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（2）公司半導(dǎo)體設(shè)備打入國際大廠主流體系，同比增長56%，單晶爐與鋰電設(shè)備高速成長，鋰電設(shè)備同比增長250%。（3）公司17 年Q1業(yè)績預(yù)告盈利0~300 萬元，調(diào)整后16 年同期虧損605 萬元，1 季度同比扭虧。
    業(yè)績保持較快增長，各項(xiàng)指標(biāo)向好。公司高增長符合市場預(yù)期，在16 年業(yè)績保持較快增長的基礎(chǔ)上，17 年1 季度也實(shí)現(xiàn)了同比扭虧，考慮到一季度是相對淡季，全年高增速可期。占總收入61%的半導(dǎo)體工藝裝備大幅增長是16年業(yè)績高增長的主因，其中半導(dǎo)體設(shè)備同比增長56.18%，而鋰電設(shè)備同比增長250.05%。我們可以看到公司營運(yùn)指標(biāo)向好，除了營收保持較快增長外，存貨周轉(zhuǎn)率也從2015 年的1.77 次提高到2016 年的2.74 次，應(yīng)收賬款周轉(zhuǎn)率從15 年的0.56 次提高到16 年的0.66 次，都創(chuàng)了12 年以來的新高。
    公司毛利率小幅下降，管理費(fèi)用率存在較大優(yōu)化空間。公司2016 年毛利率39.73%，小幅下滑0.89 個(gè)百分點(diǎn)，毛利率下滑主要是毛利率相對較低的鋰電設(shè)備營收大幅增長導(dǎo)致占比提升所致。同時(shí)，由于研發(fā)費(fèi)用提升和并購造成無形資產(chǎn)攤銷，16 年管理費(fèi)用率高企，具有較大優(yōu)化空間。
    天時(shí)地利：未來刻蝕與沉積設(shè)備需求將會增長，建廠潮下將會拉動公司未來幾年收入高速增長。（1）Multiple Pattern、3D NAND Flash、3D 封裝方面TSV 通孔、中道技術(shù)工藝結(jié)構(gòu)技術(shù)趨勢發(fā)展將大大拉動刻蝕與沉積設(shè)備的需求。公司在28nm 工藝上的Etch、PVD 等薄膜、刻蝕設(shè)備有深厚的技術(shù)積累，并已經(jīng)形成出貨，必將受益于技術(shù)趨勢發(fā)展。（2）根據(jù)HIS，2016-2020 年間，中國本地IC 制造產(chǎn)值將以20%的復(fù)合增長率增長，大中華區(qū)市場規(guī)模高達(dá)200 億美金，晶圓設(shè)備成本占到總成本的80%以上，折合市場160 億美元。公司將會深度受益本輪建廠潮。就公司本身的報(bào)表拆分來看，也支持我們的判斷。公司16 年末存貨高達(dá)11.78 億元，較15 年（合并財(cái)務(wù)報(bào)表）增長36.34%，而庫存商品主要包括材料、在產(chǎn)品、庫存商品，分別同比增長36.12%、22.71%、49.88%，公司作為設(shè)備廠商，先有訂單才會生產(chǎn)（公司16 年銷售量/生產(chǎn)量為0.91），因此庫存上升暗示著2017 年業(yè)績高增長可期。
    人和：加大投入研發(fā)14nm 產(chǎn)品，追趕國際先進(jìn)水平。目前公司集成電路裝備產(chǎn)業(yè)化技術(shù)水平處于28nm 并取得了較大成功，多項(xiàng)產(chǎn)品打入主流產(chǎn)線baseline。2017 年，公司將加大14nm 研發(fā)投入，有望在14nm 原子層沉積（ALD）設(shè)備、14nm 柵刻蝕機(jī)、14nm CuBS PVD 設(shè)備、14nm LPCVD 設(shè)備、銅互連清洗機(jī)等產(chǎn)品方面實(shí)現(xiàn)突破，追趕國際先進(jìn)水平。
    盈利預(yù)測。我們預(yù)測2017~2019 年?duì)I業(yè)收入分別為22.57、31.86、44.18 億元，歸母凈利潤分別為1.95、3.41、4.03 億元，對應(yīng)EPS 為0.42、0.74、0.88 元，可比公司17 年估值83.52X，公司是A 股半導(dǎo)體設(shè)備唯一標(biāo)的，應(yīng)給于估值溢價(jià)，給予17 年100x PE，對應(yīng)目標(biāo)價(jià)42 元，給予“買入”評級
    風(fēng)險(xiǎn)提示。大陸半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率不及預(yù)期。