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SiC：需求乘“車(chē)”而起，材料&設(shè)備商迎國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇
　　1、關(guān)鍵假設(shè)、驅(qū)動(dòng)因素及主要預(yù)測(cè)
　　關(guān)鍵假設(shè)：
　　1）新能源汽車(chē)滲透率持續(xù)提升，SiC迎來(lái)上車(chē)導(dǎo)入期；2）國(guó)產(chǎn)材料商、設(shè)備商市場(chǎng)份額逐步提升。
　　驅(qū)動(dòng)因素：
　　1）新能源汽車(chē)滲透率持續(xù)提升，我們預(yù)計(jì)未來(lái)三年全球裝機(jī)量CAGR約30%。
　　2）襯底環(huán)節(jié)：國(guó)產(chǎn)SiC襯底片廠商良率持續(xù)提升、降低襯底成本，提升SiC應(yīng)用滲透率；長(zhǎng)切磨拋設(shè)備商打破國(guó)外壟斷，加速?lài)?guó)產(chǎn)化。
　　3）外延環(huán)節(jié)：國(guó)外外延設(shè)備產(chǎn)能不足、交期緩慢，利好國(guó)產(chǎn)替代。
　　主要預(yù)測(cè)：
　　1）我們預(yù)計(jì)到2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅襯底片新增市場(chǎng)空間約380/156億元，2023-2025年CAGR為78%/90%。
　　2）我們預(yù)計(jì)到2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅單晶爐新增市場(chǎng)空間約100/40億元，2023-2025年CAGR為63%/75%。
　　3）我們預(yù)計(jì)到2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅切片設(shè)備新增市場(chǎng)空間約30/13億元，2023-2025年CAGR約48%/58%。
　　4）我們預(yù)計(jì)到2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅磨拋設(shè)備的市場(chǎng)空間約56/23億元，2023-2025年CAGR約81%/94%。
　　5）我們預(yù)計(jì)到2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅外延爐新增市場(chǎng)空間約130/53億元，2023-2025年CAGR約75%/88%。
　　6）我們預(yù)計(jì)到2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅激光切割設(shè)備新增市場(chǎng)空間約5/2億元，2023-2025年CAGR約60%/71%。
　　2、我們與市場(chǎng)不同的觀點(diǎn)
　　1）從行業(yè)趨勢(shì)看，SiC上車(chē)是大勢(shì)所趨。全球已有多家車(chē)企的多款車(chē)型使用SiC，2018年特斯拉率先在Model 3上搭載SiC，從此拉開(kāi)了碳化硅大規(guī)模上車(chē)序幕，蔚來(lái)、比亞迪、吉利、現(xiàn)代汽車(chē)等車(chē)企紛紛跟進(jìn)。
　　2）襯底材料端良率提升是關(guān)鍵，設(shè)備端生長(zhǎng)、切片、研磨拋光各環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化率逐步提升。目前襯底的材料端與國(guó)外龍頭差距主要在于良率，設(shè)備端國(guó)內(nèi)長(zhǎng)晶已基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，切片&研磨拋光國(guó)產(chǎn)化率有待進(jìn)一步提升。
　　3）外延設(shè)備由國(guó)外設(shè)備商主導(dǎo)，未來(lái)2-3年有望快速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。意大利LPE、德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)、日本的Nuflare占比達(dá)80%+，設(shè)備核心壁壘在于氣體流量的控制，國(guó)內(nèi)晶盛機(jī)電、北方華創(chuàng)等均在積極推進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代。
　　3、股價(jià)催化劑：SiC襯底&外延持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，國(guó)產(chǎn)設(shè)備商訂單落地，設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率提升。
　　4、風(fēng)險(xiǎn)提示：新能源車(chē)銷(xiāo)量不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)、碳化硅滲透率提升不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)、SiC設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率提升不及預(yù)期、各家廠商技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期。
