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中微公司688012 CH
　　刻蝕設備優(yōu)勢明顯，產品進一步多元化，首予買入
　　存儲器電路結構復雜拉動刻蝕/沉積需求：此前，我們曾在主題報告和北方華創(chuàng)首次覆蓋報告中闡述邏輯電路制程升級會增加刻蝕和沉積設備需求，本文中，我們深度剖析3DNAND的制作過程，隨著3DNAND的堆疊層數(shù)增加，沉積和刻蝕步驟也將相應增加，對刻蝕的深寬比要求也在提高。3DNAND對光刻設備需求較低，而對刻蝕設備需求則較高，這正是中微公司擅長的領域。
　　刻蝕設備產品在我國市場或有競爭優(yōu)勢：公司通過提高深寬比指標、開發(fā)單雙反應臺設備、開發(fā)可調節(jié)電極間距的CCP刻蝕機等策略，使得產品在中國內地領先同業(yè)。我們預測ICP收入在2026年超過CCP收入，CCP/ICP收入分別達到60.0/62.6億元。
　　薄膜沉積市場廣闊，或成中微公司另一大增長引擎。
　　首予買入，目標價280元人民幣。公司估值相對于可比公司一直存在溢價。2023年來公司平均市盈率NTM為47.4倍，標準差9.2倍，現(xiàn)價對應53.6倍。我們首次覆蓋中微公司，考慮半導體設備需求高于市場之前預期，先進制程需求在AI驅動下上升，目標價280元人民幣，對應56.6倍（高于歷史平均1個標準差）2026年市盈率。