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>> 方正證券-電子行業(yè)周報(bào)-電子周專題:從英特爾新架構(gòu)看算力升級(jí)-230922
上傳日期:   2023/9/24 大?。?/td>   2759KB
格式:   pdf  共25頁(yè) 來(lái)源:   方正證券
評(píng)級(jí):   推薦 作者:   佘凌星,鄭震湘
行業(yè)名稱:   電子
下載權(quán)限:   此報(bào)告為加密報(bào)告
Metero Lake:圍繞SoC打造多模塊全新架構(gòu)。Meteor Lake將采用全新的設(shè)計(jì)思維,即SoC模塊為主要的框架核心,同時(shí)搭載運(yùn)算模塊、圖形模塊以及負(fù)責(zé)連接的IO模塊。其中運(yùn)算模塊中包含6個(gè)P-core和8個(gè)E-core,在處理運(yùn)算任務(wù)是能夠與SoC模塊中的低功率島E-core相互協(xié)調(diào),從而達(dá)到性能和能耗最優(yōu)平衡。在SoC模塊中,Intel首次將NPU集成至終端處理器中,在處理AI任務(wù)時(shí),圖形模塊、NPU、運(yùn)算模塊能夠協(xié)同處理,同時(shí)效率和能耗均優(yōu)于圖形模塊單獨(dú)處理的結(jié)果。
  Inte 4工藝:晶體管密度約為上一代的2倍。目前Intel 7和Intel 4已經(jīng)完成,目前基于Intel 4工藝的Intel Core Ultra芯片正在愛(ài)爾蘭進(jìn)行大批量生產(chǎn)。同時(shí)Intel 3節(jié)點(diǎn)將于2023年底進(jìn)行投入生產(chǎn),首批產(chǎn)品Sierra Forest和Granite Rapids已經(jīng)向客戶提供樣品并步入正軌。根據(jù)我們測(cè)算,Intel 4工藝中晶體管密度約為上一代工藝制程約2倍,HP庫(kù)密度在160 MTr/mm2左右。同時(shí)如果按照臺(tái)積電的命名規(guī)則,Intel 4工藝制程則位于臺(tái)積電5nm和3nm中間,且更加接近臺(tái)積電3nm工藝。
  先進(jìn)封裝:EMIB和3DFoveros持續(xù)演進(jìn)。當(dāng)前2.5D封裝的主流方案包括:以臺(tái)積電的CoWos-S為代表的sillicon interposer(硅中介層)連接方案,以及英特爾的以EMIB為代表的“sillicon bridge”(硅橋接)連接方案。其中EMIB封裝不同之處在于其硅橋內(nèi)嵌于基板之內(nèi),而cowos-s的硅中介層則是在基板之上。對(duì)比來(lái)看,EMIB方案優(yōu)勢(shì)在于不受掩模版尺寸限制,可以顯著減小生產(chǎn)成本且使用靈活。而Foveros 3D封裝取消了基板的連接環(huán)節(jié),通過(guò)Die與Die之間的疊加和高密度連接,實(shí)現(xiàn)更小的功率損失,以及更好的連接性。第一代Foveros凸點(diǎn)間距為50微米,而第二代Foveros升級(jí)至36微米,連接密度增加一倍。
  互聯(lián)接口與配套:持續(xù)推動(dòng)開(kāi)放生態(tài)建設(shè)。PCIe可以實(shí)現(xiàn)芯片與芯片之間的互聯(lián),未來(lái)隨著云端數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備和汽車行業(yè)的快速發(fā)展,PCIe技術(shù)的潛在市場(chǎng)空間未來(lái)有望達(dá)到500億美元。CXL技術(shù)持續(xù)升級(jí),逐步向?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)中心資源池化共享方向演進(jìn),內(nèi)存行業(yè)眾多廠商積極進(jìn)行相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)和布局。UCIe是第一個(gè)支持基于PCIExpress(PCIe)和ComputeExpress Link (CXL)行業(yè)的die-to-die I/O物理層開(kāi)放行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),是由英特爾聯(lián)合臺(tái)積電、三星、日月光、AMD、ARM、高通、谷歌、微軟、Meta等多家行業(yè)巨頭共同宣布成立,以此共同打造Chiplet互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)。
  內(nèi)存:持續(xù)探索存儲(chǔ)新路徑。3DXpoint產(chǎn)品定位于DRAM與NAND之間,也稱為存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(Storage Class Memory,SCM)或持續(xù)性存儲(chǔ)器(PersistentMemory),相比DRAM,具備非易失、低功耗、低價(jià)格、高密度等優(yōu)勢(shì),而相比于NANDFlash,又具備快速讀寫(xiě)、壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)。鑒于產(chǎn)品特性,英特爾將產(chǎn)品定位于數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器端領(lǐng)域。此外英特爾通過(guò)將CPU搭配HBM,根據(jù)不同場(chǎng)景將DDR和HBM搭配使用,探索并提供了更為靈活的內(nèi)存運(yùn)算形式。
  投資建議:相關(guān)核心標(biāo)的見(jiàn)第6章投資建議。
  風(fēng)險(xiǎn)提示:復(fù)蘇節(jié)奏不及預(yù)期、中美貿(mào)易摩擦加劇、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇、測(cè)算誤差風(fēng)險(xiǎn)。
  
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