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事件：2023年3月6日TCL中環(huán)公布了最新的硅片價(jià)格，新推出N型110μm硅片，210/182報(bào)價(jià)分別為8.02/6.14元/片，價(jià)格低于P型150μm硅片，210/182報(bào)價(jià)分別為8.20/6.22元/片。
　　投資要點(diǎn)
　　薄片化是HJT特有的降本項(xiàng)，助力&充分受益NP硅片同價(jià)：（1）HJT采用低溫工藝和板式鍍膜設(shè)備，結(jié)合鏈?zhǔn)轿s等工藝目前硅片厚度顯著薄于PERC和TOPCon且有更大的硅片減薄潛力：PERC硅片理論極限150微米，TOPCon理論極限厚度130微米，HJT量產(chǎn)片厚逐步切換120微米，理論極限80微米，此次中環(huán)推出110微米N型硅片意味著更薄硅片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程加速。（2）HJT將充分受益且助推硅片薄片化帶來的NP硅片同價(jià)。此次中環(huán)新增110微米的N型硅片價(jià)格均低于P型150μm硅片，我們認(rèn)為硅片薄片化能夠節(jié)省硅料、降低硅片生產(chǎn)成本，但反映到售價(jià)端仍有進(jìn)一步下降的空間，以210為例，N型110微米硅片相較于P型150微米硅片厚度下降26.7%，售價(jià)下降2.2%，價(jià)格下降幅度低于硅料節(jié)約幅度。未來隨著N型硅片規(guī)?；纬沙浞指?jìng)爭(zhēng)后有望進(jìn)一步降低N型硅片售價(jià)，推動(dòng)HJT產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
　　HJT硅片端優(yōu)勢(shì)明顯，硅棒利用率&良率更高：HJT除了硅片薄片化優(yōu)勢(shì)外，在半棒半片切割&頭尾料利用&邊皮利用等技術(shù)加持下，HJT的硅棒利用率比TOPCon高10%、良率高4%。（1）半棒半片切割能夠提高4%良率；（2）頭尾料利用等提高6%硅棒利用率；（3）TOPCon黑芯片問題放大了HJT硅棒利用率優(yōu)勢(shì)約3%；（4）邊皮利用：TOPCon中邊皮的效率損失至少有0.15-0.2%，而HJT只有0.05%。
　　HJT單W硅片成本具備更大下降潛力：（1）HJT：若硅料100元/KG、HJT硅片厚度為80微米時(shí)，我們測(cè)算得到HJT硅片成本約0.32元/W；（2）TOPCon：若硅料100元/KG、TOPCon硅片厚度為130微米時(shí)，我們測(cè)算得到TOPCon硅片成本約0.39元/W；（3）PERC：若硅料降低至100元/KG、PERC硅片厚度為150微米時(shí)，硅片成本約0.31元/W，我們測(cè)算得到PERC硅片成本約0.39元/W。
　　HJT薄硅片的切片難度增大，我們看好切片代工模式滲透率提升：（1）目前HJT規(guī)模偏小，切片模式多樣，①自主切片：華晟通過購買高測(cè)和宇晶的切片機(jī)、購買雙良的單晶方錠來自主切半片，積極推動(dòng)HJT硅片薄片化；金剛購買中環(huán)N型整片來自主切半片，樹立自主品牌。②合資切片：華晟與華民股份、宇晶等共同投資設(shè)立合資公司在安徽宣城建設(shè)10GWHJT硅片項(xiàng)目。（2）未來HJT硅片越來越薄，對(duì)切片要求提升，而第三方切片代工廠切片技術(shù)優(yōu)勢(shì)顯著，我們認(rèn)為切片代工滲透率將逐步提升，最佳模式為以切片代工為主，企業(yè)保留部分自主切片產(chǎn)能以保持技術(shù)研發(fā)敏感度。
　　投資建議：電池片設(shè)備環(huán)節(jié)推薦邁為股份，建議關(guān)注捷佳偉創(chuàng)、金辰股份；硅片設(shè)備環(huán)節(jié)推薦晶盛機(jī)電、高測(cè)股份；組件設(shè)備環(huán)節(jié)推薦奧特維；熱場(chǎng)環(huán)節(jié)推薦金博股份。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：HJT產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程不及預(yù)期。