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投資要點(diǎn)：
　　存力已成AI芯片性能升級核心瓶頸，AI推動HBM需求強(qiáng)勁增長。英偉達(dá)發(fā)布最新AI芯片H200，內(nèi)存配置明顯提升，存儲技術(shù)提升為AI性能提升的關(guān)鍵。HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸，GPU性能提升推動HBM技術(shù)不斷升級。算力驅(qū)動AI服務(wù)器出貨量迅猛增長，疊加GPU搭載HBM數(shù)量提升和HBM容量與價值增長，全球HBM市場規(guī)模有望從2023年的15億美元增至2030年的576億美元，對應(yīng)2023-2030的年復(fù)合增長率達(dá)68.3%。
　　HBM量價齊升趨勢已現(xiàn)，三大原廠積極擴(kuò)產(chǎn)。龍頭廠商海力士透露明年擴(kuò)產(chǎn)2倍，公司采用最先進(jìn)10nm技術(shù)擴(kuò)大2024年產(chǎn)量，其中大部分增量由HBM3e填充，預(yù)計(jì)2030年HBM出貨量有望達(dá)到每年1億顆。三星、美光緊隨其后，同樣宣布大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)。新技術(shù)HBM3e、HBM4等陸續(xù)推出，行業(yè)量價齊升。
　　TSV為HBM核心工藝，新技術(shù)帶來設(shè)備、材料端升級。TSV技術(shù)主要涉及深孔刻蝕、沉積、減薄拋光等關(guān)鍵工藝，多層堆疊結(jié)構(gòu)提升工序步驟，帶動量檢測、鍵合等設(shè)備需求持續(xù)提升。HBM芯片間隙采用GMC或LMC填充，帶動主要原材料low-α球硅和low-α球鋁需求增長，同時電鍍液、電子粘合劑、封裝基板、壓敏膠帶等材料需求也將增加。
　　投資建議：重點(diǎn)關(guān)注HBM產(chǎn)業(yè)鏈。材料端：神工股份、聯(lián)瑞新材、華海誠科、雅克科技；設(shè)備端：賽騰股份、中微公司；封測端：通富微電、長電科技；經(jīng)銷商：香農(nóng)芯創(chuàng)。
　　風(fēng)險提示：AIGC發(fā)展不及預(yù)期；AI服務(wù)器出貨量不及預(yù)期；HBM技術(shù)發(fā)展不及預(yù)期；設(shè)備和材料的國產(chǎn)替代不及預(yù)期。