>> 國泰君安-電子元器件行業(yè)半導(dǎo)體新一輪景氣周期推薦系列之八：SiC車規(guī)級應(yīng)用滲透率加速，國產(chǎn)供應(yīng)鏈全面崛起-240723
| 上傳日期： |
2024/7/23 |
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| 519KB |
| 格式： |
pdf 共3頁 |
來源： |
國泰君安 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
舒迪 |
| 行業(yè)名稱： |
電子元器件 |
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本報告導(dǎo)讀：
800V高壓平臺升級，SiC車規(guī)級應(yīng)用滲透率加速提升。SiC國產(chǎn)供應(yīng)鏈崛起，襯底外延器件全面突破。
投資要點：
800V高壓平臺升級，SiC車規(guī)級應(yīng)用滲透率加速提升。SiC器件主要應(yīng)用于新能源車的電機(jī)控制器、車載充電機(jī)OBC、DC/DC變換器等。相較Si器件，SiC器件具有以下優(yōu)點（1）能量損耗低：導(dǎo)通電阻低，同規(guī)格SiC-MOS相較Si-IGBT總能量損失可降低約80%。（2）器件尺寸?。簱p耗低且電流密度高，同規(guī)SiC-MOS僅為Si-MOS原尺寸的1/10。（3）開關(guān)頻率高：不存在電流拖尾現(xiàn)象，大幅提高實際開關(guān)頻率。（4）工作溫度高：熱導(dǎo)率高，器件散熱容易，降低對散熱系統(tǒng)的需求，利于終端輕量化和小型化。2021年，汽車對SiC器件需求提升，SiC進(jìn)入供應(yīng)短缺狀態(tài)。國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，根據(jù)NE時代，2023年國內(nèi)上險乘用車主驅(qū)碳化硅模塊滲透率約為10.7%，下半年800V車型中SiC滲透率顯著提升：6-12月800V車型中SiC車型占比分別為15%、18%、29%、35%、39%、45%，其中12月問界M9、理想MEGA等多個碳化硅車型上市。
SiC國產(chǎn)供應(yīng)鏈崛起，襯底外延器件全面突破。襯底：國產(chǎn)襯底突破速度快，海外大廠英飛凌、博世、安森美等公司已開始批量在6英寸的SiCMOS級產(chǎn)品制造中使用國產(chǎn)襯底。據(jù)SMIA，2023年中國碳化硅襯底材料出貨89.4萬片（折合6英寸），比2022年的30萬片增長297.9%，據(jù)估算，我國2023年的碳化硅襯底產(chǎn)能已占到全球產(chǎn)能的42%。8英寸方面，多家襯底廠商已完成研發(fā)，具備量產(chǎn)能力。外延：國內(nèi)相關(guān)外延廠商已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，可供應(yīng)4-6英寸外延片。8英寸方面，國內(nèi)已實現(xiàn)國產(chǎn)8英寸SiC襯底上同質(zhì)外延生長，具備8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力。
工藝持續(xù)優(yōu)化驅(qū)動成本持續(xù)降低。6英寸方面，行業(yè)電阻長晶爐實現(xiàn)突破，使用溶液法理念并利用PVT法單晶穩(wěn)定生長的優(yōu)勢制備出多顆中心厚度超過80mm，薄點厚度超過60mm的導(dǎo)電型6英寸碳化硅單晶，厚度為目前業(yè)內(nèi)主流晶體厚度的3倍，單片成本較原來降低70%，推動襯底成本持續(xù)降低方面的巨大潛力。8英寸方面，無需外延的離子注入工藝將解決電子轉(zhuǎn)移速度降低，以及外延片成本過高等大規(guī)模生產(chǎn)的主要障礙，有助于將SiCMOSFET襯底成本降低30%，為具有良好均勻性和再現(xiàn)性的高質(zhì)量離子注入大規(guī)模生產(chǎn)工藝奠定堅實的基礎(chǔ)。推薦標(biāo)的：士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)、新潔能；相關(guān)受益標(biāo)的：芯聯(lián)集成、華潤微等。
催化劑。SiC滲透率上升；SiC成本下降。
風(fēng)險提示。國產(chǎn)化進(jìn)度不及預(yù)期；政策與國際關(guān)系變化
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