>> 東吳證券-中環(huán)股份(002129)CFZ工藝技術(shù)進展良好，降本空間可期-130604
| 上傳日期： |
2013/9/6 |
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pdf |
來源： |
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| 評級： |
強烈推薦 |
作者： |
黃海方，高人元 |
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投資要點
公告：2013年6月4日，公司公告稱直拉區(qū)熔法CFZ單晶工藝技術(shù)取得了進展；采用與晶盛機電定制的國產(chǎn)設(shè)備，實現(xiàn)拉制CFZ單晶用多晶棒料拉晶速度比傳統(tǒng)設(shè)備拉晶速度提高了35%，月產(chǎn)能較傳統(tǒng)設(shè)備提高近25%，晶棒成本下降40%以上，并成功拉制出多顆高效太陽能用CFZ單晶；同日，公司公告稱8寸區(qū)熔硅工藝技術(shù)獲得重大進展，區(qū)熔氣相摻雜單晶硅在國產(chǎn)設(shè)備上的生產(chǎn)開始進入產(chǎn)業(yè)化階段。 我們認為公告至少包括了四個層面的意思。
CFZ單晶硅的可行性進一步得到驗證：公司利用自主知識產(chǎn)權(quán)的相關(guān)工藝、軟件、技術(shù)，在國產(chǎn)CFZ單晶爐上生產(chǎn)出了多晶棒料，并已在區(qū)熔爐上得到應(yīng)用驗證。 各項工藝參數(shù)領(lǐng)先，CFZ產(chǎn)業(yè)化提上日程，CZ過程成本具備進一步下降空間：隨著公司進一步加強拉晶速率和復(fù)投料技術(shù)的工藝研究，CFZ工藝的CZ環(huán)節(jié)將有進一步的成本下降空間；而40%的晶棒成本優(yōu)勢也讓CFZn型硅片的成本具備了和直拉n型硅競爭的實力。這是CFZ技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的重要步驟。
區(qū)熔爐國產(chǎn)化加速，區(qū)熔環(huán)節(jié)成本有望大幅下降：國產(chǎn)區(qū)熔爐的成熟，一方面，用于CFZ工藝FZ階段的設(shè)備投資將大幅下降，進一步降低了CFZ硅片乃至GW中心項目發(fā)電的最終成本；另一方面，國產(chǎn)區(qū)熔爐在交貨周期上將有較大下降空間，未來公司CFZ產(chǎn)能建設(shè)提速可期。 定制化的國產(chǎn)設(shè)備，競爭壁壘進一步提升：CFZ單晶爐和區(qū)熔爐均是公司與晶盛機電聯(lián)合開發(fā)并定制生產(chǎn)的，具備使用的排他性。我們認為，裝備的定制生產(chǎn)為公司在CFZ的專利保護基礎(chǔ)上再添工藝制造壁壘，公司在高效單晶硅領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢將更加顯著。
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