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核心要點(diǎn)：
　　2023年7月17日-2023年7月28日，半導(dǎo)體行業(yè)下跌
　　前兩周，滬深300上漲2.4%，上證綜指上漲1.18%；深證成指微幅上漲0.18%，科創(chuàng)50下跌2.92%。行業(yè)指數(shù)方面，受半導(dǎo)體行業(yè)海外龍頭公司的Q3需求預(yù)期趨于保守疊加國(guó)內(nèi)部分半導(dǎo)體企業(yè)業(yè)績(jī)不佳影響，申萬(wàn)半導(dǎo)體指數(shù)下跌4.46%；子板塊中僅模擬芯片設(shè)計(jì)板塊上漲0.35%。
　　費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)震蕩上行，關(guān)注存儲(chǔ)下游需求復(fù)蘇和“新品競(jìng)賽”
　　受部分龍頭如LAMResearch、英特爾等公司最新財(cái)報(bào)業(yè)績(jī)向好，疊加AI需求持續(xù)強(qiáng)勁影響，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)震蕩上行走勢(shì)延續(xù)。2023年7月28日指數(shù)收于3851.76點(diǎn)，雙周同比上漲0.38%。
　　存儲(chǔ)市場(chǎng)，據(jù)存儲(chǔ)龍頭最新發(fā)布的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)來(lái)看，DRAM產(chǎn)品的出貨量受季節(jié)周期性因素影響環(huán)比出現(xiàn)增長(zhǎng)，但價(jià)格仍處于磨底階段。目前拉動(dòng)存儲(chǔ)龍頭業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力是與AI應(yīng)用相關(guān)的DDR5新產(chǎn)品及HBM存儲(chǔ)產(chǎn)品。NandFlash市場(chǎng)，目前供給端的產(chǎn)能縮減調(diào)整仍在推進(jìn)，同時(shí)7月份受供給端的價(jià)格策略調(diào)整、市場(chǎng)以價(jià)換量的動(dòng)作減少影響，Nand價(jià)格目前處于低位震蕩階段；建議緊密關(guān)注存儲(chǔ)下游需求的變動(dòng)情況。
　　美光推出業(yè)界首款HBM3 Gen2內(nèi)存，HBM3性能優(yōu)勢(shì)顯著，在高性能計(jì)算、圖形處理和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景
　　技術(shù)不斷演進(jìn)，HBM新品的信息傳輸速率、帶寬持續(xù)提升，功耗持續(xù)優(yōu)化，HBM3性能優(yōu)勢(shì)顯著，應(yīng)用前景廣闊。TrendForce預(yù)計(jì)2023年全球HBM需求量將年增近60%，2024年需求增速或高于30%；HBM3與HBM3e將成為2024年市場(chǎng)的主流產(chǎn)品。
　　投資建議
　　傳統(tǒng)消費(fèi)終端需求依舊平淡，需求的變動(dòng)是半導(dǎo)體市場(chǎng)的主要影響因素，建議緊密關(guān)注終端產(chǎn)品出貨量的變動(dòng)。2023年數(shù)字化建設(shè)在多領(lǐng)域的穩(wěn)步推進(jìn)及人工智能大模型的產(chǎn)業(yè)化落地加速，為產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展帶來(lái)新動(dòng)能，建議關(guān)注數(shù)字經(jīng)濟(jì)建設(shè)及AI技術(shù)發(fā)展為GPU、存儲(chǔ)、CPU及傳感器等領(lǐng)域帶來(lái)的需求增量。中長(zhǎng)期，汽車電動(dòng)化滲透率及國(guó)內(nèi)新能源車出口量的提升，疊加能源基礎(chǔ)設(shè)施的需求增長(zhǎng)將驅(qū)動(dòng)中高壓功率器件的市場(chǎng)需求上行。建議持續(xù)關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)，維持行業(yè)“增持”評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　下游市場(chǎng)需求不足；研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期；宏觀政策變化不及預(yù)期