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>> 申萬(wàn)宏源-半導(dǎo)體行業(yè):荷蘭正式頒布半導(dǎo)體設(shè)備出口管制條例,強(qiáng)化國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)-230702
上傳日期:   2023/7/2 大小:   485KB
格式:   pdf  共3頁(yè) 來(lái)源:   申萬(wàn)宏源
評(píng)級(jí):   看好 作者:   李天奇,楊海晏
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本期投資提示:
  事件:當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月30日,荷蘭政府正式頒布了有關(guān)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的額外出口管制的新條例,主要針對(duì)對(duì)象包括先進(jìn)的薄膜沉積設(shè)備和浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng),相關(guān)產(chǎn)品出口需申請(qǐng)政府許可證,該措施將于2023年9月1日正式生效。
  此次正式頒布條例管制范圍及發(fā)布時(shí)間符合預(yù)期,與3月阿斯麥(ASML)聲明一致。當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月8日晚間,荷蘭外貿(mào)與發(fā)展合作大臣施賴納馬赫爾在致荷蘭議員的一封信中稱(chēng):“鑒于技術(shù)發(fā)展和地緣政治背景,政府得出結(jié)論,為了(國(guó)際)國(guó)家安全,有必要擴(kuò)大對(duì)特定半導(dǎo)體制造設(shè)備的現(xiàn)有出口管制”。當(dāng)日阿斯麥發(fā)表聲明,對(duì)預(yù)將受限制的“先進(jìn)”浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)解釋為2000i及更先進(jìn)產(chǎn)品型號(hào)。此次6月30日出口管制條例正式頒布限制范圍與3月阿斯麥聲明一致,且正式頒布時(shí)點(diǎn)基本符合3月荷蘭官員表述的“夏天前實(shí)施”,整體符合預(yù)期。
  核心出口受限設(shè)備主要包括先進(jìn)的光刻機(jī)、薄膜沉積設(shè)備,阿斯麥及先晶半導(dǎo)體(ASM)受影響較大。此次條例中出口受管制產(chǎn)品主要包括:1)EUV光罩保護(hù)膜及其生產(chǎn)設(shè)備、2)先進(jìn)DUV光刻機(jī)(根據(jù)技術(shù)指標(biāo)描述僅包含阿斯麥2000i及2050i光刻機(jī))、3)先進(jìn)ALD薄膜沉積設(shè)備(對(duì)應(yīng)16nm及以下制程)、4)先進(jìn)碳化硅等外延設(shè)備、5)部分用于沉積特定介質(zhì)的CVD薄膜沉積設(shè)備、6)用于對(duì)上述設(shè)備進(jìn)行開(kāi)發(fā)或使用軟件。受影響的荷蘭企業(yè)主要為全球光刻機(jī)龍頭阿斯麥、核心主業(yè)專(zhuān)注ALD等薄膜沉積設(shè)備的先晶半導(dǎo)體。
  聲稱(chēng)出口管制用以保持“技術(shù)領(lǐng)先地位”,中國(guó)駐荷大使館發(fā)言表示堅(jiān)決反對(duì)。施賴納馬赫爾宣稱(chēng),荷蘭政府希望阻止荷蘭技術(shù)被用于軍事系統(tǒng)或大規(guī)模殺傷性武器,同時(shí)希望保持“荷蘭的技術(shù)領(lǐng)先地位”,為此將建立國(guó)家出口管制清單。此次荷蘭限制出口的目標(biāo)表述、政策手段均與5月日本正式出臺(tái)的半導(dǎo)體設(shè)備出口管制措施相似,即未單獨(dú)指向具體國(guó)家及地區(qū)、限制出口方式為需經(jīng)政府審批,美日荷政策步調(diào)整體一致。當(dāng)日,中國(guó)駐荷大使館針對(duì)荷蘭出口管制條例發(fā)言表示:“一段時(shí)間以來(lái),個(gè)別大國(guó)一再泛化‘國(guó)家安全’概念,濫用出口管制措施,對(duì)中國(guó)企業(yè)進(jìn)行惡意封鎖和打壓,脅迫盟友參與對(duì)華經(jīng)濟(jì)遏制”。
  國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)明確,重點(diǎn)關(guān)注技術(shù)水平領(lǐng)先的國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商。美日荷限制向中國(guó)出口半導(dǎo)體技術(shù)和設(shè)備、減緩中國(guó)發(fā)展自主半導(dǎo)體能力的行動(dòng)或?qū)㈤L(zhǎng)期延續(xù),催化國(guó)產(chǎn)化率提升。一方面美日荷出口管制范疇集中在先進(jìn)制程領(lǐng)域,國(guó)內(nèi)晶圓廠成熟制程擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏受影響較小,對(duì)國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商訂單增長(zhǎng)趨勢(shì)基本無(wú)影響;另一方面外部壓力+內(nèi)部支持下國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商技術(shù)突破進(jìn)度有望加快,逐步打破先進(jìn)制程領(lǐng)域國(guó)外廠商壟斷。
  投資分析意見(jiàn):國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備各細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先標(biāo)的持續(xù)受益。重點(diǎn)關(guān)注與荷蘭限制出口范圍相關(guān):中微公司(刻蝕設(shè)備,ALD、外延設(shè)備在研);拓荊科技(CVD等薄膜沉積設(shè)備);北方華創(chuàng)(薄膜沉積、刻蝕、清洗設(shè)備等)。同時(shí)關(guān)注其余各領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先標(biāo)的:芯源微(涂膠顯影設(shè)備);中科飛測(cè)(前道檢測(cè)量測(cè)設(shè)備);盛美上海、至純科技(清洗設(shè)備)等。
  風(fēng)險(xiǎn)提示:國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商研發(fā)進(jìn)程不及預(yù)期;國(guó)內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度不及預(yù)期。
  
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