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事件：8月1日，英偉達(dá)官網(wǎng)更新800V直流電源架構(gòu)合作商名錄，氮化鎵龍頭企業(yè)英諾賽科上榜，為英偉達(dá)Kyber機(jī)架系統(tǒng)提供全鏈路氮化鎵電源解決方案。
　　我們的觀點(diǎn)：AI算力設(shè)施對SiC/GaN器件需求提升，有望打開產(chǎn)業(yè)成長空間。部分投資者認(rèn)為，由于碳化硅車型在新能源車領(lǐng)域的滲透率逐步邁向較高水平等原因，第三代半導(dǎo)體行業(yè)未來發(fā)展空間可能受限。但我們認(rèn)為，SiC/GaN在AI算力設(shè)施供電系統(tǒng)中的應(yīng)用潛力尚未完全挖掘。未來，AI服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心對SiC/GaN器件需求有望持續(xù)提升，打開產(chǎn)業(yè)成長空間。
　　AI服務(wù)器功耗高，數(shù)據(jù)中心需要使用更高功率的供電架構(gòu)。為了應(yīng)對更高端的AI運(yùn)算，服務(wù)器供電系統(tǒng)各環(huán)節(jié)的效能、功率密度需要進(jìn)一步提高。在從電網(wǎng)到IT機(jī)架的降壓環(huán)節(jié)，在功率要求提升的背景下傳統(tǒng)的機(jī)架內(nèi)部配電架構(gòu)受限于功率密度、銅材用量和系統(tǒng)效率等方面的物理極限；基于此，英偉達(dá)正在推進(jìn)HVDC供電架構(gòu)，在數(shù)據(jù)中心外直接將13.8kV交流電轉(zhuǎn)換為800V高壓直流來為IT機(jī)架供電。在二次降壓環(huán)節(jié)，傳統(tǒng)的12V供電架構(gòu)無法滿足高效傳輸需求，當(dāng)前48V及以上的供電系統(tǒng)正逐漸成為主流。隨著AI服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心對供電系統(tǒng)的要求提升，需要運(yùn)用性能更優(yōu)的功率器件以實(shí)現(xiàn)更高效的功率傳輸。
　　SiC/GaN可用于HVDC、電源模塊等場景，適配AI算力設(shè)施的大功率供電需求。SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場、高遷移率等特點(diǎn)，允許材料在更高的溫度和電壓下運(yùn)行，降低能耗和成本。目前頭部廠商正在持續(xù)推動(dòng)SiC/GaN在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域應(yīng)用。例如，在HVDC方面，Navitas宣布依靠GaN和SiC技術(shù)參與英偉達(dá)下一代800VHVDC電源架開發(fā)，為Kyber機(jī)架級(jí)系統(tǒng)內(nèi)的Rubin Ultra等GPU提供電力支持。在服務(wù)器電源方面，英飛凌基于GaN/SiC技術(shù)，持續(xù)推出更高功率的電源供應(yīng)單元解決方案。展望未來，在AI服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心的大功率供電需求不斷提升的趨勢下，SiC/GaN有望得到更廣泛的應(yīng)用。
　　頭部廠商推動(dòng)產(chǎn)能布局，響應(yīng)下游強(qiáng)勁需求。2025年7月Navitas宣布與力積電建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將采用力積電8寸0.18微米制程生產(chǎn)GaN產(chǎn)品。同月，英諾賽科確認(rèn)公司將進(jìn)一步提升8英寸產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2025年年底將從1.3萬片/月擴(kuò)產(chǎn)至2萬片/月。頭部廠商持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)能布局，響應(yīng)市場對SiC/GaN需求的提升。
　　投資建議與投資標(biāo)的
　　AI服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心需求有望打開SiC/GaN功率器件成長空間。建議關(guān)注：GaN行業(yè)龍頭英諾賽科；深度布局SiC/GaN功率器件的頭部功率器件廠商聞泰科技、華潤微、新潔能、斯達(dá)半導(dǎo)、天岳先進(jìn)；布局SiC功率器件業(yè)務(wù)的晶圓代工企業(yè)芯聯(lián)集成-U；功率被動(dòng)器件公司法拉電子、江海股份；布局第三代半導(dǎo)體設(shè)備市場的中微公司等。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示
　　消費(fèi)電子需求不及預(yù)期，AI落地不及預(yù)期，競爭格局變化