>> 方正證券-半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)深度報告：新工藝新結(jié)構(gòu)拓寬空間，國產(chǎn)廠商多維發(fā)展突破海外壟斷-250927
| 上傳日期： |
2025/9/27 |
大小： |
3590KB |
| 格式： |
pdf 共87頁 |
來源： |
方正證券 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
馬天翼,王海維 |
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美國升級出口限制凸顯國產(chǎn)化重要性，國產(chǎn)廠商多維發(fā)展突破海外壟斷。2024年12月，美國BIS修訂了《出口管理條例》，對高深寬比結(jié)構(gòu)、新金屬材料等尖端應(yīng)用所需的薄膜沉積設(shè)備實施新的管控。根據(jù)SEMI和中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，2023年國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模約479億元，國產(chǎn)化率低于25%。目前國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備廠商主要包括北方華創(chuàng)、拓荊科技、微導(dǎo)納米、中微公司、盛美上海和晶盛機電等，各廠商發(fā)展側(cè)重點不同，共同助力薄膜沉積設(shè)備國產(chǎn)化崛起。
新工藝新結(jié)構(gòu)拓寬薄膜沉積設(shè)備空間，ALD在先進節(jié)點及3D結(jié)構(gòu)中應(yīng)用廣泛。薄膜沉積可分為PVD、CVD和ALD三大類。PVD主要用于金屬材料的沉積。CVD主要用于硬掩模等消耗膜層以及介質(zhì)材料的制備。ALD可大體分為T-ALD和PEALD；其中T-ALD主要沉積金屬和High-K材料等膜層，PEALD則主要沉積介質(zhì)薄膜，多用于多重曝光和STI工藝。
邏輯：1）隨著制程不斷微縮，多重曝光技術(shù)開始應(yīng)用，其中需要ALD進行多次的側(cè)墻沉積。2）28nm及以下節(jié)點采用的HKMG工藝將采用ALD沉積柵介質(zhì)層和金屬柵極。3）GAA是3nm以下節(jié)點的首選結(jié)構(gòu)，除HKMG仍將采用ALD技術(shù)沉積外，內(nèi)側(cè)墻的制備也需通過ALD進行Low-K材料填充后再進行回刻形成；此外，GAA需通過外延技術(shù)生長出Si-SiGe的超晶格結(jié)構(gòu)以及源極和漏極。
NAND：3DNAND層數(shù)正不斷提高，或?qū)⒂?030年突破千層。1）ONO疊層需要PECVD進行的超高均勻度制備。2）ALD可滿足溝道硅、隧道氧化物、字線鎢等高深寬比結(jié)構(gòu)中材料的均勻填充。
DRAM：1）隨著DRAM制程進入2x-nm及以下節(jié)點，AA、SNC等結(jié)構(gòu)將采用多重曝光技術(shù)進行制備，需ALD進行側(cè)墻沉積。2）單個電容器尺寸正不斷縮小，器件內(nèi)部溝槽以及深孔的深寬比也越來越大，需采用ALD進行此類結(jié)構(gòu)的填充，如SN孔中High-K電介質(zhì)疊層沉積。3）未來3DDRAM結(jié)構(gòu)有望出現(xiàn)，高深寬比結(jié)構(gòu)將大幅增多，顯著刺激ALD設(shè)備的需求。
建議關(guān)注標(biāo)的：北方華創(chuàng)（PVD實現(xiàn)對邏輯/存儲芯片金屬化制程全覆蓋；CVD實現(xiàn)金屬硅化物、金屬柵極、鎢塞沉積、High-KALD等工藝設(shè)備的全覆蓋）；中微公司（正在開發(fā)近40種導(dǎo)體薄膜LPCVD/ALD/PVD薄膜沉積設(shè)備，已有六款薄膜沉積產(chǎn)品推向市場）；拓荊科技（PECVD實現(xiàn)全介質(zhì)薄膜覆蓋，同時布局ALD、SACVD、HDPCVD、超高深寬比溝槽填充CVD以及混合鍵合設(shè)備）；微導(dǎo)納米（ALD技術(shù)為核心，CVD等多種真空薄膜技術(shù)梯次發(fā)展）；盛美上海（布局立式爐管設(shè)備和PECVD設(shè)備）；晶盛機電（8-12英寸減壓外延設(shè)備、ALD設(shè)備）。
風(fēng)險提示：宏觀經(jīng)濟和行業(yè)波動風(fēng)險，下游客戶資本性支出波動較大及行業(yè)周期性特點帶來的經(jīng)營風(fēng)險，下游客戶擴產(chǎn)不及預(yù)期的風(fēng)險，市場競爭加劇風(fēng)險，研發(fā)投入不足導(dǎo)致技術(shù)被趕超或替代的風(fēng)險，研發(fā)方向存在偏差的風(fēng)險等。
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