鉿在存儲、CPU、GPU中的應(yīng)用，大有可為
（1）先進(jìn)制程領(lǐng)域，氧化鉿可作為高k柵介質(zhì)（HKMG），據(jù)Goodfellow，氧化鉿（HfO2）擁有相對較高的介電常數(shù)（k~20-25）、大帶隙（~5.7eV），氧化鉿基高k材料有望逐步替代傳統(tǒng)二氧化硅SiO2，抑制柵極隧穿漏電、控制芯片功耗，可用于CPU/GPU核心晶體管等場景。據(jù)eetimes，Intel、臺積電、三星等均有布局。
?。?）DRAM領(lǐng)域，氧化鉿可作為高k電容介質(zhì)，據(jù)《HfO2基薄膜的介電、鐵電性能調(diào)控及相關(guān)信息存儲器》，HfO？基材料可替代SiO？/SiON作堆疊電容介質(zhì)，在保持較低漏電流密度（<10–7 A/
[email protected] V）的前提下實現(xiàn)高介電常數(shù)（>40），從而提升容量、降低漏電。隨著DRAM工藝節(jié)點進(jìn)入20 nm以下，三星、海力士、美光等DRAM公司已普遍采用該方案。據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局，國內(nèi)長鑫存儲亦有布局。
?。?）3DNAND領(lǐng)域，據(jù)《ACase Study of HfO2/Al2O3 Nanolaminated Stacks》HfO？基材料用于3DNAND的隧穿氧化層（TO）、電荷俘獲層（CTL）、阻擋氧化層（BO）。據(jù)三星、海力士官網(wǎng)以及國家知識產(chǎn)權(quán)局，三星、海力士、長江存儲已在此領(lǐng)域積極探索與布局。
海外鉿金屬價格持續(xù)上漲，鋯鉿項目打開長期想象空間
海外鉿金屬價格持續(xù)破歷史新高，據(jù)Strategic Metals Invest，截至2026年5月15日，鉿金屬海外報價12508美元/千克（折合人民幣約8500萬元/噸），較年初+31.67%，同比+196.46%，持續(xù)創(chuàng)歷史新高。據(jù)阿格斯，鑒于燃?xì)廨啓C、存儲芯片、商業(yè)航天、核電站領(lǐng)域的鉿需求已遠(yuǎn)超當(dāng)前供應(yīng)能力，預(yù)計鉿金屬將出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性短缺格局，鉿金屬漲價或有望持續(xù)。2025年7月，公司擬投資建設(shè)2萬噸鋯鉿分離項目。截至2026年4月，公司鋯鉿分離半工業(yè)化產(chǎn)線已可連續(xù)且穩(wěn)定產(chǎn)出4N級以上氧氯化鉿及氧氯化鋯，均為電子級產(chǎn)品，預(yù)計投產(chǎn)在即。
盈利預(yù)測與估值
鉿在存儲、CPU、GPU中的應(yīng)用，大有可為。公司鋯鉿項目穩(wěn)步推進(jìn)，長期成長空間廣闊。預(yù)計2026-2028年公司歸母凈利潤為3.96、6.51、7.52億元，EPS分別為0.94、1.54、1.78元，維持“買入”評級。
風(fēng)險提示
價格波動風(fēng)險；在研項目的研發(fā)進(jìn)度不及預(yù)期風(fēng)險；下游應(yīng)用不及預(yù)期風(fēng)險。
