>> 中信證券-存儲(chǔ)行業(yè)深度追蹤系列第5期(2023年8月):存儲(chǔ)晶圓端漲價(jià)品類增加,部分已傳導(dǎo)至成品端-230919
| 上傳日期: |
2023/9/19 |
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| 格式: |
pdf 共36頁(yè) |
來(lái)源: |
中信證券 |
| 評(píng)級(jí): |
強(qiáng)于大市 |
作者: |
徐濤,王子源,程子盈 |
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存儲(chǔ)器價(jià)格情況: DRAM方面:8月個(gè)別產(chǎn)品價(jià)格出現(xiàn)上漲,環(huán)比-6.12%~+6.45%,本輪高點(diǎn)21年6月至23年8月累計(jì)跌幅為69%~83%。高端DRAM(服務(wù)器DDR5)合約價(jià)格穩(wěn)定,主流DRAM(DDR4)價(jià)格跌幅收窄,個(gè)別產(chǎn)品價(jià)格出現(xiàn)上漲,8月漲跌幅-6.12%~+6.45%(7月漲跌幅-7.92%~-1.02%),利基DRAM(DDR3)價(jià)格跌幅在2.06%~4.55%(7月跌幅3.96%~8.33%),目前價(jià)格處于周期底部。TrendForce預(yù)計(jì),受DRAM廠商陸續(xù)減產(chǎn)影響,供給逐季減少,加上季節(jié)性需求支撐減輕供應(yīng)商庫(kù)存壓力,23Q3跌幅將進(jìn)一步收縮至0%~5%,同時(shí)LPDDR5產(chǎn)品價(jià)格有望上漲0~5%。 NANDFlash方面:8月價(jià)格持續(xù)回升,環(huán)比0.00%~+7.09%(512GB大容量連續(xù)兩月環(huán)比上漲,128/256GB價(jià)格保持穩(wěn)定),本輪高點(diǎn)21年8月至23年6月累計(jì)跌幅為47%~69%。23H2旺季備貨周期將至,盡管今年需求低迷,如Client SSD與Enterprise SSD在下游出貨量下滑預(yù)期下采購(gòu)量下降,導(dǎo)致終端出貨預(yù)測(cè)持續(xù)下修,但在原廠持續(xù)減產(chǎn)及下游需求復(fù)蘇預(yù)期下,市場(chǎng)仍認(rèn)為23H2終端出貨量會(huì)優(yōu)于23H1,采購(gòu)量有機(jī)會(huì)逐季增加。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng),7月初至9月14日,512Gb Wafer價(jià)格從1.41美元上漲至1.68美元,漲幅達(dá)20%;展望23H2,TrendForce預(yù)計(jì)23Q3 NANDFlash Wafer整體均價(jià)環(huán)比漲幅0%~5%,Q4漲幅將進(jìn)一步擴(kuò)大至8%~13%。 存儲(chǔ)模組方面:今年2月開始價(jià)格下跌幅度收窄,8月SSD價(jià)格出現(xiàn)上漲,DDR4價(jià)格基本持平(9月1-2周小幅上漲),本輪高點(diǎn)22年3月至23年8月累計(jì)跌幅為44.76%~60.63%。據(jù)CFM閃存市場(chǎng),截至9月12日,近半年DDR4 SODIMM(8GB 3200)由約16.5美元下降至不足14美元,降幅約15%,OEMSSD(512GBSATA)由約25美元下降至19美元,降幅約24%。我們認(rèn)為模組廠商產(chǎn)品單價(jià)有望于23Q4開始回暖,隨下游需求復(fù)蘇而獲得銷量彈性,同時(shí)上游晶圓成本處于底部,有利于模組環(huán)節(jié)盈利水平修復(fù)。 價(jià)格傳導(dǎo)分析:NANDWafer漲價(jià)行情已由合約價(jià)傳導(dǎo)至現(xiàn)貨價(jià),8月末已自上而下由晶圓端傳導(dǎo)至模組端。5月起,美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后,部分供應(yīng)商已經(jīng)開始調(diào)高wafer報(bào)價(jià);由于多數(shù)供應(yīng)商已開始減產(chǎn),庫(kù)存壓力在Q3下降,三星等原廠報(bào)價(jià)態(tài)度強(qiáng)勢(shì),Q3合約價(jià)已出現(xiàn)較大幅度反彈,并刺激買方采購(gòu)意愿,加速供需平衡。8月末起,晶圓端漲價(jià)已開始傳導(dǎo)至模組端,根據(jù)CFM閃存市場(chǎng),SSD、EMMC、UFS等模組產(chǎn)品中多數(shù)已出現(xiàn)不同幅度的上漲(單周價(jià)格漲幅約0~5%)。