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事件點(diǎn)評(píng)
　　美國(guó)芯片巨頭英特爾9月18日宣布推出業(yè)界首款用于下一代先進(jìn)封裝的玻璃基板，計(jì)劃于2026年至2030年量產(chǎn)，憑借單一封裝納入更多晶體管，預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的算力，持續(xù)推進(jìn)摩爾定律極限，這也是英特爾從封裝測(cè)試下手，面對(duì)臺(tái)積電新策略。
　　玻璃基板保證單個(gè)較小尺寸封裝內(nèi)配置更多芯片，最大限度地降低成本和功耗。IC封裝提供從半導(dǎo)體管芯或芯片到電路板（通常稱為主板）的電、熱和機(jī)械過(guò)渡。IC封裝的一個(gè)關(guān)鍵要素是基板，它本質(zhì)上是一塊帶有銅跡線的微型電路板，可粘合到芯片上的輸入/輸出(I/O)、電源和接地焊盤，并將這些焊盤電氣連接到電路板?；鍨樾酒峁﹫?jiān)固機(jī)械結(jié)構(gòu)，并與半導(dǎo)體芯片熱膨脹系數(shù)熱匹配。（1）電氣方面：與現(xiàn)代有機(jī)基板相比，玻璃具有更好的熱性能、物理性能和光學(xué)性能，使用玻璃材料能夠提高芯片供電效率，互連密度可提高10倍，將帶寬近翻倍提升至448G。玻璃能承受更高工作溫度，并能通過(guò)增強(qiáng)平面度將圖案失真減少50%，從而提高光刻聚焦深度，且為設(shè)計(jì)人員提供了更多的電源傳輸和信號(hào)布線靈活性。由于互連密度增加，與半導(dǎo)體芯片連接數(shù)量的增加轉(zhuǎn)化為與底層電路板更多I/O連接、小芯片之間多連接以及封裝中含更多小芯片。玻璃基板容易接受光纖收發(fā)器等電光組件，與銅線相比，光纖收發(fā)器在更長(zhǎng)距離內(nèi)可以更快速度實(shí)現(xiàn)IC到IC的I/O通信。（2）熱學(xué)和機(jī)械方面：玻璃基板比當(dāng)今常用基板材料具有更好耐熱性。由于玻璃本質(zhì)上是二氧化硅，其熱膨脹系數(shù)與附著在基板上硅芯片的熱膨脹系數(shù)相似，因此基板和半導(dǎo)體芯片之間有更好的熱匹配，當(dāng)IC運(yùn)行并產(chǎn)生熱量時(shí)，芯片往往會(huì)保持共面，因此可更可靠連接。簡(jiǎn)而言之，玻璃基板將使芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單個(gè)較小尺寸內(nèi)封裝更多芯片（或芯片單元），同時(shí)最大限度地降低成本和功耗。
　　最早有望于2026年推出完整玻璃基板解決方案，率先用于高性能領(lǐng)域。英特爾表明，玻璃基板對(duì)于基板材料是一項(xiàng)重大突破，可解決有機(jī)材質(zhì)基板用于芯片封裝產(chǎn)生的翹曲問(wèn)題，突破現(xiàn)有傳統(tǒng)基板限制，讓半導(dǎo)體封裝晶體管數(shù)量極限最大化，同時(shí)更省電、更具散熱優(yōu)勢(shì)；預(yù)計(jì)在2026至2030年推出完整的玻璃基板解決方案，其性能有望超越18A制程節(jié)點(diǎn)，將率先導(dǎo)入需要更大體積封裝、更高速應(yīng)用及工作負(fù)載的資料中心、AI、制圖處理等高性能領(lǐng)域；到2030年之前，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)很可能會(huì)達(dá)到使用有機(jī)材料在硅封裝上延展晶體管數(shù)量的極限，有機(jī)材料不僅更耗電，且有著膨脹與翹曲等限制，而玻璃基板技術(shù)突破是下一代半導(dǎo)體確實(shí)可行且不可或缺環(huán)節(jié)；該突破使封裝技術(shù)能夠持續(xù)擴(kuò)展，實(shí)現(xiàn)在單一封裝中容納1兆個(gè)晶體管目標(biāo)，并將摩爾定律延續(xù)到2030年之后。
　　投資建議：ChatGPT依賴大模型、大數(shù)據(jù)、大算力支撐，其出現(xiàn)標(biāo)志著通用人工智能的起點(diǎn)及強(qiáng)人工智能的拐點(diǎn)，未來(lái)算力將引領(lǐng)下一場(chǎng)數(shù)字革命，GPU等高性能芯片需求持續(xù)增長(zhǎng)，作為下一代先進(jìn)封裝的玻璃基板，其市場(chǎng)空間廣闊。建議關(guān)注率先布局玻璃基板相關(guān)技術(shù)廠商。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：宏觀經(jīng)濟(jì)變動(dòng)沖擊半導(dǎo)體供應(yīng)鏈；人工智能發(fā)展不及預(yù)期；先進(jìn)封裝需求不及預(yù)期；玻璃基板技術(shù)研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期。