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2023年5月22日-2023年6月2日，半導(dǎo)體行業(yè)微幅上漲
　　前兩周，滬深300下跌2.1%，深證成指微幅下跌0.84%，科創(chuàng)50上漲1.26%。行業(yè)指數(shù)方面，受半導(dǎo)體終端需求探底復(fù)蘇預(yù)期及國(guó)產(chǎn)化替代預(yù)期等因素影響，申萬(wàn)半導(dǎo)體指數(shù)上漲0.09%。子板塊中，受AI熱潮影響，集成電路中的先進(jìn)封測(cè)備受市場(chǎng)關(guān)注，疊加龍頭日月光、力成等稼動(dòng)率改善，前兩周封測(cè)板塊延續(xù)上行走勢(shì)。模擬大廠TI于5月份全面下調(diào)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的芯片價(jià)格，對(duì)模擬芯片板塊形成短期負(fù)面影響。
　　費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)上行，存儲(chǔ)價(jià)格或企穩(wěn)
　　費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)受AI熱潮影響出現(xiàn)上漲。截至6月2日費(fèi)指收于3501.4點(diǎn)，年初至今漲幅為40%，雙周同比上漲9.3%。存儲(chǔ)市場(chǎng)，需求端仍未出現(xiàn)明確的回暖信號(hào)，但隨著供給端原廠減產(chǎn)和出清存貨的持續(xù)推進(jìn)，目前存儲(chǔ)原廠已展現(xiàn)出明確的出貨價(jià)格企穩(wěn)回升意愿，受原廠價(jià)格策略的調(diào)整，主流DRAM產(chǎn)品及大容量NANDFlash產(chǎn)品價(jià)格趨于穩(wěn)定，16GB-DDR4及8GB-DDR4現(xiàn)貨均價(jià)周環(huán)比持平；利基市場(chǎng)NAND顆粒價(jià)格及主流SSD價(jià)格周環(huán)比皆持平；需求的變動(dòng)成為現(xiàn)貨價(jià)格變動(dòng)的核心影響因素。
　　英偉達(dá)發(fā)布NVIDIADGX超級(jí)計(jì)算機(jī)，DGX ？超算性能優(yōu)越，旨在助力人工智能大模型等應(yīng)用開(kāi)發(fā)提速
　　受益于IC設(shè)計(jì)研發(fā)優(yōu)勢(shì)及Chiplet先進(jìn)封裝，DGX超級(jí)計(jì)算機(jī)的算力達(dá)1百億億次/S，共享內(nèi)存為144TB，相較于2020年推出的上一代NVIDIADGXA100，新產(chǎn)品內(nèi)存提升近500倍。AI時(shí)代對(duì)于算力的需求與日俱增，先進(jìn)封裝技術(shù)逐漸被推至技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)舞臺(tái)的中央。
　　投資建議
　　傳統(tǒng)消費(fèi)電子需求尚未出現(xiàn)顯著改善，但在供給端調(diào)整已經(jīng)略有成效的前提下，需求的變動(dòng)將對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)生較為明顯的影響；建議緊密關(guān)注終端產(chǎn)品出貨量的變動(dòng)。中長(zhǎng)期數(shù)字化建設(shè)在多領(lǐng)域的穩(wěn)步推進(jìn)及人工智能大數(shù)據(jù)模型的商用，為產(chǎn)業(yè)鏈帶來(lái)發(fā)展新動(dòng)能，帶動(dòng)大數(shù)據(jù)中心的建設(shè)加速，建議關(guān)注數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展為GPU、存儲(chǔ)、CPU及傳感器等領(lǐng)域帶來(lái)的需求增量。中長(zhǎng)期，汽車電動(dòng)化、智能化滲透率及國(guó)內(nèi)新能源車出口量的提升，疊加能源基礎(chǔ)設(shè)施的需求增長(zhǎng)將驅(qū)動(dòng)中高壓功率器件的市場(chǎng)需求上行。建議持續(xù)關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)，維持行業(yè)增持評(píng)級(jí)。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　下游市場(chǎng)需求不及預(yù)期；研發(fā)進(jìn)展不及預(yù)期；宏觀政策變化不及預(yù)期。