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核心觀點(diǎn)
　　NAND：美光推出耐輻射256Gb SLCNAND。根據(jù)DRAMexchange，上周（20250721-0725）NAND顆粒22個(gè)品類現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為0.00%至4.23%，平均漲跌幅為1.23%。其中3個(gè)料號(hào)價(jià)格持平，19個(gè)料號(hào)價(jià)格上漲，0個(gè)料號(hào)價(jià)格下跌。根據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)報(bào)道，美光宣布推出業(yè)界最高密度、耐輻射的SLCNAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品芯片容量達(dá)256Gb，是其涵蓋宇航級(jí)NAND、NOR和DRAM解決方案的產(chǎn)品組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已上市。
　　DRAM：TrendForce稱韓國(guó)內(nèi)存制造商引發(fā)價(jià)格大幅上漲DDR4跌勢(shì)放緩。根據(jù)DRAMexchange，上周（20250721-0725）DRAM 18個(gè)品類現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為-1.18%至3.93%，平均漲跌幅為0.57%。上周12個(gè)料號(hào)呈上漲趨勢(shì)，6個(gè)料號(hào)呈下降趨勢(shì)，0個(gè)料號(hào)價(jià)格持平。根據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)報(bào)道，根據(jù)TrendForce最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DDR4方面，由于兩大韓系供應(yīng)商對(duì)消費(fèi)級(jí)DRAM芯片實(shí)施月度大幅漲價(jià)，此前價(jià)格下跌的勢(shì)頭有所緩和。
　　HBM：三星或?qū)⒃?月向AMD、英偉達(dá)等提供HBM4樣品。根據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)報(bào)道，三星已準(zhǔn)備在7月底前向AMD和英偉達(dá)等客戶提供HBM4樣品。三星計(jì)劃應(yīng)用10納米級(jí)第六代（1c）DRAM工藝，開發(fā)更精密、良率更高的HBM4。后續(xù)三星和SK海力士都計(jì)劃在2025年下半年正式量產(chǎn)HBM4，并從2026年起全面展開競(jìng)爭(zhēng)。
　　市場(chǎng)端：現(xiàn)貨LPDDR4X成品出貨壓力凸顯，上周LPDDR4X現(xiàn)貨價(jià)格出現(xiàn)較大幅度上漲。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)報(bào)道，伴隨著LPDDR4X供應(yīng)壓力逐漸增大，存儲(chǔ)廠商在優(yōu)先保障主力客戶供應(yīng)之余，即便部分Tier2及其他大眾市場(chǎng)客戶欲以更高的價(jià)格進(jìn)行拉貨，仍難以有效滿足其采購(gòu)需求。近期存儲(chǔ)廠商普遍延續(xù)漲價(jià)策略，LPDDR4X產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)格出現(xiàn)較大幅度的上漲。
　　投資建議
　　我們持續(xù)看好受益先進(jìn)算力芯片快速發(fā)展的HBM產(chǎn)業(yè)鏈、以存儲(chǔ)為代表的半導(dǎo)體周期復(fù)蘇主線。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望迎來(lái)加速成長(zhǎng)，建議關(guān)注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠(chéng)科等；
　　存儲(chǔ)芯片：受益于供應(yīng)端推動(dòng)漲價(jià)、庫(kù)存逐漸回歸正常、AI帶動(dòng)HBM、SRAM、DDR5需求上升，產(chǎn)業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份，建議關(guān)注兆易創(chuàng)新、恒爍股份、佰維存儲(chǔ)、江波龍、德明利等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　中美貿(mào)易摩擦加劇、下游終端需求不及預(yù)期、國(guó)產(chǎn)替代不及預(yù)期等