TrendForce預(yù)計(jì)23Q3 NANDFlash整體均價(jià)跌幅將收縮至5~10%,Q4有望止跌回升,預(yù)估漲幅為0~5%。展望后續(xù),我們預(yù)計(jì)23Q3 NAND各環(huán)節(jié)漲價(jià)將延續(xù)至23Q4;隨DRAM持續(xù)減產(chǎn)以及下游服務(wù)器市場(chǎng)復(fù)蘇,預(yù)計(jì)23Q4 DRAM價(jià)格有望開始回升。 中國(guó)臺(tái)灣廠商高頻數(shù)據(jù):主流存儲(chǔ)器價(jià)格仍相對(duì)承壓,中國(guó)臺(tái)灣存儲(chǔ)市場(chǎng)的重點(diǎn)公司如旺宏、華邦電、南亞科、力積電營(yíng)收同比下降,但進(jìn)入三季度,受益于市場(chǎng)回暖、部分產(chǎn)品價(jià)格上漲,8月各家營(yíng)收環(huán)比均上升:旺宏8月營(yíng)收同比-30.23%,環(huán)比+19.23%;華邦電8月營(yíng)收同比-13.21%,環(huán)比+1.74%;南亞科8月營(yíng)收同比-24.69%,環(huán)比+5.65%;力積電8月營(yíng)收同比-46.03%,環(huán)比+1.20%。 供給側(cè)與需求側(cè)近況更新: 供給端:為應(yīng)對(duì)下游需求持續(xù)疲軟、行業(yè)供過(guò)于求,部分廠商調(diào)降投片量,同時(shí)下調(diào)2023年資本開支及產(chǎn)能提升預(yù)期。據(jù)各公司業(yè)績(jī)交流會(huì),美光FY2023資本支出降至70億美元,同比-40%以上,并將對(duì)DRAM和NAND進(jìn)一步減產(chǎn)30%至2024年;SK海力士FY2023資本開支將同比削減超50%,并決定對(duì)NAND進(jìn)一步減產(chǎn)5-10%;西部數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)FY2024資本支出將大幅下降;三星平澤與西安廠擴(kuò)大減產(chǎn)幅度;我們預(yù)計(jì)23H2大廠庫(kù)存消耗速度將加快,促使半導(dǎo)體整體產(chǎn)業(yè)狀況改善。量產(chǎn)、擴(kuò)產(chǎn)方面,SK海力士24GBLPDDR5XDRAM已量產(chǎn)并供貨OPPO;此外,SK海力士展示全球最高層321層NAND閃存樣品,計(jì)劃2025H1量產(chǎn)。從歷史周期看,資本開支增速與市場(chǎng)規(guī)模增速?gòu)?qiáng)相關(guān)性,隨著各大存儲(chǔ)廠商陸續(xù)下調(diào)2023年資本開支計(jì)劃并降低稼動(dòng)率,我們預(yù)計(jì)23年行業(yè)供給增速將低于需求增速,供需將逐步達(dá)到平衡,有助于庫(kù)存修復(fù),我們看好存儲(chǔ)板塊周期2023年下半年見(jiàn)底。 需求端:下游廠商“降成本、去庫(kù)存”趨勢(shì)持續(xù),看好需求逐步復(fù)蘇。2022年需求疲軟下行業(yè)庫(kù)存持續(xù)攀升,23H1行業(yè)庫(kù)存持續(xù)去化,具體來(lái)看,IoT品類中海外市場(chǎng)及低階產(chǎn)品需求更好,Q2供應(yīng)鏈去庫(kù)存接近尾聲,下游客戶逐步恢復(fù)拉貨;手機(jī)品類中高端產(chǎn)品需求穩(wěn)定,低階產(chǎn)品需求更具韌性(性價(jià)比凸顯),供應(yīng)鏈中部分細(xì)分品類庫(kù)存去化進(jìn)展順利,已進(jìn)入補(bǔ)庫(kù)存階段;PC 23Q2庫(kù)存持續(xù)去化,23H2需求有望進(jìn)一步回暖;傳統(tǒng)服務(wù)器行業(yè)仍處于庫(kù)存去化階段。我們認(rèn)為,目前終端廠商已處于去庫(kù)存的后期,全年出貨有望呈現(xiàn)前低后高,看好23H2至24年下游需求回暖趨勢(shì):1)服務(wù)器端,我們預(yù)計(jì)23Q3需求有望實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng),看好23H2 DDR5服務(wù)器端需求提升,同時(shí)AI服務(wù)器DRAM和NAND的容量需求(content)是傳統(tǒng)的6~8x和3x;2)PC端,我們預(yù)計(jì)
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