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>> 華金證券-集成電路封裝行業(yè)走進“芯”時代系列深度之六十七“2.5D/3D封裝”:技術(shù)發(fā)展引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革,向高密度封裝時代邁進-230921
上傳日期:   2023/9/21 大?。?/td>   7404KB
格式:   pdf  共125頁 來源:   華金證券
評級:   增持 作者:   孫遠峰,王海維,王臣復
下載權(quán)限:   無限制-登錄即可下載
打破IC發(fā)展限制,向高密度封裝時代邁進。集成電路封裝是指將制備合格芯片、元件等裝配到載體上,采用適當連接技術(shù)形成電氣連接,安裝外殼,構(gòu)成有效組件的整個過程,封裝主要起著安放、固定、密封、保護芯片,以及確保電路性能和熱性能等作用。先進封裝技術(shù)通過采用更緊湊、更高級設(shè)計和制程技術(shù),可提供更高集成度,更小尺寸,更高性能及更低能耗芯片。通過將多個芯片堆疊,在顯著提高集成度及性能時,降低空間需求。在性能與能耗上,先進封裝通過優(yōu)化設(shè)計與制程,可大幅提高信號傳輸速度,降低功耗。在制程技術(shù)上,先進封裝采用如微細化焊球、超低k材料等創(chuàng)新技術(shù),使得封裝電氣性能及散熱性能有顯著提升。未來封裝各類間距將會進一步下降,BumpI/0間距將會縮小至50-40μm之間,重布層線寬間距將至2/2μm,高密度封裝時代漸行漸近。
  橫向連接/縱向堆疊奠定先進封裝技術(shù)基石。(1)倒裝:在I/O底板上沉積錫鉛球,將芯片翻轉(zhuǎn)加熱,利用熔融錫鉛球與陶瓷機板相結(jié)合來替換傳統(tǒng)打線鍵合;(2)重新布線(RDL):將原來設(shè)計的IC線路接點位置(I/Opad),通過晶圓級金屬布線制程和凸塊制程改變其接點位置,使IC能適用于不同的封裝形式;(3)晶圓級封裝:先在整片晶圓上同時對眾多芯片進行封裝、測試,最后切割成單個器件,并直接貼裝到基板或PCB上,生產(chǎn)成本大幅降低,其中FIWLP具有真正裸片尺寸的顯著特點,通常用于低輸入/輸出(I/O)數(shù)量(一般小于400)和較小裸片尺寸工藝當中;FO-WLP初始用于將獨立的裸片重新組裝或重新配置到晶圓工藝中,并以此為基礎(chǔ),通過批量處理、構(gòu)建和金屬化結(jié)構(gòu),F(xiàn)an-Out的Bump可以長到Die外部,封裝后IC也較Die面積更大(1.2倍最大)。(4)TSV:TSV貫穿2.5D/3D封裝應用,TSV生產(chǎn)流程涉及到深孔刻蝕、PVD、CVD、銅填充、微凸點及電鍍、清洗、減薄、鍵合等二十余種設(shè)備,其中深孔刻蝕、氣相沉積、銅填充、CMP去除多余金屬、晶圓減薄、晶圓鍵合等工序涉及的設(shè)備最為關(guān)鍵。在2.5D封裝中TSV充當多顆裸片和電路板之間橋梁,其中CoWoS為2.5D封裝中最突出代表,在3D中TSV用于堆疊,HBM為3D封裝最典型應用。(5)混合鍵合:HB技術(shù)簡化3D堆疊布線層,可實現(xiàn)更高互聯(lián)密度HB技術(shù),且可直接省略再布線,使設(shè)計難度降低,避免再布線及倒裝回流焊可提高可靠性。(6)板級埋入式封裝:將帶有多層導電金屬互連的超薄硅片埋入有機封裝基板的最上層,通過焊球與倒裝芯片的連接,以實現(xiàn)兩個或多個芯片之間的局部高密度互連,與臺積電的CoWoS-S封裝相比,EMIB封裝既不需要TSV工也不需要Si中介層,因此其具有封裝良率高、設(shè)計簡單、成本更低等優(yōu)點。
  材料與設(shè)備任重道遠,制造與IDM廠商入駐先進封裝,開辟中道工藝。從競爭格局來看,各類半導體封裝材料市場集中度較高。日本廠商在各類封裝材料領(lǐng)域占據(jù)主導地位,部分中國大陸廠商已躋身前列(引線框架、包封材料),成功占據(jù)一定市場份額。在國產(chǎn)替代方面,根據(jù)頭豹研究院數(shù)據(jù),中國半導體封裝材料整體國產(chǎn)化率約30%,其中引線框架、鍵合金屬絲的國產(chǎn)替化率最高,分別達到40%和30%,而陶瓷封裝材料、芯片粘結(jié)材料與封裝基板等材料國產(chǎn)化率僅5%-10%。先進封裝處于晶圓制造與封測中的交叉區(qū)域。先進封裝要求在晶圓劃片前融入封裝工藝步驟,具體包括應用晶圓研磨薄化、線路重排(RDL)、凸塊制作(Bumping)及三維硅通孔(TSV)等工藝技術(shù)。先進封裝更多在晶圓層面上進行,采用前道制造方式來制作后道連接電路,工藝流程的相似性使得兩者使用設(shè)備也大致相同,其中倒裝就要采用植球、電鍍、光刻、蝕刻等前道制造的工藝,2.5D/3D封裝TSV技術(shù)就需要光刻機、涂膠顯影設(shè)備、濕法刻蝕設(shè)備等,從而使得晶圓制造與封測前后道制程中出現(xiàn)中道交叉區(qū)域。
  芯粒IP復用延續(xù)摩爾定律,新建晶圓廠與產(chǎn)線擴產(chǎn)共促封測需求。Chiplet技術(shù)背景下,可將大型單片芯片劃分為多個相同或者不同小芯片,這些小芯片可以使用相同或者不同工藝節(jié)點制造,再通過跨芯片互聯(lián)及封裝技術(shù)進行封裝級別集成,降低成本的同時獲得更高的集成度。Chiplet優(yōu)勢:(1)接力摩爾定律,持續(xù)推進經(jīng)濟效應;(2)Chiplet助力良率及晶圓使用面積顯著性提升;(3)較SoC綜合成本下降;(4)芯粒IP化,設(shè)計周期及成本顯著降低。全球8寸、12寸晶圓產(chǎn)能有望持續(xù)提升,直接帶動封裝需求;Fabless縱向拓展封測領(lǐng)域,有望帶動先進封裝多元發(fā)展;各大封測廠積極擴產(chǎn),為新一輪應用需求增長做好準備。
  投資建議:ChatGPT依賴大模型、大數(shù)據(jù)、大算力支撐,其出現(xiàn)標志著通用人工智能的起點及強人工智能的拐點,未來算力將引領(lǐng)下一場數(shù)字革命,xPU等高端芯片需求持續(xù)增長。先進封裝為延續(xù)摩爾定理提升芯片性能及集成度提供技術(shù)支持,隨著Chiplet封裝概念持續(xù)推進,先進封裝各產(chǎn)業(yè)鏈(封裝/設(shè)備/材料/IP等)將持續(xù)受益。u建議關(guān)注:通富微電、長電科技、華天科技、芯原股份、北方華創(chuàng)、華峰測控、華海誠科、鼎龍股份、華封科技(未上市)
  風險提示:行業(yè)與市場波動風險;國際貿(mào)易摩
 
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