>> 甬興證券-電子行業(yè)存儲芯片周度跟蹤：SK海力士或向英特爾供應HBM4，LPDDR4X續(xù)漲-250707
| 上傳日期： |
2025/7/8 |
大小： |
760KB |
| 格式： |
pdf 共9頁 |
來源： |
甬興證券 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
陳宇哲,劉奕司 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
此報告為加密報告 |
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核心觀點
NAND：美光推出2600 NVMeSSD。根據(jù)DRAMexchange，上周（20250630-0704）NAND顆粒22個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-1.67%至5.08%，平均漲跌幅為1.44%。其中3個料號價格持平，18個料號價格上漲，1個料號價格下跌。根據(jù)科創(chuàng)板日報報道，美光宣布，推出美光2600 NVMeSSD，專為原始設備制造商設計的高性價比客戶端存儲解決方案。2600 SSD搭載業(yè)界首款應用于SSD的第九代QLCNAND（G9 QLCNAND），并采用美光創(chuàng)新的自適應寫入技術(shù)。
DRAM：TrendForce稱16Gb DDR4持續(xù)上漲，PC級DRAM價格或失去漲價動力。根據(jù)DRAMexchange，上周（20250630-0704）DRAM 18個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-3.66%至20.85%，平均漲跌幅為1.96%。上周11個料號呈上漲趨勢，7個料號呈下降趨勢，0個料號價格持平。根據(jù)科創(chuàng)板日報報道，根據(jù)TrendForce最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM方面，16Gb DDR4消費級DRAM芯片現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲，而8Gb DDR4等PC級DRAM芯片則出現(xiàn)小幅回調(diào)。NANDFlash方面，隨著供應商產(chǎn)能資源逐步釋放，加之相關(guān)補貼政策效應減弱，導致現(xiàn)貨市場低迷。
HBM：SK海力士稱有望向英特爾AI芯片Jaguar Shores供應HBM4。根據(jù)科創(chuàng)板日報報道，SK海力士表示，正與英特爾在大帶寬、大容量內(nèi)存方面合作，有望向英特爾Jaguar Shores AI顯卡加速器供應HBM4。
市場端：封裝基板短缺致使LPDDR4X產(chǎn)品交付更加艱巨，現(xiàn)貨價格再度大幅上揚。根據(jù)CFM閃存市場報道，封裝基板等關(guān)鍵材料缺貨持續(xù)發(fā)酵并傳導至成品端，使本就受存儲資源供應緊缺影響的LPDDR4X成品產(chǎn)出更加艱難，尤其8/16Gb等低容量LPDDR4X交付壓力更為突出，帶動LPDDR4X產(chǎn)品價格延續(xù)攀升態(tài)勢。相關(guān)集成式eMCP和uMCP產(chǎn)品跟隨LPDDR4X價格上揚調(diào)漲報價。
投資建議
我們持續(xù)看好受益先進算力芯片快速發(fā)展的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲為代表的半導體周期復蘇主線。
HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來加速成長，建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠科等；存儲芯片：受益于供應端推動漲價、庫存逐漸回歸正常、AI帶動HBM、SRAM、DDR5需求上升，產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份，建議關(guān)注兆易創(chuàng)新、恒爍股份、佰維存儲、江波龍、德明利等。
風險提示
中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預期、國產(chǎn)替代不及預期等。
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