>> 華泰證券-科技行業(yè)動態(tài)點評:SEMICONTaiwan,AI驅動下CPO、先進工藝和近存計算的投資機會-250919
| 上傳日期: |
2025/9/19 |
大?。?/td>
| 1928KB |
| 格式: |
pdf 共19頁 |
來源: |
華泰證券 |
| 評級: |
增持 |
作者: |
黃樂平,陳旭東,于可熠 |
| 下載權限: |
此報告為加密報告 |
|
|
過去一周,我們參加了SEMICONTaiwan,并密集走訪了英偉達、谷歌、臺積電等AI算力產業(yè)鏈關鍵公司,參加了硅光、先進工藝等主題論壇。通過本次活動,我們認識到:1)基于先進封裝的多芯片互聯技術、2)先進工藝代工、3)近存計算或是實現AI大規(guī)模計算的三大關鍵技術。未來三年,我們認為,1)先進封裝有望在2027年邁入硅光CPO時代;2)先進工藝有望邁入2nm時代,背面供電、深溝槽等是核心技術;3)近存計算逐步從2.5D邁向3D,CUBE等多元技術路線涌現。建議關注臺積電(硅光+先進工藝)有望在AI驅動下繼續(xù)享受量價齊升的紅利,產業(yè)鏈其他相關公司還包括:TEL/Advantest/ASMPT(半導體設備企業(yè))、華邦電/兆易/芯原(近存計算)等。 #1:多芯片互聯或是算力擴展關鍵,CPO有望2027年大規(guī)模商用 通過這次論壇,我們認識到,多芯片互聯是實現AI算力擴展的關鍵。隨著AI系統架構從Scale up向Scale out演進,并進一步擴展至數據中心間的大規(guī)模集群互聯,傳統銅互連在高頻高速傳輸場景下的信號衰減與功耗問題日益凸顯,而CPO作為硅光與先進封裝的融合方案,能夠在保持高帶寬密度的同時降低傳輸損耗,或將成為突破算力擴展瓶頸的關鍵技術路徑,有望于2027年實現大規(guī)模商用。本次論壇上,臺積電推出COUPE硅光平臺,有望于2026年底率先問世,長期或將成為和插拔式光模塊同等重要的互聯方案。 #2:先進工藝即將步入2nm時代,關注背面供電、深溝槽等新技術 先進工藝平臺是提升AI芯片計算性能、降低功耗的關鍵技術。臺積電在論壇中指出,其2nm工藝平臺(N2)2025年下半年將進入大規(guī)模量產階段。后續(xù)將在N2基礎上推出1.6nm平臺(A16),導入背面供電等技術,進一步優(yōu)化功耗表現,有望成為AI芯片廠商下一代產品的工藝平臺。通過這次論壇,我們確認臺積電在先進工藝代工上相比三星、Intel等同業(yè)的技術優(yōu)勢在繼續(xù)擴大,有望繼續(xù)享受量價齊升的投資機會;ASML/AMAT/LAM/TEL等設備企業(yè)在臺積電的先進工藝產業(yè)鏈中占據重要地位。 #3:近存計算驅動芯片從2.5D走向3D,多元技術路線涌現 本次論壇上,海力士等指出,以HBM為代表的近存計算技術解決了邏輯芯片和存儲之前的高速訪問問題,是AI芯片的關鍵技術之一。展望2026-2027,一方面,現有的HBM技術從目前的12層(HBM3E)向16層(HBM4/HBM4E)演進,進一步提高數據中心用AI芯片的性能;另一方面,1)以華邦電/兆易等提出的3D堆疊方案CUBE,2)基于Chiplet和開源的RISC-V架構等的AI芯片方案(知名架構師Jim Keller/芯原)也受到廣泛關注。我們認為,1)美光/海力士等存儲廠商在HBM4升級趨勢中處于AI產業(yè)鏈的重要環(huán)節(jié),2)ASMPT/Advantest等后道設備企業(yè)在芯片3D堆疊化浪潮中持續(xù)扮演重要角色。 風險提示:半導體周期下行風險,AI需求和技術研發(fā)不達預期的風險。本研報中涉及到未上市公司或未覆蓋個股內容,均系對其客觀公開信息的整理,并不代表本研究團隊對該公司、該股票的推薦或覆蓋。
|
|