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核心結(jié)論
　　深耕ALD技術(shù)領(lǐng)域，向光伏、半導(dǎo)體領(lǐng)域延伸。公司于2015年成立，主要從事先進(jìn)微、納米級(jí)薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)和銷(xiāo)售，基于ALD技術(shù)向光伏、半導(dǎo)體領(lǐng)域擴(kuò)展。全球首創(chuàng)將ALD技術(shù)規(guī)?；瘧?yīng)用于光伏領(lǐng)域，在PERC、TOPCon、XBC以及鈣鈦礦領(lǐng)域均實(shí)現(xiàn)出貨；在半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司產(chǎn)品可應(yīng)用于邏輯、存儲(chǔ)、3D-IC等鍍膜制造領(lǐng)域。
　　光伏N型電池技術(shù)加速滲透，公司有望深度受益。光伏領(lǐng)域，公司基于深厚技術(shù)積累已研發(fā)出ALD、PECVD、PEALD、擴(kuò)散爐等多款光伏設(shè)備產(chǎn)品，并持續(xù)推進(jìn)以ALD為核心的TOPCon整線方案。伴隨TOPCon、HJT、XBC技術(shù)等N型電池加速滲透，我們預(yù)計(jì)2025年公司設(shè)備市場(chǎng)空間有望達(dá)405.9億元，22-25年CAGR=78%。公司光伏鍍膜設(shè)備性能參數(shù)領(lǐng)先，已覆蓋隆基、通威、晶科、天合、晶澳等龍頭廠商，形成長(zhǎng)期合作關(guān)系，有望充分受益N型電池大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)。
　　半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。邏輯芯片領(lǐng)域，公司在國(guó)內(nèi)首次成功將High-k原子層沉積設(shè)備應(yīng)用于28nm集成電路制造前道量產(chǎn)線，打破壟斷；存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，公司ALD設(shè)備在高K柵電容介質(zhì)層、介質(zhì)覆蓋層、電極、阻擋層等工藝中的優(yōu)勢(shì)使其被廣泛應(yīng)用于DRAM、3D-NAND、新型存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。我們預(yù)計(jì)2025年國(guó)內(nèi)ALD設(shè)備市場(chǎng)空間有望達(dá)126.6億元，22-25年CAGR=24%。公司半導(dǎo)體ALD產(chǎn)品可沉積金屬薄膜，相比沉積非金屬薄膜為主的拓荊科技等其他國(guó)內(nèi)廠商具有差異化優(yōu)勢(shì)，有望在邏輯、存儲(chǔ)、3D-IC等領(lǐng)域快速滲透。
　　投資建議：預(yù)計(jì)公司23-25年歸母凈利潤(rùn)分別為1.3/3.13/5.46億元，同比+139.4%/+141.5%/+74.6%?？紤]到公司作為國(guó)內(nèi)ALD設(shè)備龍頭，光伏、半導(dǎo)體業(yè)務(wù)持續(xù)放量，給予公司24年75xPE，目標(biāo)價(jià)51.75元，首次覆蓋給予“買(mǎi)入”評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：光伏裝機(jī)不及預(yù)期；新技術(shù)滲透不及預(yù)期；新產(chǎn)品研發(fā)不及預(yù)期