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功率半導體是電能轉換的載體，22年全球功率器件市場約為281億美元，2022-25年CAGR 8.2%。功率半導體是功率器件與電源管理IC的集合，其中功率器件例如二極管、MOSFET及IGBT等作為快速的電子“開關”可實現(xiàn)電流、電壓狀態(tài)的改變。以電為能量來源的應用均需用到功率器件，其是電子系統(tǒng)運行的底層基礎。
　　工藝為功率半導體的技術核心。有別于集成電路設計作為產品差異化的關鍵，功率器件的功能實現(xiàn)及差異更多來源于不同的器件結構，因此制造工藝是功率器件的核心，制造商多以IDM模式為主。其中，不同產品形態(tài)各有側重，單管產品偏標準化，通過芯片結構設計與性能拉開差距；模塊產品偏定制化，依靠對下游應用的know-how及客戶黏性構筑壁壘。
　　未來行業(yè)將向著高效率、高可靠性和低成本方向發(fā)展。功率器件生命周期長迭代慢，因此企業(yè)通過芯片向高效率、小面積的發(fā)展構筑性能與成本的產品競爭力；封裝形式向高可靠性、高集成度方向發(fā)展以增強客戶黏性；制造工藝向12英寸轉移以實現(xiàn)規(guī)模化降本；大功率器件的材料由硅向碳化硅、氮化鎵過渡以獲得技術領先性。
　　全球格局漸穩(wěn)，新能源觸發(fā)新一輪行業(yè)變革。功率器件多樣化應用決定了市場集中度不高，第一大廠商市占率不到20%。在新能源與工控的驅動下，預計全球功率器件市場將由21年的259億美元增至25年的357億美元，汽車、新能源發(fā)電和電網等增速均超15%。碳化硅為增速最快的器件，2021-25年CAGR 42%，預計25年市場將超43億美元。
　　中國企業(yè)份額提升迅速，當前階段Fabless與IDM模式差異化競爭尚不顯著。全球IGBT分立器件及模塊、MOSFET前十中均有中國企業(yè)，在新能源發(fā)電、汽車等增量市場國產化率提升迅速，部分已超50%。未來三年，國內代工產能增速大于IDM廠商，F(xiàn)abless可與代工深度合作共同推進工藝開發(fā)；加之目前行業(yè)仍處于單品替代階段，IDM規(guī)模化與技術迭代優(yōu)勢體現(xiàn)仍需時日，中短期維度Fabless與IDM界限漸模糊、差異化競爭尚不顯著。
　　投資建議：建議關注在增量市場產品與份額持續(xù)拓展的IDM公司士蘭微、時代電氣、聞泰科技、揚杰科技、BYD半導（未上市）及華潤微，在IGBT、超結MOS等產品領先的設計公司斯達半導、宏微科技、東微半導及新潔能，特色工藝代工龍頭華虹半導體、中芯集成（未上市）。
　　風險提示：新能源行業(yè)增速不及預期；行業(yè)競爭激化面臨產能過剩風險。