(jì)、刻蝕、電鍍，晶圓廠在技術(shù)和硬件方面更有優(yōu)勢(shì)；第二，晶圓廠主導(dǎo)了先進(jìn)封裝領(lǐng)域的技術(shù)路線和訂單分配，封裝廠需要與上游廠商密切合作以獲取訂單。面對(duì)高增需求，海外龍頭加大擴(kuò)產(chǎn)力度，但擴(kuò)產(chǎn)難度大、周期長(zhǎng)。臺(tái)積電、三星、英特爾、日月光紛紛增加先進(jìn)封裝產(chǎn)線，但由于上游設(shè)備供應(yīng)不足等原因，擴(kuò)產(chǎn)周期普遍達(dá)2-3年。與此同時(shí)，國(guó)內(nèi)龍頭積極布局先進(jìn)封裝領(lǐng)域。長(zhǎng)電科技聚焦XDFOI新技術(shù)、2.5D/3D技術(shù)的量產(chǎn)；通富微電聚焦消化高端CPU、GPU封裝產(chǎn)能，現(xiàn)已涉及AMDMI300的封裝；甬矽電子積極研發(fā)Fan-in/Fan-out、2.5/3D晶圓級(jí)封裝相關(guān)技術(shù)，并大力建廠擴(kuò)產(chǎn)，未來營(yíng)收增長(zhǎng)空間廣闊。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：AI算力需求增長(zhǎng)不及預(yù)期；先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)展緩慢；國(guó)產(chǎn)替代不及預(yù)期。