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投資案件
　　存儲(chǔ)芯片周期下行過半，2023Q2探底，普遍預(yù)期2023H2將復(fù)蘇。本輪存儲(chǔ)周期下調(diào)由22Q2需求下調(diào)觸發(fā)。2022H2，Mobile、PC和服務(wù)器客戶調(diào)整庫(kù)存，放緩存儲(chǔ)采購(gòu)，價(jià)格大幅下滑。2022Q4存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模已經(jīng)跌回2019Q1、Q2周期底部水平。2023Q1跌勢(shì)繼續(xù)但幅度收窄，存儲(chǔ)原廠售價(jià)已跌穿成本價(jià)。
　　 23Q2供需雙方處于激烈博弈階段，雖然需求不足以支撐強(qiáng)勁復(fù)蘇，但價(jià)格有望于23Q2提前止跌。供給端減產(chǎn)：2022Q4起，存儲(chǔ)原廠收斂產(chǎn)能，降低供需比。23Q1美光、三星加強(qiáng)庫(kù)存管控，計(jì)提存貨減值至大幅虧損。4月，三星拒絕低價(jià)出售DRAM，價(jià)格止跌在望。需求端見底復(fù)蘇：23Q1是全年需求最淡的季度，Q2起服務(wù)器及PC的備貨需求已環(huán)比上升。供需關(guān)系平衡后，存儲(chǔ)芯片價(jià)格有望在2023Q2提前止跌。
　　大容量存儲(chǔ)芯片下游驅(qū)動(dòng)力從Mobile向AI/HPC切換。DRAM邁入1β節(jié)點(diǎn)，技術(shù)升級(jí)速度將放緩。NAND量產(chǎn)進(jìn)入200L+時(shí)代，邁向1000L。HBM3帶寬較DDR5高出10倍以上，AI服務(wù)器引爆HBM新型存儲(chǔ)需求，2025年市場(chǎng)規(guī)模有望快速增至25億美元。SK海力士HBM技術(shù)領(lǐng)先，市場(chǎng)份額約60-70%，三星迎頭趕上。臺(tái)積電CoWoS工藝單個(gè)封裝內(nèi)可異質(zhì)集成12顆HBM。
　　存儲(chǔ)行業(yè)有望加速國(guó)產(chǎn)化替代。3月31日，國(guó)家網(wǎng)信辦宣布對(duì)美光公司在華銷售的產(chǎn)品實(shí)施網(wǎng)絡(luò)安全審查。根據(jù)集邦咨詢，22Q4美光約占全球DRAM 23%份額，NANDFlash占12%份額。存儲(chǔ)市場(chǎng)有望迎國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇。存儲(chǔ)芯片：聚辰股份（DDR內(nèi)存模組SPD，汽車級(jí)EEPROM芯片）、兆易創(chuàng)新（Nor Flash及MCU領(lǐng)軍，與合肥長(zhǎng)鑫合作DRAM）、北京君正（車規(guī)存儲(chǔ)龍頭）、東芯股份（中小容量存儲(chǔ)）。存儲(chǔ)模組：佰維存儲(chǔ)、江波龍。封裝基板：興森科技、深南電路。封測(cè)：深科技、通富微電、長(zhǎng)電科技。內(nèi)存接口芯片：瀾起科技。
　　風(fēng)險(xiǎn)提示：Server需求復(fù)蘇不及預(yù)期；大廠減產(chǎn)不及預(yù)期；國(guó)產(chǎn)公司技術(shù)進(jìn)展不及預(yù)期。