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核心觀點
　　近期，英偉達發(fā)布《下一代AI基礎設施的800伏直流架構》白皮書。其中提到能耗已經(jīng)成為影響當前及下一代AI數(shù)據(jù)中心發(fā)展的核心變量。隨著GPU革命的到來，數(shù)據(jù)中心逐漸轉變?yōu)椤癆I工廠”，其中GPU機架的功率密度接近Web服務器的100倍，并且仍呈現(xiàn)指數(shù)級增長。曾經(jīng)處于次要地位的電力基礎設施，如今已經(jīng)能夠與計算空間所占據(jù)的空間相匹敵，甚至超越了后者。為了滿足AI數(shù)據(jù)中心快速增長的能耗需求，800VDC架構應運而生。與機架內的54 VDC或480VAC系統(tǒng)相比，800VDC顯著降低了電流、銅使用量和電纜體積，同時保持了安全性和可擴展性。其通過簡化電源路徑、提升傳輸電壓等方式可有效提升整體能量效率和密度。
　　800VDC優(yōu)異的性能表現(xiàn)，背后離不開GaN（氮化鎵）及SiC（碳化硅）功率半導體的支撐。因為氮化鎵及碳化硅屬于寬禁帶半導體材料，高壓、高頻、高效等場景下具有獨特優(yōu)勢，能夠滿足800V系統(tǒng)對性能、效率和可靠性的要求。隨著AI數(shù)據(jù)中心、新能源車、人形機器人等需求拉動，氮化鎵及碳化硅市場容量前景可觀，以氮化鎵功率器件為例，TrendForce預估其市場規(guī)模將從2024年的3.9億美金攀升至2030年的35.1億美金，年復合增長率達44%，合計增長近10倍。而碳化硅器件，則憑借其優(yōu)異的耐高壓特性，以及此前在汽車電力系統(tǒng)多年的蓄力，同樣有望在AI數(shù)據(jù)中心供電體系大展拳腳。
　　投資建議：建議關注氮化鎵及碳化硅產業(yè)鏈，如三安光電、晶方科技、華潤微、英諾賽科（港股）、天岳先進、斯達半導、士蘭微、時代電氣等。
　　風險提示：1）供應鏈風險；2）國產產品性能不及預期的風險；3）市場需求不及預期的風險。