>> 甬興證券-存儲芯片行業(yè)周度跟蹤：現(xiàn)貨資源全面供應趨緊，存儲價格集體上漲-251020
| 上傳日期： |
2025/10/21 |
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| 688KB |
| 格式： |
pdf 共9頁 |
來源： |
甬興證券 |
| 評級： |
增持 |
作者： |
陳宇哲,劉奕司 |
| 下載權限： |
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核心觀點
NAND：TrendForce稱NANDFlash供應商加速轉進大容量NearlineSSD。根據(jù)DRAMexchange，上周（20251013-1017）NAND顆粒22個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為0.98%至6.67%，平均漲跌幅為3.59%。其中0個料號價格持平，22個料號價格上漲，0個料號價格下跌。根據(jù)科創(chuàng)板日報報道，根據(jù)TrendForce集邦咨詢調查，由于HDD市場正面臨巨大供應缺口，激勵NANDFlash業(yè)者加速技術轉進，投入122TB、甚至245TB等超大容量Nearline（近線） SSD的生產，原先對未來需求不確定的狀況獲得緩解。
DRAM：華邦電稱25Q3營收創(chuàng)12季以來高峰，看好25Q4 DRAM漲幅高于Q3。根據(jù)DRAMexchange，上周（20251013-1017）DRAM18個品類現(xiàn)貨價格環(huán)比漲跌幅區(qū)間為2.43%至40.56%，平均漲跌幅為17.13%。上周18個料號呈上漲趨勢，0個料號呈下降趨勢，0個料號價格持平。根據(jù)科創(chuàng)板日報報道，存儲器大廠華邦電2025年9月合并營收79.20億新臺幣，環(huán)比增長12.94%，同比增長9.52%；2025年第三季合并營收217.71億新臺幣，環(huán)比增長3.58%，同比增長2.15%，達12季以來高峰。受惠利基型DRAM價格上揚與產品組合優(yōu)化，第三季營運動能明顯回升。
HBM：SEMI稱2025第二季度全球半導體設備投資額達330.7億美元，增長動力來自先進邏輯工藝和高帶寬存儲器（HBM）需求增加。根據(jù)科創(chuàng)板日報報道，SEMI數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度全球半導體設備市場規(guī)模同比增長24%，達330.7億美元，比上一季度增長3%。SEMI分析稱，增長動力來自先進邏輯工藝和高帶寬存儲器（HBM）需求增加，以及對亞洲地區(qū)出貨量的增加。
市場端：現(xiàn)貨NAND、DRAM資源全面供應趨緊，上周存儲價格集體強勢上漲。根據(jù)CFM閃存市場報道，在原廠供應干預下，現(xiàn)貨貿易端包括NAND和DRAM在內的所有資源價格快速上漲。在上游資源日益走高且供應收緊的影響下，相對應的產品生產成本大幅走高，服務器、手機、PC等各應用端的存儲成品全面掀起漲價潮。目前供應端的態(tài)度仍然是影響整個存儲市場的主要因素，若未來資源端仍持續(xù)處于趨緊狀態(tài)，供需天平加速向賣方傾斜，存儲廠商控貨惜售的情緒將更加強烈，那么后續(xù)存儲成品端的價格也將延續(xù)上漲趨勢。
投資建議
我們持續(xù)看好受益先進算力芯片快速發(fā)展的HBM產業(yè)鏈、以存儲為代表的半導體周期復蘇主線。
HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相關產業(yè)鏈有望迎來加速成長，建議關注賽騰股份、壹石通、聯(lián)瑞新材、華海誠科等；
存儲芯片：受益于供應端推動漲價、庫存逐漸回歸正常、AI帶動HBM、SRAM、DDR5需求上升，產業(yè)鏈有望探底回升。推薦東芯股份，建議關注兆易創(chuàng)新、恒爍股份、佰維存儲、江波龍、德明利等。
風險提示
中美貿易摩擦加劇、下游終端需求不及預期、國產替代不及預期等。
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