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核心觀點(diǎn)
　　半導(dǎo)體存儲將隨數(shù)據(jù)量的增加向高密度、大容量方向發(fā)展。半導(dǎo)體存儲通過半導(dǎo)體介質(zhì)貯存電荷進(jìn)行信息存儲。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，22年全球集成電路規(guī)模為4744億美元，其中存儲芯片規(guī)模為1298億美元(占23%)，與邏輯芯片構(gòu)成集成電路的兩大支柱。未來NAND從平面到4D發(fā)展；DRAM制程不斷縮小，DDR5加速滲透；HBM等先進(jìn)封裝將在AI服務(wù)器等高性能領(lǐng)域加速滲透。
　　存儲產(chǎn)業(yè)：周期與成長并存。存儲芯片偏標(biāo)準(zhǔn)化，資金投入隨工藝節(jié)點(diǎn)升級而陡增，使得行業(yè)進(jìn)入壁壘高企，因此行業(yè)周期性強(qiáng)且CR3超90%。目前存儲價(jià)格持續(xù)下降，需求疲軟導(dǎo)致周期底部拉長至3Q23后。原廠陸續(xù)減產(chǎn)、削減資本開支，預(yù)計(jì)2H23價(jià)格降幅有望收窄，行業(yè)觸底后將以低增速回暖。未來數(shù)據(jù)量增加，單位服務(wù)器NAND用量將增加3倍、DRAM增加2倍；21-27年汽車智能化的存儲需求增長復(fù)合增速為20%。
　　上游存儲芯片：國產(chǎn)化進(jìn)程加速。DRAM市場CR3超95%，主要應(yīng)用為移動設(shè)備(36%)和服務(wù)器(19%)；NANDFlash市場CR6占98%，主要產(chǎn)品為固態(tài)硬盤(SSD)。目前中國存儲需求占全球30%，自給率低于10%，長存、長鑫等國產(chǎn)廠商與設(shè)備商共同推動國產(chǎn)化進(jìn)程加速。此外，利基存儲市場合計(jì)超164億美元，海外大廠持續(xù)退出，國產(chǎn)廠商嶄露頭角迎成長新機(jī)。
　　下游存儲模組：企業(yè)級與行業(yè)級市場為主要增長點(diǎn)。SSD與嵌入式存儲為NANDFlash模組的主要形式，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)22-28年SSD市場總規(guī)模將從290億美金增至670億美金，CAGR為15%；其中企業(yè)級與行業(yè)級SSD為主增長點(diǎn)。DRAM模組(DIMM)主要增長來源為服務(wù)器，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，22-28年RDIMM出貨量年復(fù)合增速達(dá)15%，LRDIMM和其他服務(wù)器內(nèi)存模組增速為21%。
　　模組側(cè)配套芯片：SSD與DDR5滲透驅(qū)動行業(yè)加速成長。NANDFlash模組主控芯片是存儲器的大腦，全球SSD主控芯片中門檻較高的企業(yè)級SSD占12.4%，工業(yè)級占3.7%，為國產(chǎn)廠商主要發(fā)力方向。隨DDR5滲透，DRAM模組在內(nèi)存接口芯片基礎(chǔ)上加入串行檢測集線器、溫度傳感器以及電源管理芯片等配套芯片，其市場將由21年7.1億美元增至27年約40億美元，復(fù)合增速約為28%。
　　產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)公司：國產(chǎn)化為存儲產(chǎn)業(yè)主旋律，企業(yè)級與行業(yè)級應(yīng)用為主要發(fā)力方向。相關(guān)公司包括利基存儲的北京君正、兆易創(chuàng)新、東芯股份、普冉股份等，封測與設(shè)備環(huán)節(jié)的通富微電、中微公司、拓荊股份及雅克科技，模組環(huán)節(jié)的江波龍，模組套片或主控芯片的瀾起科技等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：1、需求不及預(yù)期；2、市場競爭惡化；3、原材料采購受限。