　　投資要點(diǎn)
　　SiC行業(yè)概況：第三代半導(dǎo)體材料性能優(yōu)越，新能源車(chē)等場(chǎng)景帶動(dòng)SiC放量。碳化硅（SiC）具有更高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，適用于制作高溫、高頻、高功率器件，新能源汽車(chē)是未來(lái)第一大應(yīng)用市場(chǎng)，2027年新能源汽車(chē)導(dǎo)電型SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)50億美元，占比高達(dá)79%，全球已有多家車(chē)企的多款車(chē)型使用SiC，例如特斯拉、蔚來(lái)、比亞迪等，SiC迎來(lái)上車(chē)導(dǎo)入期。SiC產(chǎn)業(yè)鏈70%價(jià)值量集中在襯底和外延環(huán)節(jié)，其中襯底、外延成本分別占整個(gè)器件的47%、23%，后道的器件設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)環(huán)節(jié)僅占30%。
　　SiC襯底：材料端良率提升是關(guān)鍵，設(shè)備端生長(zhǎng)、切片、研磨拋光各環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化率逐步提升。（1）襯底：隨著下游持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，我們預(yù)計(jì)全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅襯底片新增市場(chǎng)空間約380/156億元，海外龍頭起步較早，根據(jù)Yole，2020年海外廠商Wolfspeed等CR3達(dá)78%，國(guó)內(nèi)龍頭天科合達(dá)、天岳先進(jìn)分別僅為3%，國(guó)內(nèi)SiC襯底良率較低約50%，而海外龍頭良率已達(dá)85%左右。（2）長(zhǎng)晶：物理氣相傳輸（PVT）最成熟，難點(diǎn)在于溫度控制、雜質(zhì)控制、生長(zhǎng)速度緩慢等，隨著國(guó)內(nèi)SiC襯底加速擴(kuò)產(chǎn)，我們預(yù)計(jì)2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅單晶爐新增市場(chǎng)空間約100/40億元，國(guó)內(nèi)廠商已經(jīng)較好的實(shí)現(xiàn)了碳化硅單晶爐的國(guó)產(chǎn)化，其中北方華創(chuàng)市占率超50%，晶升股份市占率約28%，晶盛機(jī)電設(shè)備自產(chǎn)自用。（3）切片：金剛線切割效率高、污染少，正逐漸代替砂漿切割，激光切片損耗少、效率高，有望替代金剛線成為新一代主流切割技術(shù)，我們預(yù)計(jì)到2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅切片設(shè)備新增市場(chǎng)空間約30/13億元，金剛線切割方面高測(cè)股份已推出分別兼容4-8英寸的SiC金剛線切片機(jī)并持續(xù)推進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代，激光切割方面大族激光和德龍激光市場(chǎng)份額各占約50%。（4）研磨拋光：我們預(yù)計(jì)2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅磨拋設(shè)備的市場(chǎng)空間約56/23億元，DISCO為龍頭，國(guó)內(nèi)邁為股份對(duì)標(biāo)DISCO，推動(dòng)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化。
　　SiC外延：國(guó)外設(shè)備商主導(dǎo)，未來(lái)2-3年有望快速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。SiC外延需嚴(yán)格控制缺陷，工藝難度大，我們預(yù)計(jì)2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅外延爐新增市場(chǎng)空間約130/53億元，目前以意大利LPE（水平氣流）、德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)（垂直氣流）、日本的Nuflare（垂直氣流）為主，其MOCVD設(shè)備的核心差異是對(duì)氣體流量的控制，國(guó)內(nèi)晶盛機(jī)電、北方華創(chuàng)、芯三代、中電48所和深圳納設(shè)智能等均在積極推進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代。此外在外延完成后，SiC仍需要激光劃片進(jìn)行晶圓的切割，我們預(yù)計(jì)2025年全球/國(guó)內(nèi)6寸碳化硅激光切割設(shè)備新增市場(chǎng)空間約5/2億元，國(guó)內(nèi)德龍激光、