>> 甬興證券-電子行業(yè)存儲芯片周度跟蹤：渠道存儲價格走高，HBM市場升至350億美元-250401
| 上傳日期： |
2025/4/2 |
大小： |
742KB |
| 格式： |
pdf 共10頁 |
來源： |
甬興證券 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
陳宇哲,劉奕司 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
此報告為加密報告 |
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核心觀點
NAND：TrendForce預(yù)測2025年Q2 NANDFlash閃存價格止跌回穩(wěn)，消費(fèi)級SSD合約價環(huán)比上漲3~8%。根據(jù)DRAMexchange，上周（20250324-0328）NAND顆粒22個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為0.71%至3.28%，平均漲跌幅為1.67%。其中0個料號價格持平，22個料號價格上漲，0個料號價格下跌。根據(jù)IT之家報道，TrendForce發(fā)布調(diào)查報告，預(yù)計2025年第二季度NANDFlash價格將止跌回穩(wěn)，Wafer和Client SSD價格則將呈現(xiàn)環(huán)比上升的趨勢。
DRAM：TrendForce：2025年二季度一般型DRAM內(nèi)存價格環(huán)比跌幅預(yù)計收斂至5%以內(nèi)。根據(jù)DRAMexchange，上周（20250324-0328）DRAM 18個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為2.27%至7.88%，平均漲跌幅為4.47%。上周18個料號呈上漲趨勢，0個料號呈下降趨勢，0個料號價格持平。根據(jù)IT之家報道，TrendForce集邦咨詢稱，在下游客戶提前出貨的帶動下，DRAM供應(yīng)鏈庫存削減整體順利，預(yù)計2025年二季度不計入HBM的一般型DRAM價格環(huán)比跌幅將收斂至5%以內(nèi)。
HBM：美光上調(diào)HBM總市場規(guī)模至350億美元，將繼續(xù)擴(kuò)大HBM產(chǎn)能供應(yīng)。根據(jù)CFM閃存市場報道，美光表示，近期大型超大規(guī)模客戶重申了其在2025日歷年資本投資將實現(xiàn)同比強(qiáng)勁增長。預(yù)計2025年服務(wù)器出貨量將實現(xiàn)中個位數(shù)百分比增長，傳統(tǒng)服務(wù)器和AI服務(wù)器均將實現(xiàn)增長。HBM市場需求依然強(qiáng)勁，美光預(yù)計2025日歷年HBM總市場規(guī)模將達(dá)350億美元以上，比之前預(yù)估的300億美元有所提高，并預(yù)計2025年第四季度有望HBM份額達(dá)到與整體DRAM供應(yīng)份額相當(dāng)?shù)乃健?br> 市場端：備貨熱度升溫驅(qū)動渠道存儲價格再度走高，供應(yīng)鏈承壓下渠道廠商交貨壓力倍增。根據(jù)CFM閃存市場報道，伴隨著部分現(xiàn)貨供應(yīng)端資源進(jìn)一步上漲，上周渠道和低容量eMMC價格持續(xù)攀升。不過，低價資源持續(xù)缺貨狀態(tài)下，渠道交貨壓力倍增；與此同時，原廠依舊保持強(qiáng)勢控貨拉漲態(tài)度，Good die價格普遍上揚(yáng)，使得部分現(xiàn)貨產(chǎn)品價格出現(xiàn)較大漲幅，存儲現(xiàn)貨市場供需關(guān)系趨緊加劇。
投資建議
我們持續(xù)看好受益先進(jìn)算力芯片快速發(fā)展的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲為代表的半導(dǎo)體周期復(fù)蘇主線。
HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來加速成長，建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠科等；
存儲芯片：受益于供應(yīng)端推動漲價、庫存逐漸回歸正常、AI帶動HBM、SRAM、DDR5需求上升，產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份，建議關(guān)注兆易創(chuàng)新、恒爍股份、佰維存儲、江波龍、德明利等。
風(fēng)險提示
中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預(yù)期、國產(chǎn)替代不及預(yù)期等。
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