>> 廣發(fā)證券-半導(dǎo)體行業(yè)國產(chǎn)替代核心技術(shù)系列：極高深寬比刻蝕研發(fā)驗證穩(wěn)步推進，支撐3D NAND產(chǎn)業(yè)升級-231020
| 上傳日期： |
2023/10/21 |
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| 1168KB |
| 格式： |
pdf 共13頁 |
來源： |
廣發(fā)證券 |
| 評級： |
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作者： |
王亮,耿正,焦鼎 |
| 下載權(quán)限： |
此報告為加密報告 |
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核心觀點：
存儲器架構(gòu)從二維向三維轉(zhuǎn)變，帶來刻蝕設(shè)備用量提升。目前提升存儲器件集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬，而是增加堆疊的層數(shù)。在3DNAND中，垂直堆疊的存儲單元層通過垂直通孔相互連接，存儲容量隨著堆疊層數(shù)的增加而增加。目前3DNAND最多可以堆疊至232層。3DNAND中垂直通孔、側(cè)面階梯、多層觸點等復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)需要大量刻蝕工藝環(huán)節(jié)，相比于2DNAND，對刻蝕設(shè)備的需求比例顯著加大。
高深寬比刻蝕是3DNAND工藝中的核心技術(shù)，堆疊層數(shù)增加給極高深寬比刻蝕帶來挑戰(zhàn)。高深寬比刻蝕是3DNAND制造中最核心的技術(shù)，主要用于形成層間垂直通孔、狹縫和多層觸點等結(jié)構(gòu)。隨著3DNAND堆疊層數(shù)不斷增加，刻蝕深度加深，深寬比增加，刻蝕工藝難度也不斷提升。深寬比在40：1以上的極高深寬比刻蝕面臨著刻蝕速率降低、弓形彎曲、扭曲等挑戰(zhàn)，對刻蝕設(shè)備的性能指標(biāo)提出了更高的要求，需要刻蝕設(shè)備具有更大的等離子體密度、更高的離子濺射、更高的工藝氣體流速、更長的工藝時間和更低的壓力。
中微公司布局極高深寬比刻蝕產(chǎn)品，深寬比不斷提升。目前，中微公司是國內(nèi)配套高深寬比工藝的主要設(shè)備供應(yīng)商，公司自主開發(fā)了極高深比刻蝕機，該設(shè)備用400 KHz取代2 MHz作為偏壓射頻源，以獲得更高的離子入射能量和準(zhǔn)直性，使得深孔及深槽刻蝕關(guān)鍵尺寸的大小符合規(guī)格。未來，伴隨相關(guān)工藝技術(shù)驗證的推進和下游客戶產(chǎn)能的擴張，公司有望充分受益于3DNAND對高深寬比刻蝕工藝需求的提升。
投資建議。高深寬比刻蝕是3DNAND的核心技術(shù)環(huán)節(jié)。隨著本土晶圓產(chǎn)能的持續(xù)擴張，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望依托自身的產(chǎn)品競爭力、廣闊的份額增長空間和品類擴張能力，加速提升相關(guān)領(lǐng)域的國產(chǎn)替代份額。建議關(guān)注在高深寬比刻蝕領(lǐng)域處于國內(nèi)領(lǐng)先地位的中微公司。
風(fēng)險提示。下游擴產(chǎn)不及預(yù)期；國產(chǎn)廠商技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期；零部件供應(yīng)風(fēng)險。
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