>> 東吳證券-2026年度半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)策略：看好存儲&先進(jìn)邏輯擴(kuò)產(chǎn)，設(shè)備商國產(chǎn)化迎新機(jī)遇-260227
| 上傳日期： |
2026/2/27 |
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| 3101KB |
| 格式： |
pdf 共58頁 |
來源： |
東吳證券 |
| 評級： |
超配 |
作者： |
周爾雙，李文意 |
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投資要點(diǎn)
AI驅(qū)動先進(jìn)邏輯與存儲擴(kuò)產(chǎn)，資本開支進(jìn)入新一輪上行周期。在AI算力需求爆發(fā)背景下，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模持續(xù)創(chuàng)新高。先進(jìn)邏輯端，F(xiàn)inFET向GAA/CFET演進(jìn)，5nm及以下制程單位產(chǎn)能設(shè)備投資額顯著提升，單萬片/月產(chǎn)能投資額較28nm提升數(shù)倍；存儲端，HBM帶動DRAM高階制程升級，3DNAND向400層以上堆疊演進(jìn)，單萬片產(chǎn)能投資額同步提升。中國大陸晶圓產(chǎn)能全球占比仍低于銷售占比，邏輯與存儲龍頭資本開支維持高位，疊加兩大存儲廠商上市融資在即，擴(kuò)產(chǎn)動能具備持續(xù)性，支撐前道設(shè)備景氣度中長期上行。
制程迭代推動設(shè)備結(jié)構(gòu)升級，刻蝕與薄膜沉積價值量提升。先進(jìn)制程結(jié)構(gòu)復(fù)雜化帶動圖形化環(huán)節(jié)投資強(qiáng)度提升。邏輯端GAA結(jié)構(gòu)、存儲端高層數(shù)3D堆疊，對高深寬比刻蝕（HAR）、高選擇比刻蝕（ALE）以及ALD等原子級沉積技術(shù)提出更高要求?？涛g與薄膜沉積在前道設(shè)備中的價值占比位居前三，且隨制程演進(jìn)呈提升趨勢。多重曝光、先進(jìn)金屬材料替代及新型結(jié)構(gòu)引入，使設(shè)備數(shù)量與工藝復(fù)雜度同步提升，設(shè)備投資呈現(xiàn)“技術(shù)節(jié)點(diǎn)越先進(jìn)、單位投資越高”的乘數(shù)效應(yīng)，核心平臺型設(shè)備商與細(xì)分龍頭有望持續(xù)受益。
外部制裁強(qiáng)化自主可控邏輯，國產(chǎn)替代進(jìn)入加速階段。美國、荷蘭、日本持續(xù)強(qiáng)化對14nm及以下先進(jìn)制程設(shè)備出口限制，中國大陸作為全球最大設(shè)備需求市場，進(jìn)口依賴度較高的涂膠顯影、清洗、量檢測、光刻等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率仍低于25%。在政策支持與大基金三期落地背景下，國內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)將更加傾向國產(chǎn)設(shè)備采購。測算顯示半導(dǎo)體設(shè)備整體國產(chǎn)化率已由2017年的13%提升至2024年的20%，預(yù)計2025年達(dá)22%，仍具備廣闊提升空間。平臺型廠商覆蓋面擴(kuò)大、技術(shù)持續(xù)突破，將在先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝領(lǐng)域獲得更大份額。
投資建議：重點(diǎn)推薦前道平臺化設(shè)備商【北方華創(chuàng)】【中微公司】，低國產(chǎn)化率環(huán)節(jié)設(shè)備商【芯源微】【中科飛測】【精測電子】，薄膜沉積設(shè)備商【拓荊科技】【微導(dǎo)納米】，后道封裝測試設(shè)備【華峰測控】【長川科技】【邁為股份】；零部件環(huán)節(jié)【新萊應(yīng)材】【富創(chuàng)精密】【晶盛機(jī)電】【英杰電氣】【漢鐘精機(jī)】。
風(fēng)險提示：半導(dǎo)體行業(yè)投資不及預(yù)期，設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程不及預(yù)期，技術(shù)迭代及工藝路線變化風(fēng)險。
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