>> 申萬宏源-電子行業(yè)化合物半導(dǎo)體系列報告之三：碳化硅，國內(nèi)彎道超車趨勢已現(xiàn)-250627
| 上傳日期： |
2025/6/27 |
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| 1590KB |
| 格式： |
pdf 共22頁 |
來源： |
申萬宏源 |
| 評級： |
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作者： |
楊海晏,楊紫璇 |
| 行業(yè)名稱： |
電子 |
| 下載權(quán)限： |
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碳化硅具有耐高溫、高壓等優(yōu)勢，滲透率提升空間大。隨著應(yīng)用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展迅速。與第一代半導(dǎo)體材料硅相比，碳化硅具備更高的擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導(dǎo)性和熱穩(wěn)定性，更適合在高壓、高頻、高功率等領(lǐng)域中應(yīng)用，并且能實現(xiàn)器件小型化、輕量化。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2024年SiC材料滲透率從2020年4%提升到15%。
海外大廠發(fā)生較多變動，SiC競爭格局或收斂。Wolfspeed在2024年關(guān)閉達(dá)勒姆6英寸工廠，2025年5月正式啟動破產(chǎn)保護(hù)申請程序，近期宣布將依據(jù)重組協(xié)議申請破產(chǎn)；瑞薩電子終止原定2025年量產(chǎn)的群馬縣SiC工廠計劃，解散業(yè)務(wù)團(tuán)隊；羅姆為應(yīng)對財務(wù)壓力，已將其位于宮崎縣的新SiC工廠的生產(chǎn)時間從2024年推遲到2025年。
各個環(huán)節(jié)我們競爭力如何？1）襯底、外延環(huán)節(jié)國產(chǎn)廠商彎道超車趨勢已現(xiàn)。2）器件環(huán)節(jié)，國產(chǎn)廠商競速發(fā)展。以比亞迪半導(dǎo)體代表的國產(chǎn)碳化硅模塊企業(yè)表現(xiàn)出了強勁的增長態(tài)勢，如芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)、基本半導(dǎo)體等不僅具備模塊的供應(yīng)能力，還可自主供應(yīng)碳化硅芯片。
未來需要關(guān)注什么？1）襯底端，AR眼鏡打開碳化硅襯底的第二增長曲線。2）價格端，外延+襯底在產(chǎn)業(yè)鏈制造成本占比；3）器件端，國內(nèi)新能源車上碳化硅節(jié)奏。
投資分析意見：建議關(guān)注國產(chǎn)襯底廠商天科合達(dá)（未上市）等；外延環(huán)節(jié)的天域半導(dǎo)體等；器件環(huán)節(jié)的芯聯(lián)集成、基本半導(dǎo)體，以及國內(nèi)最早具備SiC全產(chǎn)業(yè)鏈一體化布局的三安光電；士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)、華潤微、時代電氣、揚杰科技等均有器件相關(guān)布局。
風(fēng)險提示：1）碳化硅滲透率提升不及預(yù)期；2）國產(chǎn)廠商產(chǎn)能及良率提升不及預(yù)期。
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